硬件学习笔记之电容选型之C0G，X7R

硬件学习笔记之电容选型

前言：
为什么要对电子硬件中的一些基础电路进行整理和设计，我认为无论什么电路都需要电阻电容BJT等基础器件构成的，所以如果对他们不熟悉，那怎么能设计出想要的电路呢。
之前我们已经分享过电阻的选型如果有兴趣的同学可以看前面的总结：
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120246814
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120251862
https://blog.csdn.net/waoshiwerr/article/details/120252734
希望能对大家有帮助
一.电容容值的分享
和之前的电阻一样，我们对于电容也有两种形式的电容一种是插件式一种是贴片式的电容，插件的电容上基本上都会有参数和类型。贴片上一般是不会显示电容的容值和公差还有温度系数，基本上会在手册中提到。
下面我们先来看第一组数据：
104，前两个为数值，后一个则表述倍数，而电容的一般单位为微法即uF，104的意思就是10*104次方uF。
电容的电位从大到小依次为F，mF，uF,nF,pF。依次的为上一个的1000。
相信到这里大家应该都有了一定的印象。
下面介绍一下电容全面的标注：11uf/x7R/1210/10%@6V
首先我们已经知道了第一个11uf的意义下面是x7R很多人可能对这个不是太收悉，这个是电容的一个温度指标在其上面一层还有C0G的问题
具体解释这个问题之前，我们来介绍一些电容的三个等级class 1，class 2，class3.后面的数字越小代表精度越高
C0G便是属于第一个class1级别的电容。
我没有在网上找到几个关于这个等级介绍完备的图片
我先介绍一下C0G的含义：
C代表0，0代表倍数10的零次方G代表正负30ppm
从这个数据可以看到他良好的温度特性
介质材料划分按容量的温度稳定性可分为三类：

超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；

稳定级（II类）的介质材料为X7R、X5R；

能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V、Z5U;

NPO（COG）是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X5R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+85℃时其容量变化为15%。

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，正常工作温度范围在-30℃ — +85℃，对应的电容容量变化为：+22~-82%， 介质损耗 最大4%。

Z5U电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,正常工作温度范围在+10℃ — +85℃，对应的电容容量变化为：+22~-56%， 介质损耗 最大4%。
我们一般选用的电容基本上都是x7R和x5R基本上属于第二梯度的电容，class1系类的电容一般都比较贵。
适用场合
class1使用于晶振电路。
class2一般是开关电源电路。
总结：
为什么我们要考虑温度的影响，首先我们先明白一点。温度会影响电容的容值，温度的变化会使容值下降。首先电容本身有一个公差，在整个公差的下，又会收到温度的影响，容值又会进一步的下降。之后还有电压特性的问题，电压对电容是有影响的，当在额定电压时的容值和在比额定电压低的时候，他的容值也是变化的，同时还有时效的问题，当时间久了之后电容会面临容值的下降甚至失效，所以到最后电容的值会变化的非常大。