电磁学
1. 电流与磁场
电流强度:
I
=
d
q
d
t
I=\frac{dq}{dt}
I=dtdq
电流密度:
j
=
d
I
d
S
c
o
s
a
j=\frac{dI}{dS cos a}
j=dScosadI
因此有: I = ∫ S j ⃗ d S ⃗ I=\int_S\vec{j}d\vec{S} I=∫SjdS
电动势:单位正电荷绕闭合回路运动一周,非静电力所做的功。
非静电电场强度 E k ⃗ \vec{E_k} Ek:
A = ∮ l q ( E k ⃗ l ⃗ ) A = \oint_lq(\vec{E_k}\vec{l}) A=∮lq(Ekl)
电动势: ε = A q \varepsilon = \frac{A}{q} ε=qA
电流方向相同时它们相互吸引;电流方向相反时则相互排斥。
F m a x F_{max} Fmax是磁场力
磁感应强度: B = F m a x q v B=\frac{F_{max}}{qv} B=qvFmax
运动电荷在磁场中受力:洛伦兹力
F ⃗ = q v B \vec{F} = qvB F=qvB
磁通量:
ϕ
m
=
∫
S
B
d
S
\phi_m = \int_SBdS
ϕm=∫SBdS
静电场和磁场的高斯定理对比:
- ϕ m = ∮ S B d S = 0 \phi_m=\oint_SBdS=0 ϕm=∮SBdS=0
- ϕ e = ∮ S E d S = ∑ q ε \phi_e = \oint_SEdS=\sum \frac{q}{\varepsilon} ϕe=∮SEdS=∑εq
磁场是无源场,穿过任意闭合曲面𝑆的总磁通必然为零,这就是磁场中的高斯定理
毕奥-萨伐尔定律:
常量:
μ
0
=
4
π
∗
1
0
−
7
N
∗
A
−
2
\mu_0=4\pi *10^{-7}N*A^{-2}
μ0=4π∗10−7N∗A−2 真空磁导率
d B = μ 0 4 π I d l s i n θ r 2 dB=\frac{\mu_0}{4\pi}\frac{Idlsin\theta}{r^2} dB=4πμ0r2Idlsinθ
解题步骤:
- 找到合适的电流元
- 选择合适的坐标系
- 写出电流元产生的磁感应强度
- 计算磁感应强度的分布
磁矩: P m ⃗ = I S e n ⃗ \vec{P_m} = IS\vec{e_n} Pm=ISen
例题:长为𝐿的载流直导线,通有电流𝐼,确定与导线垂直距离为𝑎处的磁感强度。
解:P点产生的磁场大小:
B
=
∫
L
d
B
=
∫
L
μ
0
4
π
I
d
l
s
i
n
θ
r
2
B=\int_LdB=\int_L\frac{\mu_0}{4\pi}\frac{I dl sin\theta}{r^2}
B=∫LdB=∫L4πμ0r2Idlsinθ
B
=
μ
0
I
R
2
2
r
3
B=\frac{\mu_0IR^2}{2r^3}
B=2r3μ0IR2
例题:圆形载流导线的磁场,即圆电流的磁场。求其轴线上一点𝑃的磁感强度的方向和大小
解:
B
=
∫
μ
0
4
π
I
d
l
r
2
c
o
s
a
B = \int \frac{\mu_0}{4\pi}\frac{Idl}{r^2}cosa
B=∫4πμ0r2Idlcosa
c
o
s
a
=
R
r
,
r
2
=
R
2
+
x
2
cosa=\frac{R}{r},r^2=R^2+x^2
cosa=rR,r2=R2+x2
B
=
∫
μ
0
4
π
I
d
l
r
2
c
o
s
a
=
μ
0
I
R
2
2
r
3
B=\int \frac{\mu_0}{4\pi} \frac{Idl}{r^2}cosa=\frac{\mu_0IR^2}{2r^3}
B=∫4πμ0r2Idlcosa=2r3μ0IR2
例题:如图的载流导线,求𝑂点的B?
解:
以磁感线方向纸面朝外为正方向
这里有四段导线,都需要分别计算。
B = μ 0 I 4 r 2 − μ 0 I 4 r 1 + μ 0 I 4 π r 2 − μ 0 I 4 π r 1 B=\frac{\mu_0I}{4r_2}-\frac{\mu_0I}{4r_1}+\frac{\mu_0I}{4\pi r_2}-\frac{\mu_0I}{4\pi r_1} B=4r2μ0I−4r1μ0I+4πr2μ0I−4πr1μ0I
上面分别是:内外环和两根直导线
例题:如图所示为一个假象的球面,其中心有一个运动电荷,速度方向如图所示,则图中所标注的三个球面上的点,哪个点具有最大的磁场?
解:
d B = μ 0 4 π I d l r 2 dB = \frac{\mu_0}{4\pi} \frac{Idl}{r^2} dB=4πμ0r2Idl
对于C:
r
=
r
s
i
n
θ
r = rsin\theta
r=rsinθ
对于A:
d
A
=
0
dA=0
dA=0
对于B:
r
=
r
r=r
r=r
例题:真空中有一根无限长的导线,载有电流𝐼,则距离导线轴为𝑅处的磁场强度为?
解: B = μ 0 I 2 π R B=\frac{\mu_0 I}{2\pi R} B=2πRμ0I
例题:真空中半径为𝑅的载流圆线圈,通有电流𝐼,求其圆心处的磁场为?
解: B = μ 0 I 2 R B=\frac{\mu_0 I}{2R} B=2Rμ0I
例题:通有电流𝐼,半径为𝑅的半圆形载流导线在圆心处所 题 激发的磁场强度大小为?
解: B = μ 0 I 4 R B=\frac{\mu_0 I}{4R} B=4Rμ0I
例题:一无限长载流𝐼的导线,中部弯成如图所示的四分之一圆周𝐴𝐵,圆心为𝑂,半径为𝑅,则在𝑂点处的磁感应强度的大小为?
解:
B
=
μ
0
I
4
π
R
(
1
+
π
2
)
B=\frac{\mu_0 I}{4\pi R}(1+\frac{\pi}{2})
B=4πRμ0I(1+2π)
例题:一长直载流𝐼的导线,中部折成图示一个半径为𝑅的圆,则圆心的磁感应强度大小为?
解:0
例题:如图所示,真空中载有电流为𝐼的导线(实线部分为导线,𝐴、𝐵两端延伸到无穷远处),则在圆心𝑂处的磁感应强度为?
解:
μ
0
I
4
π
R
+
μ
0
I
4
R
\frac{\mu_0 I}{4\pi R}+\frac{\mu_0 I}{4R}
4πRμ0I+4Rμ0I
例题::载流长直导线的电流强度为𝐼,求通过图示矩形面积𝑐𝑑𝑒𝑓的磁通量(𝑎、𝑏、𝑙均为已知)。
解:载流长直导线产生的
B
=
μ
I
2
π
r
B=\frac{\mu I}{2\pi r}
B=2πrμI
ϕ m = ∫ S B d S = ∫ a b μ I 2 π r d r = μ I l 2 π l n b a \phi_m = \int_S BdS=\int_a^b\frac{\mu I}{2\pi r}dr = \frac{\mu I l}{2 \pi} ln\frac{b}{a} ϕm=∫SBdS=∫ab2πrμIdr=2πμIllnab
安培环路定理: ∮ L B ⃗ d l ⃗ = μ ∑ I 内 \oint_L\vec{B}d\vec{l}=\mu \sum I_内 ∮LBdl=μ∑I内
例题:一个半径为𝑟的半球面如图放在均匀磁场中,通过半球面的磁通量为?
解: ϕ = π r 2 B c o s a \phi=\pi r^2 B cosa ϕ=πr2Bcosa
例题:如图所示,在无限长载流直导线附近作一球形闭合曲面𝑆,当曲面𝑆向长直导线靠近时,穿过曲面𝑆的磁通量𝜙和面上各点的磁感应强度𝐵将如何变化?
𝜙不变,𝐵增大
2. 磁场对电流的作用
一根载流导线在磁场中所受的安培力: F ⃗ = ∫ L I d l B \vec{F} = \int_L I dl B F=∫LIdlB
例题:在均匀磁场中放置一半径为𝑅的半圆形导线,电流强度为𝐼,导线两端连线与磁感强度方向夹角α = 30°,求此段圆弧电流受的磁力。
解:
首先在电流上任取电流元 I d l Idl Idl
F = ∫ a b I d l B = I ∗ 2 R ∗ s i n a ∗ B = I B R F = \int_a^b Idl B = I *2R*sin a *B=IBR F=∫abIdlB=I∗2R∗sina∗B=IBR
例题:在均匀磁场𝐵中,通过一半径为𝑅的半圆导线中的电流为𝐼,求该导线所受的安培力?
解: F = I B R ∫ 0 π s i n θ d θ = 2 I B R F = IBR \int_0^{\pi}sin \theta d \theta = 2IBR F=IBR∫0πsinθdθ=2IBR
合力F放行为y轴的正方向
例题:载流𝐼1的长直导线一侧,有另一导线水平放置,长为𝐿,通有电流𝐼2,两者在同一平面。求水平导线所受磁力大小和方向?
解:
B
=
μ
I
1
2
π
x
B = \frac{\mu I_1}{2\pi x}
B=2πxμI1
F
=
∫
d
F
=
∫
I
2
B
d
l
=
∫
a
a
+
L
μ
I
1
I
2
2
π
x
d
x
F = \int dF = \int I_2Bdl=\int_a^{a+L} \frac{\mu I_1 I_2}{2\pi x} dx
F=∫dF=∫I2Bdl=∫aa+L2πxμI1I2dx
洛伦兹力:带电粒子在均匀磁场中运动所受的力
f ⃗ = q v ⃗ B ⃗ \vec{f } =q \vec{v} \vec{B} f=qvB
回旋加速器:
q
v
0
B
=
m
v
0
2
R
qv_0B = m\frac{v_0^2}{R}
qv0B=mRv02
T = 2 π R v 0 T = \frac{2\pi R}{v_0} T=v02πR
常识:
- 安培力和洛仑兹力本质上都是磁场对运动电荷的作用。
- 磁场对带电粒子的作用力不可以增大粒子的动能
- 洛伦兹力永不做功
- 质谱仪可用于鉴别同位素
- 可利用霍尔效应来测磁场
例题:两根长直导线𝑎、𝑏平行放置距离为𝑟,分别通有𝐼1、𝐼2的电流时,问导线上的安培力?
解:
μ
I
1
I
2
2
π
r
\frac{\mu I_1 I_2}{2 \pi r}
2πrμI1I2
例题:一带电粒子,垂直射入均匀磁场,如果粒子质量增大到2倍,入射速度增大到2倍,磁场的磁感应强度增大到4倍,则通过粒子运动轨道包围范围内的磁通量增大到原来的倍?
解:
B
q
v
=
m
v
2
R
Bqv = m \frac{v^2}{R}
Bqv=mRv2
ϕ
=
∫
S
B
d
S
\phi=\int_S BdS
ϕ=∫SBdS
4倍
例题:一带电粒子垂直射入磁场𝐵后,作周期为𝑇的匀速率圆周运动,若要使运动周期变为𝑇/2,磁感应强度应变为?
解:2B
3. 电磁感应与电磁场
(磁生电)
法拉第电磁感应定律: ε = − k d ϕ m d t \varepsilon = - k \frac{d \phi_m}{dt} ε=−kdtdϕm
负号表示感应电动势总是反抗磁通的变化
用楞次定律判断感生电流的方向:
- 判断原磁通量 ϕ m \phi_m ϕm的变化,增加或者减少
- 确定感生电流的磁场B的方向
- 根据感生电流的方向
计算感生电动势的是很好,我们的k就不出现了。
和匝数有关: ε = − N d ϕ d t \varepsilon = - N \frac{d\phi}{dt} ε=−Ndtdϕ
例题:如图是电子计算机内作为存储元件的环形磁芯,磁芯是用矩形磁滞回线的铁氧体材料制成的. 环形磁芯上绕有两个截面积均为𝑆 = 4.5 × 10−2𝑚𝑚−2的线圈𝑎1和𝑎2。当线圈𝑎1中有脉冲电流𝑖通过时,在Δ𝑡 = 0.45 × 10−6𝑠的时间内,磁芯内的磁感强度由+𝐵转为− 𝐵。设𝐵 = 0.17𝑇,线圈𝑎2的匝数𝑁 = 2。求磁芯内的磁感强度翻转过程中,线圈𝑎2中产生的感应电动势为多少?
已知: 𝑆 = 4.5 × 10−2𝑚𝑚−2,Δ𝑡 = 0.45 × 10−6𝑠,𝐵 = 0.17𝑇,𝑁 = 2
解:
Δ
Φ
=
2
N
B
S
\Delta \Phi = 2NBS
ΔΦ=2NBS
ε
=
2
N
B
S
Δ
t
=
68
m
V
\varepsilon = \frac{2NBS}{\Delta t} = 68mV
ε=Δt2NBS=68mV
动生电动势:
ε
=
B
l
V
\varepsilon = BlV
ε=BlV
ε
=
∫
a
b
(
V
B
)
d
l
\varepsilon = \int_a^b (V B)dl
ε=∫ab(VB)dl
两种计算动生电动势的办法:
- ε = ∫ L ( V B ) d l \varepsilon= \int_L(VB)dl ε=∫L(VB)dl
- ε = − d ϕ m d t \varepsilon = -\frac{d\phi_m}{dt} ε=−dtdϕm
例题:一长为𝐿的铜棒在磁感强度为𝐵的均匀磁场中,以角速度𝜔在与磁场方向垂直的平面上绕棒的一端转动,求铜棒两端的感应电动势?
解:
ε
=
∫
0
L
w
l
B
d
l
=
1
2
B
w
L
2
\varepsilon=\int_0^L wlBdl=\frac{1}{2}BwL^2
ε=∫0LwlBdl=21BwL2
例题:一导线矩形框的平面与磁感强度为𝐵的均匀磁场相垂直。在此矩形框上,有一质量为𝑚长为𝑙的可移动的细导体棒𝑀𝑁;矩形框还接有一个电阻𝑅,其值较之导线的电阻值要大得很多。若开始时,细导体棒以速度𝑣0沿如图所示的矩形框运动,试求棒的速率随时间变化的函数关系
解:
ϕ = B l v \phi = Blv ϕ=Blv
棒子所受的安培力: F = I B l = B 2 l 2 v R F = IBl=\frac{B^2l^2v}{R} F=IBl=RB2l2v
m d v d t = − B 2 l 2 v R m\frac{dv}{dt}=-\frac{B^2l^2v}{R} mdtdv=−RB2l2v
∫ v 0 v d v v = − ∫ 0 t B 2 l 2 m R \int_{v_0}^v \frac{dv}{v} = -\int_0^t\frac{B^2l^2}{mR} ∫v0vvdv=−∫0tmRB2l2
v = v 0 e − ( B 2 l 2 / m R ) t v = v_0e^{-(B^2l^2/mR)t} v=v0e−(B2l2/mR)t
热学
1. 气体分子运动理论
理想气体状态方程: P V = M M m R T PV = \frac{M}{M_m}RT PV=MmMRT
方均根速率: v ˉ 2 = 3 k T m \sqrt{\bar{v}^2}=\sqrt{\frac{3kT}{m}} vˉ2=m3kT
分子无规律运动的激烈程度表示:
ε
k
ˉ
=
3
2
k
T
=
1
2
m
v
2
ˉ
\bar{\varepsilon_k}=\frac{3}{2}kT=\frac{1}{2} m \bar{v^2}
εkˉ=23kT=21mv2ˉ
例题:一定量的理想气体贮于某一容器中,温度为𝑇,气体分子质量为𝑚。根据理想气体分子的分子模型和统计假设,分子速率在𝑥方向分量的平方的平均值为?
解:
ε k = 1 2 m v 2 = 3 2 k T \varepsilon_k = \frac{1}{2}mv^2 =\frac{3}{2}kT εk=21mv2=23kT
v x ˉ 2 = 1 3 v ˉ 2 \bar{v_x}^2=\frac{1}{3}\bar{v}^2 vxˉ2=31vˉ2
所以: v x 2 ˉ = k T / m \bar{v_x^2}=kT/m vx2ˉ=kT/m
例题:一瓶氦气𝐻𝑒和一瓶氮气𝑁2密度相同,分子平均平动动能相同,而且都处于平衡状态,则它们?
(A)温度相同、压强相同。
(B)温度、压强都不同。
©温度相同,但氦气的压强大于氮气的压强。
(D)温度相同,但氦气的压强小于氮气的压强
解:
ρ = m H e n H e = m N 2 n N 2 \rho=m_{H_e}n_{H_e}=m_{N_2}n_{N_2} ρ=mHenHe=mN2nN2
例题:(1)在一个具有活塞的容器中盛有一定的气体。如果压缩气体并对它加热,使它的温度从27℃升到177℃,体积减少一半,求气体压强变化多少?(2)这时气体分子的平均平动动能变化多少
解:
(1)
P
1
=
n
1
k
T
1
P_1=n_1kT_1
P1=n1kT1,
P
2
=
n
2
k
T
2
P_2=n_2kT_2
P2=n2kT2
V
1
=
2
V
2
⇒
2
n
1
=
n
2
V_1=2V_2\Rightarrow2n_1=n_2
V1=2V2⇒2n1=n2
T
1
=
273
+
27
=
300
K
T_1=273+27=300K
T1=273+27=300K
T
2
=
273
+
177
=
450
K
T_2=273+177=450K
T2=273+177=450K
P 2 P 1 = n 2 k T 2 n 1 k T 1 = 3 \frac{P_2}{P_1}=\frac{n_2kT_2}{n_1kT_1}=3 P1P2=n1kT1n2kT2=3
(2)
ε
k
=
3
2
k
T
\varepsilon_k =\frac{3}{2}kT
εk=23kT
Δ
ε
k
=
3
2
k
(
T
1
−
T
2
)
\Delta \varepsilon_k= \frac{3}{2}k(T_1-T_2)
Δεk=23k(T1−T2)
例题:若理想气体的体积为𝑉,压强为𝑃,温度为𝑇,一个分子的质量为𝑚,𝑘为玻耳兹曼常量,𝑅为摩尔气体常量,则该理想气体的分子数为?
解:
P
=
n
k
T
P=nkT
P=nkT
P
=
N
V
k
T
P=\frac{N}{V}kT
P=VNkT
N
=
P
V
k
T
N=\frac{PV}{kT}
N=kTPV