在CV模式下，JW1501A/B采用多模式控制，采用调幅（调幅）模式和（调频）FM模式的混合模式，从而提高了系统的效率和可靠性。内置的电缆下降补偿（CDC）功能可以提供良好的CV性能。JW1501A/B集成了低电压锁定（UVLO）、VDD过电压保护（VDD OVP）、逐循环电流限制（OCP）、短负载保护（SLP）和VDD夹紧的功能和保护。在集成电路开始工作之前，它只消耗启动电流（通常为2uA），这允许使用一个大值的启动电阻来最小化功率损耗，而流过启动电阻的电流从高压直流总线给VDD保持电容器充电。

如图2所示，很明显，随着二次电流下降到零时，有一个下降的斜坡，表示总整流器VF下降，其电压下降。JW1502是一种高性能的主侧调节（PSR）控制器，具有高精度的CV/CC控制系统，非常适用于充电器的应用。在CV模式下，JW1502采用了多模式控制，它采用了调幅（调幅）模式和（调频）FM模式的混合模式，从而提高了系统的效率和可靠性。JW1502集成了低电压锁定（UVLO）、VDD过压保护（VDD OVP）、逐循环电流限（OCP）、短负载保护（SLP）、门夹紧和VDD夹紧的功能和保护。低备用功率<70mW。

时自动降低充电电流，这个功能可以使用户最大限度的利用芯片的功率处理能力，不用担心芯片过热而损坏芯片或者外部元器件。这样，用户在设计充电电流时，可以不用考虑最坏情况，而只是根据典型情况进行设计就可以了，因为在最坏情况下，AXS4056。是专门为一节锂离子或锂聚合物电池而设计的线性充电器电路，利用芯片内部的功率晶体管对电池进行涓流、恒流和恒压充电。当输入电压掉电或者输入电压低于电池电压时，充电器进入低功耗的睡眠模式，电池端消耗的电流小于 0.1uA。当电池电压降到再充电阈值以下时，自动开始新的充电周期。

是专门为一节锂离子电池或锂聚合物电池而设计的线性充电器，芯片集成功率晶体管，充电电流可以用外部电阻设定，最大持续充电电流可达600mA,不需要另加阻流二极管和电流检测电阻。这样，用户在设计充电电流时，可以不用考虑最坏情况，而只是根据典型情况进行设计因为在最坏情况下，AXS4054。当输入电压低于欠压锁定阈值电压或者输入电压低于电池电压时，充电器进入低功耗的睡眠模式，此时电池端消耗的电流小于 3uA。，才会开始新的充电循环，重新对电池进行充电，这就避免了对电池进行不必要的反复充电,将自动结束充电过程。

100%的占空比提供了较低的退出操作，延长了便携式系统的电池寿命。0.6V的反馈参考电压很容易支持低输出电压。RY3420是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高1.2M/2.4MHz工作频率下工作，以确保紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。误差放大器将FB引脚电压与内部FB参考值（VFB）进行比较，并输出与两者之间的差值成比例的电流。优化后的内部补偿网络使外部组件的数量最小化，简化了控制回路的设计。

当在正常状态下放电期间电池电压降到过放电检测电压（VDL）以下，并持续过放电检测延迟时间（tDL）或更长时间时，RY2200关闭放电控制FET并停止放电。（负载短路检测电压），芯片的电流降低到断电电流（IPDN）。RY2200监测电池的电压和电流，通过断开电池与负载或充电器，保护电池不因过充电电压、过放电电压、过放电电流和短路情况而损坏。注意如果VM引脚电压不小于充电器检测电压（VCHA），电池电压达到过放电释放电压（VDR）或更高，则当过放电状态下的电池连接到充电器时释放过放电状态(放电控制FET接通）

当芯片启动时，内部电路会产生一个软启动电压（SS），从0V上升到0.925V。它提供了一个非常紧凑的解决方案，以在一个广泛的输入电源范围内实现4a峰值输出电流，具有良好的负载和线路调节。RY3834需要最少数量的现成的外部组件，并可在一个节省空间的ESOP8包。RY3834是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高500 KHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。

当芯片启动时，内部电路会产生一个软启动电压（SS），从0V上升到0.765V。它提供了一个非常紧凑的解决方案，以在一个广泛的输入电源范围内实现4a峰值输出电流，具有良好的负载和线路调节。RY3835是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高600 KHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。优化后的内部补偿网络使外部组件的数量最小化，简化了控制回路的设计。

其1.23V的反馈电压降低了功率损耗，提高了效率。优化的运行频率可以满足LC滤波器值小、低运行电流的要求。小包装类型为节省PCB空间和总BOM成本提供了最佳的解决方案。电感器的推荐值为2.2μH~10μH。小尺寸和较高的效率是便携式设备的主要问题，如用于手机的RY3750。电感器应该在1.2MHz的低芯损耗和低DCR以提高效率。RY3750推荐用于RY3750的输入和输出陶瓷电容器。为了获得更好的电压滤波，推荐使用低ESR的陶瓷电容器。X5R和X7R类型的电压和温度范围更宽。2.5V至5.5V的输入电压。

当在正常状态下放电期间电池电压降到过放电检测电压（VDL）以下，并持续过放电检测延迟时间（tDL）或更长时，RY2206关闭放电控制FET并停止放电。准确的过充电检测电压保证安全充分充电。RY2206监测电池的电压和电流，通过断开电池与负载或充电器，保护电池不因过充电电压、过放电电压、过放电电流和短路情况而损坏。注意：如果VM引脚电压不低于充电器检测电压（VCHA），当过放电状态下的电池连接到充电器上时，只要电池电压达到过放电释放电压（VDU）或更高，则正常释放过放电状态（放电控制FET开启）。

当输入电压高于最大UVLO上升阈值并且CTRL引脚被拉高时，RY3740系列被启用。由于通过电感器和肖特基二极管存在从输入到输出的导电路径，因此输出电压等于关机期间的输入电压。当应用PWM信号时，CTRL高时LED电流打开，CTRL低时关闭。RY3740系列是一个升压转换器，设计用于驱动一个单电池锂离子电池高达10个白色led或高达40V的输出电压。在软启动周期开始时，隔离FET缓慢打开，为输出电容器充电。一个内部的软启动电路根据输出电压来限制电感器的峰值电流。当电压低于UVLO阈值电压时，设备被关闭。

为了防止占空比大于50%的次谐波振荡，在电流感测放大器的输出中增加一个稳定斜坡，结果被输入PWM比较器的负输入。当该电压等于误差放大器的输出电压时，功率MOSFET被关闭。误差放大器输出的电压是0.6V带隙参考电压和反馈电压之间差的放大版本。这些结果导致更多的电流通过功率MOSFET，从而增加了传递到输出的功率。RY3708具有内部软启动，以限制启动时的输入电流量，并限制输出上的超调量。RY3708的开关频率为1.2MHz，并允许使用2毫米或更低高度的微小、低成本的电容器和电感器。

无负载的供电电流为40uA，停机时降至<1uA。100%的占空比提供了较低的退出操作，延长了便携式系统的电池寿命。RY3415是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高压功率的MOSFET，并在高1.5MHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。误差放大器将FB引脚电压与内部FB参考值（VFB）进行比较，并输出与两者之间的差值成比例的电流。优化后的内部补偿网络使外部组件的数量最小化，简化了控制回路的设计。

RY3410是一个高效的单片同步降压调节器，使用一个恒定的频率，电流模式的架构。无负载的供电电流为40uA，停机时降至

当电感器电流峰值超过设定的电流极限阈值时，RY3831的循环超过电流极限。它提供了一个非常紧凑的解决方案，以实现3.5A在一个较宽的输入电源范围内的峰值输出电流，具有良好的负载和线路调节。RY3831需要最少数量的现成的外部组件，并可在一个节省空间的ESOP8包。RY3831是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高500 KHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。

RY3430是一个高效的单片同步降压调节器，使用一个恒定的频率，电流模式的架构。100%的占空比提供了较低的退出操作，延长了便携式系统的电池寿命。RY3430提供了一个低轮廓（1毫米）5针，薄的SOT包，并可在一个可调的版本。采用软启动方式，防止启动时变频器输出电压过调。RY3430是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高1.2M/2.4MHz工作频率下工作，以确保紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。

100%的占空比提供了较低的退出操作，延长了便携式系统的电池寿命。RY3408提供了一个低轮廓（1毫米）5针，薄的SOT包，并可在一个可调的版本。当SS高于REF时，REF恢复控制。RY3408是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高压功率的MOSFET，并在高1.5MHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。误差放大器将FB引脚电压与内部FB参考值（VFB）进行比较，并输出与两者之间的差值成比例的电流。

当芯片启动时，内部电路会产生一个软启动电压（SS），从0V上升到0.768V。它提供了一个非常紧凑的解决方案，可以在较宽的输入电源范围内实现3A峰值输出电流，具有良好的负载和线路调节。RY3825是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高电压功率的MOSFET，并在高600 KHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。优化后的内部补偿网络使外部组件的数量最小化，简化了控制回路的设计。

RY3715是一个高度集成的升压转换器，设计用于需要高压和高效解决方案的应用。RY3715集成了一个20V的电源开关，它可以输出高达18V的输入从一个锂+电池或两个电池碱性电池串联。它有1.5mS的内置软启动时间，以最小化涌入电流。当EN销被拉高时，RY3715开始软启动。在软启动期开始时，隔离FET缓慢开启，为输出电容器充电。一个内部的软启动电路根据输出电压来限制电感器的峰值电流。当电压低于UVLO阈值电压时，设备被关闭。当输入电压高于最大UVLO上升阈值且EN引脚被拉高时，RY3715被启用。

为了防止占空比大于50%的次谐波振荡，在电流感测放大器的输出中增加一个稳定斜坡，结果被输入PWM比较器的负输入。当该电压等于误差放大器的输出电压时，功率MOSFET被关闭。误差放大器输出处的电压是0.6V带隙参考电压和反馈电压之间的差值的放大版本。这些结果导致更多的电流通过功率MOSFET，从而增加了传递到输出的功率。RY3710具有内部软启动，以限制启动时的输入电流量，并限制输出上的超调量。RY3710的开关频率为1.2MHz，并允许使用2毫米或更低高度的微型、低成本的电容器和电感器。

当电感器电流峰值超过设定的电流极限阈值时，RY8134A的循环超过电流极限。它提供了一个非常紧凑的解决方案，以在一个广泛的输入电源范围内实现4a峰值输出电流，具有良好的负载和线路调节。RY8134A需要最少数量的现成的外部组件，并可在一个节省空间的SOT23-6包。RY8134A是一个电流模式降压的直流/直流转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高压功率的MOSFET，并在高1MHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优秀的交流和直流性能。

无负载的供电电流为40uA，停机时降至<1uA。100%的占空比提供了较低的退出操作，延长了便携式系统的电池寿命。RY8017需要最少数量的现成的外部组件，并且可以在一个节省空间的SON763软件包中使用。RY8017是一个电流模式降压DC/DC转换器，提供了优秀的瞬态响应，没有额外的外部补偿组件。该设备包含一个内部、低电阻、高压功率的MOSFET，并在高1.5MHz的工作频率下工作，以确保一个紧凑、高效的设计和优良的交流和直流性能。优化后的内部补偿网络使外部组件的数量最小化，简化了控制回路的设计。

JW5250S的输入范围为2.5V-6.0V，提供1A的连续输出电流，集成p通道和n通道模块。JW5250S通过打嗝输出短路保护、FB短路保护、FB短路保护、启动电流损耗保护、输入电压锁定和热插拔以及热保护，保证稳健性。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例连续控制，即当负载电流下降时开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时开关频率增加，输出电压涟漪最小。它将输入电压从2.5V~6.0V调节至低至0.6V的输出电压，并能够提供高达1A的负载电流。最大可达1A的输出电流。

JW5033S的输入范围为3.7V-18V，提供2A的两个集成n通道模块的连续输出电流。JW5033S保证了短路保护、热保护、电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。在PFM模式下，当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化输出电压的涟漪。FB引脚的电压调节为0.8V，通过在VOUT和GND之间连接适当的电阻分压器，可以获得设计的输出电压。它将从3.7V到18V的输入电压调节至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达2A的负载电流。

JW5033T的输入范围为3.7V-18V，提供2A的2个集成n通道连续输出电流。在轻负载下，调节器以低频工作，以保持高效率和低输出纹波。在PFM模式下，当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化输出电压的涟漪。FB引脚处的电压被调节在0.765V，因此通过在VOUT和GND之间连接一个适当的电阻分压器，可以获得设计的输出电压。它将输入电压从3.7V到18V的输出电压降至0.765V的输出电压，并能够提供高达2A的负载电流。

JW5062T的输入范围为4V~18V，通过两个集成的n通道MOSFET提供4A的连续输出电流。在轻负荷下，调节器在低频下工作，以保持高效率和低输出波纹。由于顶部MOSFET需要一个比输入电压更大的栅极电压，因此需要一个连接在BST和西南针脚之间的升压电容器来驱动顶部开关的栅极。它将输入电压从4V到18V降至低至0.765V的输出电压，并能够提供高达4A的负载电流。在Vin和接地之间可以连接电阻分压器，中央分接连接到EN，这样当Vin降到预先设定的值时，EN降到2V以下，在电压锁定保护下触发输入。

JW5022S保证了过电流保护、热保护、启动电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。由于顶部MOSFET需要大于栅电压的输入电压，需要连接在BST和SW引脚之间的升压电容器来驱动顶部开关的栅极。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例地连续控制，即当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化负载电流和输出电压的涟漪。FB引脚的电压调节为0.923V，通过在VOUT和GND之间连接适当的电阻分压器，可以获得设计的输出电压。

JW5017S的输入范围为4.5V~26V，通过两个集成的n通道MOSFETs提供1.2A的连续输出电流。JW5017S保证了过电流保护和打嗝、热保护、启动电流损耗保护和电压锁定下的输入的稳健性。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例连续控制，即当负载电流下降时开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时开关频率增加，最小化负载电流和输出电压的涟漪。它将输入电压从4.5V到26V调节至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达1.2A的负载电流。深圳市润泽芯电子有限公司。

JW5116F的输入范围为4.7-40V，可提供3A的连续输出电流，并集成了高侧n通道MOSFET。JW5116F保证了输入欠电压锁定、启动电流损耗保护、输出短保护和热保护的稳健性。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例地连续控制，即当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化负载电流和输出电压的涟漪。它将输入电压从4.7V到40V调节至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达3A的负载电流。深圳市润泽芯电子有限公司。

JW5222的输入范围为2.5V-6V，提供2.5A的连续输出电流，集成p通道和n通道模块。JW5222可在5针SOT23-5或6针SOT23-6包，它提供了一个紧凑的解决方案与最小的外部组件。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例连续控制，即当负载电流下降时开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时开关频率增加，使输出电压涟漪最小。它将输入电压从2.5V~6V调节至低至0.6V的输出电压，并能够提供高达2.5A的负载电流。深圳市润泽芯电子有限公司。热插头保护，短路保护。

JW5052C的输入范围为4.5V-18V，提供2A的两个集成n通道模块的连续输出电流。在PFM模式下，当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化输出电压的涟漪。它将输入电压从4.5V到18V的输入电压调节至低至0.6V的输出电压，并能够提供高达2A的负载电流。FB引脚的电压调节为0.6V，通过在VOUT和GND之间连接适当的电阻分压器，可以获得设计的输出电压。软启动使输出电压随内部SS电压平稳上升，直到SS电压高于内部参考电压。

JW5025的输入范围为4.6V~20V，可提供3A的连续输出电流。在轻负载下，调节器以低频工作，以保持高效率和低输出纹波。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例地连续控制，即当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化负载电流和输出电压的涟漪。COMP引脚是内部误差放大器的输出，并与内部测量的开关电流进行比较，以控制输出电流限制。它将输入电压从4.6V到20V的输出电压降至0.923V的输出电压，并能够提供高达3A的负载电流。

JW5026的输入范围为4.7V~40V，提供两个集成的n通道连续输出电流。在轻负载下，调节器以连续传导模式工作，以保持低输出纹波。JW5026保证了短路保护、热保护、电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。JW5026有6针SOT23-6包，它提供了一个紧凑的解决方案与最小的外部组件。JW5026是一个同步、电流模式、降压调节器。它将输入电压从4.7V到40V降至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达1A的负载电流。它将输入电压从4.7V到40V降至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达1A的负载电流。

JW5018B是一个电流模式的单片降压开关调节器。JW5018B的输入范围为4.7V~40V，可提供600 mA的连续输出电流。内部同步电源开关提供高效率，而不使用外部肖特基二极管。在轻负载下，调节器以低频工作，以保持高效率和低输出纹波。电流模式控制提供紧密的负载瞬态响应和逐循环电流限制。JW5018B保证了短路保护、热保护、电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。4.7V至40V工作输入范围600 mA输出电流。轻负荷下的高效率（>78%）可在SOT23-6包中找到。深圳市润泽芯电子有限公司。

在输入范围为4.5V~18V、JW5393和JW5393F工作时，通过两个集成的n通道MOSFET提供3A连续输出电流。由于顶部MOSFET需要一个比输入电压更大的栅极电压，因此需要一个连接在BST和西南针脚之间的升压电容器来驱动顶部开关的栅极。它将输入电压从4.5V到18V的输入电压调节至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达3A的负载电流。VIN与接地之间可以连接电阻分压器，中央分接连接到EN，当VIN下降到预先设定的值时，EN降至1.05V以下，在电压锁定保护下触发输入。深圳市润泽芯电子有限公司。

在输入范围为4.5V~18V、JW5361、JW5361M、JW5361F和JW5361FM工作时，通过两个集成的n通道MOSFET提供3A连续输出电流。JW5361、JW5361M、JW5361F和JW5361FM保证了输出短保护、热保护、电流损耗保护和电压锁定下输入的鲁棒性。n通道MOSFET开关集成在JW5361、JW5361M、JW5361F和JW5361FM上，将输入电压下转换为可调节的输出电压。它将输入电压从4.5V到18V的输出电压降至0.765V的输出电压，并能够提供高达3A的负载电流。

JW5223是一个电流模式的单片降压开关调节器。使用输入范围of2.5V-6V，JW5223提供1.2A的连续输出电流。内部的同步电源开关提供了高效率。在轻负荷下，调节器以低频工作，以保持高效率。电流模式控制提供紧密的负载瞬态响应和逐循环电流限制。JW5223通过打嗝输出短路保护、FB短路保护、电流损耗保护、输入电压锁定、热插拔保护和热保护来保证稳健性。可在SOT23-5/SOT23-6软件包中获得。轻负荷下的高效率（>85%)深圳市润泽芯电子有限公司。深圳市润泽芯电子有限公司。短路保护，热防护，热养护。

JW5015A的输入范围为3.6V~40V，通过两个集成的n通道MOSFET提供2A的连续输出电流。JW5015A保证了短路保护、热保护、启动电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。在PFM模式下，开关频率与负载电流成比例地连续控制，即当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化负载电流和输出电压的涟漪。它将输入电压从3.6V到40V调节至低至0.8V的输出电压，并能够提供高达2A的负载电流。深圳市润泽芯电子有限公司。

JW5052S的输入范围为3.7~18V，提供2A的两个集成n通道MOSFET连续输出电流。JW5052S保证了短路保护、热保护、电流损耗保护和电压锁定下的输入的鲁棒性。在PFM模式下，当负载电流下降时，开关频率降低，通过减少开关损耗来提高轻负载下的功率效率，而当负载电流上升时，开关频率增加，最小化输出电压的涟漪。FB引脚的电压调节为0.6V，通过在VOUT和GND之间连接适当的电阻分压器，可以获得设计的输出电压。它将从3.7V到18V的输入电压调节至低至0.6V的输出电压，并能够提供高达2A的负载电流。

JW7726BL是一种同步整流控制器，用于隔离拓扑的二次侧整流，如主动钳折回和CCM/QR/DCM折回。当JW7726BL感知到小于-300mV的MOSFET的Vds时，它会打开MOSFET。当VO低于4.5V（下降）时，JW7726BL可以在SR关闭期间通过连接到SW引脚的内部LDO自行供电，这意味着主侧MOSFET被打开，SW呈正电压。在主动钳翻转和反馈转换器中采用时，它支持所有操作，如DCM、CrCM、（准共振）和CCM。支持主动钳夹反馈，DCM，准共振，和CCM反馈。深圳市润泽芯电子有限公司。