Linux启动介质的设计，norflash、nandflash、emmc，iram，irom的区别，并作为启动介质的不同

一、在讨论之前，先看下下面的问题，思考。

二、rom，ram，norflah、nandflash、emmc区别和特点，和相同点

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM 有两大类
一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓 冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很 多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用 得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：

内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储 的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会 放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量 小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是 一次性的，也就是软件灌入后，就 无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过 电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

FLASH
FLASH存储器又 称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据 （NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来 Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户 不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。norflash采用的是总线式接口，32根数据线，32根地址线，像内存的一样可以随机访问地址，
这就是norflash能作为运行代码的介质，而nandflash只能作为存储数据，nandflash的接口数据线少，并不能随机访问地址

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多 用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应 用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比较

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。

我的x210开发板，内置irom，iram，nandflash， ddr
原理是，irom上电就可运行，不必初始化，内置了初始化读取sd卡，和nandflash的程序，iram和cpu通过总线相连，可以任意访问，但是内存大小有限，只能运行少量代码，iram上电即可用，不必初始化，掉电即丢失数据，irom掉电不丢失数据，irom内置代码将sd卡或inand里的BootLoader拷贝到iram运行，inand和sd是接口相连，不能作为运行代码和存储运行数据的介质，BootLoader在iram运行前半部，初始化完ddr后，将后半部搬到ddr继续运行，并将kernel和dts读取到ddr里，解析dts后，传参给kernel，kernel加载驱动时，将访问结构体里的dts，完成kerenl的启动。ddr掉电将丢失数据。

其他的嵌入式设备，时将norflash作为启动介质，上电运行norflash的BootLoader，并将存在nandflash里的kernel搬到ddr里运行。

三、norflah、nandflash、emmc区别和特点，和相同点

1、NOR Flash的特点

快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。
NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。
也是一种存储介质；它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是类似，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约成本。

2、NAND Flash的特点
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储， 要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。。NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。
因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取，所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程序的ROM。从这样的角度看来，NAND Flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备

3、eMMC的特点
eMMC (Embedded Multi Media Card) 为MMC协会所订立的，eMMC 相当于 NandFlash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡一样，eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，
eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备（Nand Flash）及主控制器，所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能。
emmc说到底就是芯片化的nandflash，集成了很多小颗粒的nandflash，且不用复杂的操作nandflash。
4、总结：

相同点，都不用初始化，掉电不丢失数据

1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。NAND flash和NOR flash的接口差别
6、NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
7、NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

用途：
在嵌入式设备中，没有硬盘，一般是用nandflash或emmc存储启动代码的，norflash作为启动介质，上电时，芯片内部irom启动程序，会读取nandflash或emmc里的BootLoader，到iram或norflash里运行（不同的芯片设计的启动方式不一样），有些设备开机时需要初始化的默认设置，比如电视，有默认的图像对比度，亮度，声音大小，等等很多参数，都是掉电不丢失的数据，放在norflash里，nandflash一般作为大数据存储介质，比如一些xml文件，图片文件，根文件系统，根文件系统镜像里包好移植库，应用程序，qt应用程序等大文件，一般超过200mb，所以只能放在nandflash里或emmc。

三、启动介质的设计

1、spi norflash + emmc
这是hisi的启动方式，和前面讲的三星的启动方式是不一样的，三星是，irom + iram（norflash）64kb + nandflash（500GB）。
hisi的方法，spi norflash作为iram，emmc作为硬盘，外存，烧录boatload，kernel，fs，app。
一般uboot，200kb，kernel，8MB，根据驱动的大小决定kernel的大小，根文件一般200mb，根据里面移植的库的大小，存放在镜像文件下的文件大小，决定根文件的大小。

我的项目里，系统上电启动时，通过cpu读取加载emmc下的uboot，到norflash启动，初始化各种外接设备（内存，网卡，emmc等等）
然后读取emmc下的kernel到内存，最后挂载emmc上根文件系统，像访问硬盘的方式，存储读写文件。（这句话是2024年，工作8年后才明白的，现在回来从新编写）

2、spi norflash + nand