cadence——MOS晶体管I-V特性曲线仿真

已于 2022-04-22 15:07:16 修改
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文章标签： 硬件工程
于 2022-04-22 11:32:16 首次发布
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MOS晶体管I-V特性曲线仿真


目标：使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真)
流程：

  1. 新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg，漏极电压设为变量Vd
    在这里插入图片描述

  2. 打开ADEL，点击Variables——Copy From Cellview添加变量；并选择dc仿真，对Vd进行扫描
    在这里插入图片描述

  3. 以Vg作为参变量进行仿真，点击Tools——Parametric Analysis进行设置
    在这里插入图片描述
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  4. 选择漏极电流作为输出，进行仿真即可得到I-V特性曲线
    在这里插入图片描述

  5. 仿真绘制MOS管的输入特性曲线
    将Vd值设为1.2V，在dc仿真设置里，把变量改为Vg
    在这里插入图片描述
    点击运行按钮即可得到输入特性曲线，即输出电流Id随输入电压Vg的变化曲线
    在这里插入图片描述

  6. 观察MOS晶体管参数
    点击Rsults——print——DC Operating Points
    在这里插入图片描述
    在弹出的原理图中点击MOS管，即可看到MOS管的参数
    在这里插入图片描述

xiaoyue_cmq
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