61. #Thermal Interface Material (TIM)# - 热界面材料,用于改善热传导的材料。
62. #Underfill# - 底部填充,一种用于增强芯片封装结构的材料。
63. #Ball Grid Array (BGA)# - 球栅阵列,一种集成电路封装技术。
64. #Lead Frame# - 引线框架,用于集成电路封装的金属框架。
65. #Wafer Level Packaging# - 晶圆级封装,直接在晶圆上进行的封装过程。
66. #Flip-Chip# - 倒装芯片,一种将芯片倒置并直接与基板互连的封装技术。
67. #Probing# - 探针测试,用于检测晶圆上单个芯片的性能。
68. #Burn-in Test# - 老化测试,长时间运行设备以检测潜在的故障。
69. #Junction Temperature# - 结温,半导体器件内部PN结的温度。
70. #Thermal Cycle# - 热循环,指温度的周期性变化。
71. #Relaxation Oscillator# - 松弛振荡器,一种产生周期性输出的电路。
72. #Spectroscopy# - 光谱学,研究物质与光相互作用的科学。
73. #Doppler Effect# - 多普勒效应,波源和观察者相对运动时波长的变化。
74. #Quantum Well# - 量子阱,一种限制电子在一定空间内的半导体结构。
75. #Quantum Dot# - 量子点,一种非常小的半导体结构,其尺寸接近电子的德布罗意波长。
76. #Molecular Beam Epitaxy (MBE)# - 分子束外延,一种用于生长单晶薄膜的技术。
77. #Chemical Vapor Deposition (CVD)# - 化学气相沉积,一种在基底上沉积薄膜的技术。
78. #Epitaxy# - 外延,一种生长单晶薄膜的方法。
79. #Silicon Carbide (SiC)# - 碳化硅,一种用于高温和高频应用的半导体材料。
80. #Gallium Nitride (GaN)# - 氮化镓,一种用于高功率和高频应用的半导体材料。