gmid曲线简单应用

gmid曲线绘制

参考Cadence模拟CMOS集成电路设计视频

gm/Id设计步骤

1. 决定gm（eg：GBW=gm/2ΠCL，单级运放）
   计算时CL取实际值的1.2~1.4倍
2. 选一个合适的L
   高速选择短沟道；高本证增益选择长沟道
   (可根据gmro——gm/Id的曲线来选择需要的L值)
3. 选择gm/Id（或者ft）
   大gm/Id，用于低功耗，低过驱动电压
   小gm/Id，用于高摆幅
4. 由gm以及gm/Id决定电流
5. 有gm/Id——Id/W曲线查找符合上一步所需的电流密度Id/W，进而计算出W的值

gm/Id设计实例

绘制出(gm/id)*ft随gm/id的变化曲线：
PMOS如下，可以看到当gm/id的值在8~12之间时，(gm/id)与ft的乘积值比较大。gm/id表示电流效益，ft表示速度，即gm/id的值在8-12之间时，电流效益和速度的效果最好(个人理解，可能不太正确)

NMOS曲线如下，gm/id在5~11之间效果最好(个人理解)

电路图

五管运放，电流镜偏置尾电流

• 由GBW=gm/(6.28xCL)，得到gm=100MHzx6.28x24pF=15mA/V
• 选取PMOS管的gm/Id为10，则得到Id=gm/10=1.5mA

计算输出对管PMOS的宽度：
取输入对管的L为0.1u，从PMOS管的Id/W——gm/Id的曲线获得，当gm/Id的值为10时，电流密度值为63.38左右，即Id/W=63.38，所以W=Id/63.38=1.5mA/63.38=23.667um，即输入对管的宽度W为23.667u
(Mul的值为6，因为当Mul为1时，计算得到的W值很大，所以需要把Multi值增大，这样计算得到的W值会小很多)

计算NMOS有源电流镜MOS管宽度
取长度L值为0.1u，从NMOS管的Id/W——gm/Id的曲线得到，当gm/Id为7时，电流密度值为85.544左右，即Id/W=85.544，所以W=Id/85.44=1.5mA/85.544=17.535um，即输入对管的宽度W为17.535u
(注意，Multipler值为2)

计算尾电流源PMOS的宽度
取长度L值为0.2u(L增大，ro增大)，取PMOS的gm/Id的值为10，其流过的电流值约为3mA，即Id=3mA。从PMOS管的Id/W——gm/Id的曲线获得，当gm/Id的值为10时，电流密度值为71.3685左右，即Id/W=71.3685，所以W=Id/71.3685=3mA/71.3685=42um，即输入对管的宽度W为42u
(注意：Multiplier=12)
[或者简单的同输入管PMOS的尺寸，只需要把m增加2倍]

电流镜支路PMOS尺寸
其尺寸同PMOS尾电流源，这样参考电流值需要为3mA，等比例复制。
这里将其m缩小为PMOS尾电流源的一半，这样参考电流Iref只需要为1.5mA即可。
最后电路中的器件参数如下：

电路性能仿真

1.将电路图生成symbol


2.搭建测试电路
差分输入的AC magnitude的值设为1，即Vip-Vin=1，则ac仿真的输出电压值即表示增益【A=Vout/(Vip-Vin)=Vout/1=Vout】

3.测试电路性能
仿真设置，选择适当的电源电压和输入共模电压，使得所有管子工作在饱和区，点击运行按钮进行仿真

GBW仿真结果

通过gainBwProd函数获得





可在输出列表方便地查看GBW的大小，GBW值为96MHz左右，基本符合设计指标100MHz

也可通过输出曲线来观察GBW的值，即增益大小为1(若dB为单位，则为0)时的频率大小

直流仿真结果

Annotate参数

直接在电路图显示直流参数


可以看到，MOS管均工作在饱和区(region=2)，且电流大小均符合要求
修改/增加annotate显示的参数
右击电路图空白的地方——Annotations——Setup


如果增加不了，可能是工艺库里该器件的symbol里显示有限，需要修改一下：

print参数

然后用鼠标点击需要观察的器件，会弹出该器件的所有参数，这里选择的NM1器件，可以看到，其gmoverid的值为7.14348，与设计的值很接近