ISO3082DWR手册分析

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已于 2023-08-18 13:41:29 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2023-07-17 16:59:26 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/soul__master/article/details/131764731

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先是介绍了一些基本特性，20M波特率，支持最多256个节点（感觉悬），过温保护，低总线电容，50 kV/μs典型瞬态抗扰度，总线断开、短路、空闲的故障保护接收器，ESD保护等等。

这里介绍了不同型号有全双工和半双工模式，还有就是设备是带隔离的设备，介绍了隔离的好处，有更宽的共模电压范围，能保护其他设备不受到干扰损害。

内部的话差不多，可以看到B端是一个非门，则TxD输出高电平时，A端输出高电平，B端输出低电平，实现差分信号的输出。反之亦然，当作为输入时，A端输入高电平，B端输入低电平，RxD输出就为高电平。

但是输出采用的是斯密特触发器，好处就是斯密特触发器有一个死区，当输入电压处于死区时，输出电平保持之前的状态，这样可以允许输入在高低电平阈值之间有一些波动而不会影响通信质量。当然如果输入波形很好，也没什么影响。

引脚的话没什么特殊的，就通讯脚、使能脚、电源脚。

VCC1有两种工作模式4.5~5.5V，3.15~3.6V。

输出电压跟VCC1不同而有所不同。

电流大小，可留一点余量，总线端为隔离后的电源，修改负载提高电流能力，大概30mA够了。

这里介绍了高阻态的高低电平和高低电平到高阻态的延迟，都挺小的。

电流跟负载和波特率的关系。

这里介绍了一些什么距离，应该是两个节点之间的最短距离吧，感觉实际上应该不会有这么短的距离。还有一个就是寄生电容吧，很小，基本上可以不用考虑。

输入输出真值表，有一点比较特殊，就是输入为-0.2V<Vid<-0.01V时，RE非为L，为使能状态，此时R是未知状态，可能会出现传输异常。所以要是AB端处于已知状态，要给A端加上拉电阻，B端加下拉电阻。

这里给了推荐上下拉电阻为1~10kΩ，去耦电容100nF。

这里建议加滤波电容0.1μF给电源，保证电源的一个稳定性。

这里给了一些布局的建议：

层堆叠应按以下顺序（从上到下）：高速信号层、接地平面、电源平面和低频信号层。
在高速信号层旁边放置一个固体接地平面，为传输线互连建立了受控阻抗，并为回流提供了一个极好的低电感路径。
将电源平面放置在接地平面旁边会产生大约100pF/in2的额外高频旁路电容。
在底层上路由较慢速度的控制信号允许更大的灵活性，因为这些信号链路通常具有容限以容忍诸如过孔之类的不连续性。
将保护电路放在靠近总线连接器的位置，以防止噪声瞬态穿透您的电路板。
使用VCC和接地平面来提供低电感。高频电流可能遵循最小电感的路径，而不一定遵循最小电阻的路径。
将保护元件设计成信号通路的方向。不要强迫瞬态电流从信号路径转移到保护装置。
将0.1µF旁路电容器尽可能靠近板上收发器、UART和控制器IC的VCC引脚。
旁路电容器和保护装置的VCC和接地连接至少使用两个过孔，以最大限度地减少有效过孔电感。
启用线路使用1-kΩ至10-kΩ的上拉和下拉电阻器，以在瞬态事件期间限制这些线路中的噪声电流。
如果TVS箝位电压高于收发器总线引脚的指定最大电压，则将防脉冲电阻器插入A和B总线。这些电阻器限制进入收发器的剩余箝位电流，并防止其闭锁。
虽然纯TVS保护对于高达1kV的浪涌瞬态是足够的，但更高的瞬态需要将瞬态降低到几百伏箝位电压的金属氧化物变阻器（MOV），以及将瞬态电流限制在小于1mA的瞬态阻断单元（TBU）。
在顶层上路由高速迹线避免了使用过孔（以及引入它们的电感），并允许隔离器与数据链路的发送器和接收器电路之间的干净互连。