目录
电容的基本概念
电容是一种能够存储电荷的被动电子元件,由两个导体极板和中间的绝缘介质组成。其基本特性是存储电场能量,其核心功能是 “充放电” 和 “隔直通交”。
定义公式:
电容值 的定义为:
其中 为存储的电荷量,
为两极板间的电压。
单位:
- 国际单位:法拉(F)
- 常用单位:毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)、皮法(pF)
1F=1000mF
1mF=1000μF
1μF=1000nF
1nF=1000pF
1F=mF=
μF=
nF=
pF
容抗公式(交流电路):
绝对值为 ,可用于直接计算
复数形式为
-
:容抗/阻抗(Ω)
-
:频率(Hz)
-
:电容值(F)
-
j 为虚数单位,ω=2πf 为角频率
电容的工作原理
电容通过电场存储能量。当电压施加到电容两端时,正负电荷分别聚集在两个极板上,形成电场。
充放电过程:
- 充电:电容连接到电源时,电荷逐渐积累,电压上升,电流逐渐减小至零。
- 放电:断开电源后,电容通过外部电路释放存储的电荷。
电容充放电电路图
电容的分类及符号
按介质分类
1. 电解电容
- 特点:具有极性(需注意正负极),容量大(μF~F级),耐压较高,但高频性能差。
- 子类:
- 铝电解电容:成本低,体积大,寿命较短(受电解质蒸发影响)。
应用:电源滤波、低频旁路。 - 钽电解电容:体积小,稳定性高,ESR低,但耐压较低且成本高。
应用:精密电路、高频滤波。 - 固态电解电容:使用导电聚合物电解质,寿命长,高频性能好。
应用:主板、显卡等高可靠性场景。
- 铝电解电容:成本低,体积大,寿命较短(受电解质蒸发影响)。



2. 陶瓷电容
特点:无极性,体积小,高频性能优异,但容量较小(pF~μF级)。
子类(按介质材料与温度特性分类(EIA标准)):
需要高频、低温漂或高精度时选NPO;若需大容量且可接受一定容差,优先考虑X5R/X7R。
Ⅰ类陶瓷电容(Class I)
-
材料:钛酸镁(MgTiO₃)、钛酸锶(SrTiO₃)等,介电常数较低(K < 100)。
-
特性:
-
超高稳定性:温度系数小(接近零),频率特性优异。
-
低损耗:适用于高频、高精度电路。
-
容值范围:通常较小(0.1pF ~ 1μF)。
-
-
常见型号:
-
COG(NP0):温度系数 ±0ppm/℃,全温度范围(-55℃~125℃)容值几乎不变,适合极端环境。
-
U2J:温度系数 -750ppm/℃,用于精密滤波。
-
-
应用场景:
-
高频电路(射频、振荡器、匹配网络)。
-
定时电路(RC时间常数要求稳定)。
-
精密仪器(如医疗设备、测试仪器)。
-
Ⅱ类陶瓷电容(Class II)
-
材料:钛酸钡(BaTiO₃)基材料,介电常数高(K > 1000)。
-
特性:
-
高容量体积比:容值较大(1nF ~ 100μF),但温度稳定性较差。
-
非线性温度特性:容值随温度变化明显。
-
中等损耗:适合中低频电路。
-
-
常见型号(嵌入式开发板上大部分0603、0402的贴片电容都是X7R或X5R,高频处可能是COG):
-
X7R:温度范围 -55℃~125℃,容值变化 ±15%。
-
X5R:温度范围 -55℃~85℃,容值变化 ±15%。
-
Y5V:温度范围 -30℃~85℃,容值变化 +22%/-82%(稳定性差),耐压可达2kV。
-
-
应用场景:
-
电源滤波(去耦电容)。
-
通用电路(旁路、耦合)。
-
消费电子产品(手机、电脑主板)。
-
子类(按封装形式):
多层陶瓷电容(MLCC,Multi-Layer Ceramic Capacitor)
-
结构:多层陶瓷介质与电极交替叠压,体积小、容值高。
-
优势:
-
主流贴片封装(如0402、0603、0805)。
-
适用于高频和高密度电路。
-
-
应用:高频滤波、去耦、信号耦合。
单层陶瓷电容(瓷片电容)
-
结构:单层陶瓷介质,引线直插式。
-
优势:耐高压(可达kV级),高频损耗低。
-
应用:高压电源、射频功率放大器、高压电路、谐振回路。


3. 薄膜电容
- 特点:无极性,耐压高,温度稳定性好,容量范围宽(nF~mF级)。
- 子类(按薄膜材料):
- 聚酯薄膜电容(PET) :也称涤纶电容,成本低,但温度稳定性一般。
- 聚丙烯薄膜电容(PP/CBB) :高频损耗小,适用于交流电路。
- 聚苯硫醚薄膜电容(PPS) :耐高温,精度高。
- 聚四氟乙烯电容(PTFE): 超宽温,超低损耗,价格昂贵。
- 聚碳酸酯电容(PC):容值稳定性高,耐湿热性能好(已逐渐被PPS替代)。
- 子类(按电极结构):
- 金属箔薄膜电容:耐大电流, 高可靠性。
- 金属化薄膜电容:自愈特性(击穿后局部修复)。
应用:电机驱动、电源逆变器、音频电路。

4. 云母电容
- 特点:高频性能极佳,稳定性高,但容量小(pF~nF级),成本高。
- 应用:高频振荡电路、射频滤波。

5. 纸介电容
- 特点:老式电容,易受潮,已被薄膜电容取代。
按结构特性分类
1. 固定电容
- 容量不可调,如上述电解电容、陶瓷电容等。
2. 可变电容
- 特点:容量可手动或自动调节。
- 子类:
- 空气可变电容:通过调整极板间距改变容量,用于老式收音机调谐。
- 薄膜可变电容:通过旋转改变极板重叠面积。
- 变容二极管:利用PN结电容随反向电压变化的特性。
应用:射频调谐、压控振荡器(VCO)。
3. 超级电容(双电层电容/法拉电容)
- 特点:无电解质,通过物理吸附电荷储能,容量极大(法拉级),可快速充放电。
- 应用:储能系统、后备电源、电动汽车能量回收。

按用途功能分类
1. 滤波电容
- 用于滤除电源或信号中的噪声,如铝电解电容(低频)和陶瓷电容(高频)。
2. 耦合电容
- 传递交流信号,隔离直流分量,常用陶瓷或薄膜电容。
3. 旁路电容
- 为高频噪声提供低阻抗通路,常用MLCC。
4. 谐振电容
- 与电感组成LC谐振回路,如瓷片电容。
5. 安规电容
- X电容:跨接在火线与零线间,抑制差模干扰,常用金属化薄膜或陶瓷介质电容。
应用:电源输入滤波(如AC-DC转换器)
- Y电容:跨接在火线/零线与地间,抑制共模干扰,常用陶瓷或聚丙烯薄膜电容。
应用:电源接地保护、EMI滤波
- 要求:需通过安全认证(如UL、IEC)。

按工作频率分类
- 高频(MHz~GHz) :NPO/COG陶瓷电容、云母电容。
- 中低频(kHz~MHz) :X7R陶瓷电容、薄膜电容。
- 超低频(Hz~kHz) :电解电容(<100kHz)。
特殊类型电容
1. 贴片电容(SMD)
- 表面封装,体积小,适合自动化生产,如MLCC、钽电容。


2. 功率电容
- 耐大电流,用于电力电子设备,如薄膜电容。
3. 穿心电容
- 通过金属外壳接地,抑制高频干扰,用于射频电路屏蔽。

4. 温度补偿电容
- 容量随温度变化可抵消电路参数漂移,如NPO陶瓷电容。
电容的主要参数
- 标称容量:电容的额定值(如10μF)。
- 耐压值:允许的最大工作电压(如25V)。
- 等效串联电阻(ESR) :电容内部电阻,影响高频性能。
- 温度系数:容量随温度变化的特性。
电容的串并联计算
- 并联:总容量
- 串联:总容量
电容的典型应用电路
1. 滤波电路
作用:平滑直流电压,滤除电源或信号中的高频噪声。
滤波电路的核心是**“阻抗匹配”** 和**“频段选择”** :
- 电源滤波:铝电解 + 陶瓷电容组合,覆盖宽频段噪声。
- 精密信号滤波:C0G/NP0电容 + 低温度系数电阻。
- 高频射频滤波:NPO/微波陶瓷电容 + 高Q值电感。
2.旁路
经典应用:
- 高频信号电路
- 电容选择:NPO/COG陶瓷电容(1~100nF),低ESR且高频特性优异。
- 场景:射频模块、高速信号线(如USB、HDMI)、时钟电路。
- 电容选择:NPO/COG陶瓷电容(1~100nF),低ESR且高频特性优异。
-
放大器的电源净化
- 场景:运算放大器、射频放大器的电源引脚旁。
- 目的:防止电源噪声通过放大器传递到信号链中。
3.退耦
作用:消除电源线上的噪声干扰。
- 典型电容:
- 电解电容(如铝电解):大容量(μF~mF级),滤低频噪声。
- 陶瓷电容(X7R/X5R):中高频去耦(100nF~10μF)。
- NPO/COG电容:高频去耦(pF~nF级,GHz级电路)。
经典应用:
-
数字芯片电源旁路
- 位置:直接并联在芯片的电源引脚(VCC)和地(GND)之间。
- 案例:
- CPU、FPGA、MCU等数字芯片的每个电源引脚旁。
- 常见配置:0.1μF陶瓷电容(滤高频)+ 10μF电解电容(补低频)。
-
开关电源与DC-DC转换器
- 作用:抑制开关管(MOSFET)通断产生的高频纹波。
- 配置:输入/输出端并联多层陶瓷电容(MLCC)或钽电容。
4.耦合
作用:隔断直流,传递交流信号(如音频电路)。
典型电容:
- 薄膜电容(聚酯/聚丙烯):低失真,用于音频电路。
- 陶瓷电容(X7R/NPO):小信号高频耦合。

5. 定时电路
作用:与电阻组成RC电路,控制时间常数。
RC时间常数τ=R×C
典型电容:
- NPO/COG电容:高精度、低温漂(±1%误差)。
- 云母电容:超稳定,用于高频振荡器。
6. 储能电路
作用:短时间内提供大电流(如相机闪光灯)。
典型电容:
- 电解电容:大容量储能(如电源断电保护)。
- 超级电容:超高容量(法拉级),用于替代微型电池、断电保护、太阳能储能等。
7.调谐
作用:与电感组成LC谐振电路(如射频匹配、天线调谐)。
典型电容:
- 空气可变电容:手动调谐(如老式收音机)。
- NPO/微波陶瓷电容:低损耗、高Q值。
选型与注意事项
-
极性:电解电容需注意正负极方向。
-
温度范围:高温环境需选择高温电容。
-
耐压值:额定电压需高于电路最大电压的1.5倍。
-
温度稳定性:高温环境选X7R或NP0材质。
-
ESR与频率:高频电路选择低ESR电容。
-
尺寸:根据PCB空间选择封装。
选型关键因素
-
工作频率:
- 高频(MHz~GHz) :NPO/COG陶瓷电容、云母电容。
- 中低频(kHz~MHz) :X7R陶瓷电容、薄膜电容。
- 超低频(Hz~kHz) :电解电容。
-
电压与容量需求:
- 高压(>100V) :薄膜电容、高压陶瓷电容。
- 大容量(>1μF) :电解电容、超级电容。
- 小容量精密:NPO/COG、云母电容。
-
温度与环境:
- 高温环境:选择X7R(-55℃~+125℃)或NPO(更宽温)。
- 高湿度/震动:固态电解电容(防爆)、环氧树脂封装薄膜电容。
-
频率响应匹配
- 电容的阻抗随频率变化,需覆盖噪声频率范围。
- 自谐振频率(SRF):选择SRF高于目标噪声频率的电容(例如100MHz噪声需SRF>100MHz的电容)。
-
尺寸与成本:
- 微型化:贴片陶瓷电容(0402/0201)。
- 低成本:铝电解电容、X7R陶瓷电容。
常见电容类型及适用场景
电容类型 | 核心特性 | 典型应用场景 | 注意事项 |
---|---|---|---|
铝电解电容 | 容量大(μF~F)、耐高压、成本低 | 电源滤波、低频储能(如电源适配器) | 寿命有限(温度敏感)、有极性,易漏电 |
钽电解电容 | 体积小、ESR低、稳定性优于铝电解 | 精密电源去耦(如手机主板) | 耐压较低、价格高、极性接反易爆炸 |
陶瓷电容(X7R/X5R) | 中容量(nF~μF)、温度稳定性一般 | 中频去耦、一般滤波(如数字电路) | 容量随电压/温度变化明显(避免精密场合) |
陶瓷电容(NPO/COG) | 超低损耗、高精度、温度系数接近0 | 高频电路、射频匹配、振荡器(如5G模块) | 容量小(pF~nF级)、价格较高 |
薄膜电容(聚丙烯) | 低损耗、高耐压、无极性 | 电机驱动、逆变器、音频耦合(如功放) | 体积较大,不适合高频(MHz以上) |
云母电容 | 超高Q值、耐高压、稳定性极佳 | 高频谐振、高压脉冲(如雷达、医疗设备) | 容量小(pF级)、价格昂贵 |
超级电容 | 容量极大(法拉级)、充放电快 | 备用电源、能量回收(如智能电表) | 电压低(通常≤5V)、需平衡电路 |
安规电容(X/Y类) | 抗高压冲击、抑制EMI | 电源入口滤波(如开关电源AC输入端) | 必须符合安全认证(如UL、IEC) |