车载充电器（OBC）氮化镓（GaN）驱动（高压高功率）设计（第二篇）

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1、CLLLC变换器

谐振转换器通常在谐振频率或谐振频率附近工作时效率最高。由于这是一个双向电池充电器，这种设计需要覆盖一系列输出电压。这意味着应该选择n，使得转换器在尽可能低的电流下工作。记住，较低的电流意味着较低的I平方r损耗。考虑到这一点，最高输出电流将出现在提供全功率所需的最低输出电压下。我们将在这一点上设置n，使电流尽可能接近谐振。在我的设计中，这是一个1.1比1的匝数比。Lm影响转换器的增益和维持ZVS的能力。在死区时间转换期间，磁化导体中的电流与FET Coss电容谐振。Thi施加到磁化电感的电压与周期之间的关系，我们可以通过估计将实现零电压切换的最大Lsubm。除此之外，我们还有四个参数可供一次谐波分析选择。通过一些合理的假设，我们可以将其归结为一个参数。

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首先，我们将通过匝数比选择等效的初级和次级谐振电感器。第二，我们知道谐振频率已经被选择为500千赫。我们将把这个频率用于初级和次级共振。如果我们这样做，我们可以通过一个因子将谐振电感与磁化电感联系起来，我们称之为k。这意味着我们所需要做的就是选择k，所有其他参数都将自动确定。

在充电和放电模式下工作的CLLLC转换器的工作点曲线。从极轻负载到重负载，突出显示了几种不同的负载条件。一次谐波分析方法在谐振周围是最准确的，并且通常对于非常轻的负载不能很好地工作。在这种情况下，我们希望改变k，以便在我们的操作点上获得尽可能小的操作频率范围。我们还希望防止坡度的变化使系统不稳定。换句话说，我们希望频率的增加导致电压的降低。提供了一些额外的裕度来说明低频下一次谐波分析预测中的潜在误差。现在，在这一点上用模拟来证实这些结果并在必要时进行调整是绝对重要的。一次谐波分析将为您提供一个坚实的起点，但可以保证您需要调整设计，以在整个工作范围内获得最佳性能。

CLLLC转换器通常以频率调制来操作。这意味着主站点半桥腿之间的占空比和相位是恒定的。占空比为50%，然而，在某些情况下，FM控制可能无法提供像电池充电器中那样的宽输出电压要求所需的控制范围。这是由于FM控制将试图在轻负载下驱动开关频率越来越高以保持调节。这可能导致过度损失，甚至失去监管。

2、热管理

相位调制是解决这些问题的一种方法。可以无缝地将控制从FM转换为PM。这样做可以将工作频率限制在某个最大值——在我的情况下是800千赫——并保持调节，同时也可以很好地保持零电压切换。但是，你需要小心。在某些操作点上，ZVS会丢失，而在高频下丢失ZVS会导致大量发热。接下来，让我们看看这种设计的热解决方案。PFC两相的耦合电感器、低频硅MOSFET和GaN FET。初级侧GaN FET半桥以及变压器和次级侧GaN MOSFET半桥。在所有情况下，该解决方案的设计都能从PWB的底侧接近所有重要的发热部件。这一点非常重要，因为我们的冷却解决方案位于板的底部，冷板和一个塑料框架，在需要的地方提供电隔离。可视化GaN FET是如何热连接到冷板的。我们使用了具有高压隔离特性的热界面材料来传递热量。这种锡材料具有1毫米的标称厚度和大约1.2摄氏度/瓦的热阻抗。

总的来说，我们最终得到了一个结论，冷板的热阻抗在每瓦1.35到1.25摄氏度之间。高侧和低侧GaN FET以及高频去耦电容器的放置。这些节点对高频噪声很敏感。它们的灵敏度来自于高侧GaN FET的基准以非常高的频率在0伏和400伏之间切换的事实。这一点，再加上底部靠近冷板，会给噪声耦合到输入端带来问题，并可能导致不必要的开启或关闭。确保PWV底部没有与这些引脚相关的不必要的组件或迹线。现在，让我们把注意力转向去耦电容器。在高侧开启事件期间通过FT的电流路径。通过将去耦电容器放置在板的底侧，并在GaN FET的正下方提供返回路径，我们可以最大限度地减少功率环路的电导。这导致最小的开关损耗和最小的漏极到源极电压过冲。

3、布局

对于PFC和CLLLC，GaN半桥的布局考虑是相同的。总之，第一，有效的低损耗布局必须将去耦电容器放置在尽可能靠近GaN电源引脚的位置；第二，返回路径，电源或接地，在相邻层上，直接在GaN FET下面的一层或多层上。这就产生了尽可能小的环路电感；第三，必须保护GaN开关的输入免受开关噪声的影响。

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4、控制

GaN的控制考虑因素非常重要。更快的转换可以为噪声耦合到反馈中创造更多的机会，并产生不必要的步态驱动抖动。在这种应用中，存在空载瞬态。然而，我们不希望电池中的PFC产生过大的纹波电流。PFC的输出将具有CLLLC控制回路将需要拒绝的强的100赫兹或120赫兹纹波分量。为此，我们需要足够的带宽来确保充电电流是安静的。通常，1到2千赫的带宽就足够了。

在这样的系统中，带宽的最大限制之一是板上的噪声拾取。由于反馈通过次级的许多阶段传播很长的距离，因此在源和感测点过滤噪声至关重要。此外，由于PFC和CLLLC都使用一个控制器，我们希望确保不会将噪声从一个耦合到另一个。作为电池充电器，转换器有时会作为电流源运行，有时会作为电压源运行。让我们先讨论电压反馈。

通常，这种反馈是通过电阻分压器来实现的。由于隔离，我们还必须将该信号转换到隔离边界。我们想在电阻分压器的连接处增加一些去耦电容。然而，我们需要小心，不要添加太多。电容将与电阻器产生拉力。如果拉频过低，由于相位裕度不足，我们将无法实现所需的带宽。如果使用高质量的运算放大器来适当地调节信号，则ADC输入引脚可能被更重地滤波。这种滤波应该直接放置在ADC引脚输入上，或者至少尽可能靠近。电流反馈可能有点不同。这种差异来自于这样一个事实，即电流通常是用低欧姆电阻器感测的。这使得在需要时能够使用更大的电容器。

当从400伏转换到400伏时，如此大的输出电压需要巨大的衰减才能达到微控制器可以感知的水平。该电压通常将在3.3伏左右。为了从系统中获得合理的带宽，补偿器中可能需要30dB或更大的增益。这意味着至关重要的是，感测上的噪声电平尽可能小，并且对信号进行过采样以有效地减少任何信号变化。

在所有情况下，我们都有一个合理的带宽来抑制100或120赫兹PFC输出纹波，并且相位裕度大于45度。GaN是使我们能够实现这种高效率和高密度设计的关键技术。我们讨论了从GaN中提取这些好处的几个实际设计考虑因素。这些考虑因素包括拓扑选择、频率优化、PFC电感器设计、CLLLC槽设计、热管理、布局最佳实践和最佳性能控制。