随着技术进步，3D NAND Flash层数从64层增长到超过200层。更高的层数能提升存储容量、读写速度，但也增加制造难度和干扰问题。SK海力士的238层NAND成为目前最高层数，提供更高的存储密度和效率。尽管层数并非越高越好，但供应商持续追求技术突破。
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专栏 《深入理解NAND Flash》
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前言
在过去的两年中，闪存技术已经从64层发展到超过200层的堆叠结构， 现在发展到多少层了？层数增加除了降低成本以及单个芯片更大容量以外，堆叠层数的增加能带来什么性能上的好处？
NAND 层数越高越好吗？
你说盖房子越高越好吗， 不一定吧。那对 NAND Flash 而言呢？
在一定程度上，3D NAND Flash的层数越高，存储容量和性能都有可能提升。更高的层数意味着更多的储存单元可以被垂直堆叠在同一芯片上，从而提高存储密度。这样可以在相同物理空间内存储更多的数据。简单理解就是： 芯片的成本是和面积成正比的，同样的面积可以生产出更多的存储容量， 成本没有增加， 卖的价格可以更好。
此外，更高的层数还可以提高读取和写入
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