gmId学习

绘制出MOS管的gmId的相关曲线

  1. 搭建原理图
    以NMOS为例,将Vdc设置为VDD/2,也就是0.6V,MOS管的栅极电压设置为变量VGS,MOS管的长度设置为变量L
    在这里插入图片描述
  2. 设置 ADE
    添加变量,设置变量值L为200n,VGS为300mV
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    设置DC仿真,如下所示
    在这里插入图片描述
    运行之后,可以从Results——Annotate——DC Operating Points查看直流工作状态,
    在这里插入图片描述
    从Results——Print——DC Operating Points显示所有参数,
    从Tools——Results Browser查看器件参数值:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    以上看到的均是在VGS=300mV,L=200n下的参数
  3. 绘制VGS在不同电压时MOS管的参数
    在工作路径下新建一个scs文件,例如save.scs,在该文件中写入:save 器件名:all
    在这里插入图片描述
    在ADE中添加该文件:
    在这里插入图片描述在这里插入图片描述
    重新仿真,即可保留所有的直流工作参数。
    在Tools——Results Browser中可以看到:
    在这里插入图片描述
  4. 设置需要输出的变量
    1> 建立gmid的值:
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述
    在打开的计算器中选择:
    在这里插入图片描述
    选择需要的数据NM0:gmoverid,右键——Calculator调入到Setting Outputs里边
    在这里插入图片描述
    在Setting Outputs对话框里选择“Get Expression”,点击OK,实现gmid的添加:
    在这里插入图片描述
    2> 添加截止频率ft的表达式 ft=gm/(cgg*2pi)
    先清除计算器的表达式
    在这里插入图片描述
    先选中gm,右键——calculator,在选中cgg——右键——calculator,此时计算器里显示的是cgg,先让cgg乘以2Π,也就是6.28:
    在这里插入图片描述

再用鼠标点击“/”,就变成了gm/(6.28*cgg):
在这里插入图片描述
同样在Setting Outputs里点击“Get Expression”,然后点击“Add”,完成ft的添加:
在这里插入图片描述
3> 添加本征增益gmro
表达式为gm/gds,添加步骤同上
4> 同理,添加电流密度IdoverW=Id/W
注意,W在“instance——NM0”里边
在这里插入图片描述
此时ADE的output里会出现自己定义的四个参数:
在这里插入图片描述
5. 绘制ft随gmid变化的曲线
1> 先单独plot出gmid和ft的曲线:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
2> 修改横纵坐标,使得gmid为横坐标:右击横坐标,选择“Y vs Y”,选择gmid为横坐标,得到ft随gmid变化的曲线:
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
同理得到gmro随gmid的变化曲线,IdoverW随gmid的变化曲线,以上得到的只是L为固定值时的曲线
6. 绘制L变化时的曲线
打开参数扫描,设置L为变量
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
将其保存在ocean脚本中:
在这里插入图片描述
将名称修改为gmid.ocn,点击ok:
在这里插入图片描述
将脚本进行更改:把自带的四个plot删除掉
在这里插入图片描述
添加以下语句:
在这里插入图片描述
保存:Shift+:,wq!,回车:
在这里插入图片描述
在CIW里输入load(“gmid.ocn”),回车运行:
在这里插入图片描述
即可得到想要的曲线:
在这里插入图片描述

### Cadence GMID 的概念及相关问题 GMID 方法是一种用于 CMOS 设计的有效工具,特别是在现代短沟道器件中传统经验公式的适用性降低的情况下。这种方法通过分析 MOSFET 的 \( g_m \) 和 \( I_d \) 来简化设计过程并提高精度[^2]。 #### 什么是 GMIDGMID 是指晶体管跨导 (\( g_m \)) 与漏极电流 (\( I_d \)) 的比值。其核心思想是利用这一比例关系来消除工艺参数的影响,从而更精确地选择合适的过驱动电压 (Vov),进而优化电路性能指标如特征频率、本征增益和电流密度等。 #### GMID 曲线的作用 GMID 曲线通常由仿真软件生成,例如 Cadence 中的 Spectre 或 HSPICE 工具。这些曲线展示了不同栅长下 \( f_t \)(特征频率)、\( A_v \)(本征增益)以及电流密度随 GMID 变化的趋势。设计师可以通过查阅这些预定义好的曲线快速找到满足特定需求的设计点,而无需反复调整每个晶体管的具体尺寸。 以下是实现 GMID 流程的一些关键步骤: 1. **建立模型** 使用先进的 SPICE 模型对目标技术节点下的标准单元库进行建模。这一步可能涉及 PSP 或 HBSP 设置以支持大信号 S 参数仿真[^3]。 2. **运行参数扫描** 配置 Sweep 功能模拟各种条件下的行为表现,比如温度变化或者电源波动情况下的响应特性。此阶段需特别注意边界条件的选择以便覆盖实际应用场景中的极端状况。 3. **提取数据并绘图** 将所得结果整理成易于理解的形式——即所谓的 “GMID 图表”。它们直观反映了各个重要电气属性之间的相互依赖关系,便于后续决策制定过程中参考使用。 4. **验证设计方案** 基于上述图表选定初步候选方案之后还需进一步细化校验直至最终定稿为止。期间可能会经历多轮迭代修正直到达成预期效果为止。 下面给出一段简单的 Python 脚本来演示如何自动化处理部分重复性的计算任务: ```python import numpy as np def calculate_gmid(vgs, vth, k_n): """ Calculate the transconductance over drain current ratio. Parameters: vgs (float): Gate-to-source voltage. vth (float): Threshold voltage of the transistor. k_n (float): Process parameter Kn'. Returns: float: The calculated Gm/Id value. """ id = k_n * ((vgs - vth)**2) gm = 2 * k_n * (vgs - vth) return gm / id if id !=0 else None # Example usage with hypothetical values example_data = { 'vgs': 1.8, 'vth': 0.7, 'k_n' : 1e-4 } result = calculate_gmid(**example_data) print(f"Gm/Id Ratio is {result}") ``` 以上脚本仅作为示例展示基本逻辑框架;真实项目环境中建议结合具体EDA平台API接口调用来完成更加复杂的操作流程管理等工作内容。
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