东芝存储器株式会社开发出搭载QLC技术的96层BiCS FLASH

东京--(美国商业资讯)--存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，公司已成功开发出其享有专利的3D闪存——96层BiCS FLASH™的原型样品，该产品采用四位元（四阶存储单元，QLC）技术，可将单芯片存储器的存储容量提升至最高水平。

 

自9月初起，东芝存储器株式会社将开始向SSD和SSD控制器制造商交付样品供其进行评价，预计批量生产将于2019年启动。

 

QLC技术的优点在于实现每存储单元数据位数从3位元到4位元的提升，实现了存储容量的显著提高。该新产品在与西部数据公司联合开发的单芯片中实现了1.33太比特的业界最大存储容量 [1]。

 

此外，该产品还在采用单一封装的16芯片堆叠式结构中实现了无与伦比的2.66TB存储容量。随着社交网站的普及和物联网的发展，移动终端等设备产生的海量数据不断增加，实时分析和利用数据的需求预计将大幅增加。因此，需要速度快于HDD且存储容量更大的存储器，而使用96层工艺技术的QLC产品即是一种解决方案。

 

该新器件封装成型的原型机将在8月6-9日于美国加州圣克拉拉举行的2018年闪存峰会上亮相。

 

未来，东芝存储器株式会社将继续提高存储器的存储容量和性能，并开发满足各种市场需求的3D闪存，包括快速扩张的数据中心存储器市场。

 

注：
1.资料来源：东芝存储器株式会社，截至2018年7月20日。

 

关于东芝存储器株式会社
作为存储器解决方案全球领导者，东芝存储器株式会社致力于闪存和SSD的开发、生产和销售。2017年4月，东芝存储器株式会社从东芝公司完成拆分，后者于1987年发明了NAND闪存。东芝存储器株式会社开创性地开发出了一系列尖端的存储器解决方案和服务，丰富了人们的生活，并扩大了社会的视野。该公司创新的3D闪存技术BiCS FLASH™将对先进智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等高密度应用领域存储器的未来产生深远影响。