DDR4和LPDDR3进展

三星和另一家韩国半导体大厂Hynix(海力士半导体)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4内存芯片样品。三星电子的样品基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造，单颗容量为4Gbit，设定运行电压为1.2V。实际运行的电压为1.14V，测定传输速度为 3.3Gbps(DDR4-3300)。当然，在三星20nm半导体生产线已经投入运行的情况下，DDR4 DRAM未来肯定会使用更先进的20nm制程工艺，频率将会比等效3300MHz更高。

ISSCC 2012上三星电子同样发表了它们的LPDDR3样品：单颗容量为4Gbit，基于30nm制造工艺，设定运行电压为1.2V，IO界面为32bit。最 高可在85度环境中工作，电压最低可至1.05V，此时运行速度可达1.6Gbps，功耗低至406mW。32bit的整个芯片可达到 6.4GByte/s的传输速。

连接

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评论：

传统DDR和mDDR主要区别：

1. mDDR没有内置DLL，功耗更低。

2. mDDR接口电平是LCMOS,DDR是SSTL

尔必达破产，败在没看到移动互联的巨大机会，抱残守缺PC市场，破产是必然的！