选型笔记之二极管选型

目录

一、稳压二极管(ZD)

选型相关参数:

稳压原理:

选用原则:

二、肖特基二极管(SBD)

选型相关参数:

工作原理:

选用原则:

三、通用型二极管(PN)

选型相关参数:

工作原理:

选用原则:

三、整流桥(BR)

选型相关参数:

工作原理:

选用原则:

四、二极管在电路中的作用


一、稳压二极管(ZD)

选型相关参数:

1.稳压值(Vz):代表了稳压管的稳压范围

2.进入稳压状态的最小电流,简称拐点电流(Izk)

3.最大功耗(Ptot):稳压功耗计算:Iz=(Vi-Vo)/R(稳压管限流电阻,阻值不可太大,要保证R的最小阻值,使稳压管工作电流工作在最大击穿电流之内),Pz=Iz*Vz

4.阻抗(Zzt):代表了稳压管电压变化和电流变化的比值,阻抗越小,稳压能力越强

5.额定电流(Izt):稳压二极管产生稳定电压时通过的电流值

6.温度系数(TC):温度变化1 oC所引起稳压二极管两端电压的相对变化量

7.反向漏电流(Ir):稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流

稳压原理:

二极管反向击穿后,反向电阻减少,电流增大,电压恒定。

选用原则:

1.适用于稳压值不高,电流要求也不高的场合(一般情况下)

2.选用动态电阻小的稳压管,动态电阻越小,稳压效果越好

3.稳压管的最大稳定电流应高于应用电路最大负载电流的50%

二、肖特基二极管(SBD)

选型相关参数:

1.反向电压(VR):二极管击穿电压(连续值)

2.正向导通压降(VF):肖特基导通时两端的压降(一般肖特基二极管导通压降在0.2-0.4V之间,这是它的特点,选择肖特基要选择压降小的二极管)

3.反向峰值电压(VRms):为避免击穿所能加的最大反向电压(非瞬间值,而是不断反复增加)

4.正向电流(IF):长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值(肖特基正向导通的电流超过该值,则肖特基二极管将被烧)

5.浪涌电流(IFMS):允许流过过大瞬时电流

6.功耗(PD)

7.反向漏电流(Ir):会随温度增大而增大(肖特基二极管的漏电流比一般的二极管要大)

8.反向恢复时间(TRR):可用于反映二极管能使用的最大频率(一般开关二极管比较注意这个参数)

9.工作频率(fm):因为Cd的存在,当工作的频率超过fm时,他的单向导电性会变差。

工作原理:

利用金属与半导体接触面上形成的势垒具有整流特性。主要用于各种低频半波整流,全波整流。

选用原则:

1、对于串联型电源电路肖特基二极管,应选择肖特基二极管大电流,电流与反向工作电压适合肖特基二极管。

2、对于开关型稳压电路用肖特基二极管应选择使用工作频率较高,且反向恢复时司短快恢复型肖特基二极管。而不能使用一般肖特基二极管。

3、对低电压电路应选择使用正问压降肖特基二极管。

4、对于5a以下二极管电路可选择使用一般肖特基二极管。例如应用半桥,全桥整流电路,收录机电源电路对及普通低电压肖特基二极管电路等。

三、通用型二极管(PN)

选型相关参数:

1.反向电压(VR):二极管击穿电压(连续值)

2.正向导通压降(VF):导通时两端的压降

3.反向峰值电压(VRms):为避免击穿所能加的最大反向电压(非瞬间值,而是不断反复增加)

4.正向电流(IF):长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值,最好不要大于该值,否则二极管烧毁

5.浪涌电流(IFMS):允许流过过大瞬时电流

6.功耗(PD)

7.反向漏电流(Ir):会随温度增大而增大

8.工作频率(fm):因为Cd的存在,当工作的频率超过fm时,他的单向导电性会变差。

工作原理:

只允许电流由单一方向通过。

选用原则:

1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管

2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型

3.要求反向击穿电压高时选硅管

4.要求耐高温时选硅管

三、整流桥(BR)

选型相关参数:

1.反向电压(VRRM):最大反向峰值电压

2.反向电压(VRMS):最大反向电压有效值

3.正向压降IF(V)

4.平均整流电流Id(A)

5.正向峰值浪涌电流IFSM(A)

6.最大反向漏电流 IR(A)

工作原理:

整流桥的整流作用是通过二极管的单向导通原理来完成工作的,在每个工作周期内,同一时间只有两个二极管进行工作,通过二极管的单向导通功能,把交流电转换成单向的直流脉动电压。

选用原则:

1.整流桥的反向击穿电压URR应满足下式要求:

2.输入电流有效值为IRMS,整流桥额定的有效值电流为IBR,应当使IBR≥2IRMS。计算IRMS的公式如下:

 式中,Po为开关电源的输出功率,η为电源效率,umin为交流输入电压的最小值,cosφ为开关电源的功率因数,允许cosφ=0.5~0.7。

四、二极管在电路中的作用

1.整流:利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电zhi变换成单一方向的脉冲直流电

2.稳压:稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管,稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上,使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定,在稳压电路中串入限流电阻,使稳压管击穿后电流不超过允许值,因此击穿状态可以长期持续并不会损坏

3.限幅:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内

4.开关:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路

5.防反接:通常用肖特基二极管作为防反二级管。一般情况下,电路板输入电源中都会加二极管来防止电源接反时,而烧毁电路板

6.变容:变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。

7.温度补偿:二极管温度补偿偏置电路中主要利用二极管的的管压降温度特性

8.续流:为了给后面的容性或者感性提供放电的回路,一般和那些负载并联

9.检波:用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。通常用在收音机。

10.触发:双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。

### 非同步 Boost 电路中二极管选型原则 在非同步 Boost 电路设计过程中,二极管的选择至关重要。为了确保电路稳定性和效率,需遵循特定的选型标准。 #### 反向恢复时间 (trr) 对于高频应用场合下的非同步 Boost 转换器而言,反向恢复时间为关键因素之一。快速开关频率会使得传统硅整流二极管难以满足需求,应优先选用具有较低 trr 的肖特基势垒二极管或快恢复二极管来减少损耗并提高转换效率[^2]。 #### 正向压降 (VF) 正向导通时产生的电压降 VF 对于整个系统的能量损失有着直接影响。通常情况下,肖特基二极管由于其低 VF 特性而成为首选组件;然而,在某些高耐压环境下可能需要权衡其他类型的高性能二极管以平衡性能与成本之间的关系。 #### 最大工作温度范围 考虑到实际应用场景中的环境条件变化以及内部发热情况,所选二极管的最大允许结温应当留有足够的安全裕度。一般建议选择额定最高结温高于预期运行条件下可能出现峰值温度的产品规格型号[^3]。 #### 开关速度和寄生参数 除了上述基本电气特性外,还需关注二极管本身的开关响应速率及其固有寄生电容等因素对整体动态行为造成的影响。特别是在高速 PWM 控制方式下工作的升压变换器里,这些细节可能会显著影响到最终输出质量及稳定性表现[^4]。 ```python # Python 示例代码用于计算不同二极管类型下的功率损耗差异 def calculate_power_loss(diode_type, current): if diode_type == "schottky": vf = 0.3 # 假设肖特基二极管平均正向压降为 0.3V elif diode_type == "fast_recovery": vf = 0.8 # 快恢复二极管典型值约为 0.8V power_loss = current * vf return power_loss ```
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