MOS晶体管I-V特性曲线仿真
目标:使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真)
流程:
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新建原理图,将MOS管的栅极电压设为变量Vg,漏极电压设为变量Vd
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打开ADEL,点击Variables——Copy From Cellview添加变量;并选择dc仿真,对Vd进行扫描
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以Vg作为参变量进行仿真,点击Tools——Parametric Analysis进行设置
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选择漏极电流作为输出,进行仿真即可得到I-V特性曲线
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仿真绘制MOS管的输入特性曲线
将Vd值设为1.2V,在dc仿真设置里,把变量改为Vg
点击运行按钮即可得到输入特性曲线,即输出电流Id随输入电压Vg的变化曲线
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观察MOS晶体管参数
点击Rsults——print——DC Operating Points
在弹出的原理图中点击MOS管,即可看到MOS管的参数