STM32CubeIDE SRAM

随言：

单刀直入！看不懂就看后面的理论部分。

参考文档：

《AN2784 Application note Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf》

下载链接：意法半导体STM | STM32/STM8微控制器 | MCU单片机

官方程序：

..\STM32Cube\Repository\STM32Cube_FW_F1_V1.8.0\Projects\STM3210E_EVAL\Examples\FSMC\FSMC_SRAM
 

本文源码：F407ZGSRAM.rar_srm32cubeidesdram-嵌入式文档类资源-CSDN下载

下面是理论

SRAM简介：

       静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。 最重要的是SRAM成本比SDRAM高。

STM32F4  FSMC 之 SRAM控制器简介：

以下内容出自《STM32F4xx中文参考手册.PDF》

上图是：FSMC的SRAM引脚功能定义。

SRAM：分成4个块，每个块大小最大64MB，共256MB。

地址映射关系：由硬件决定NEx引脚决定了使用哪个块地址映射。

STM32如果SRAM是数据宽度是16位，那么STM32的地址将会右移一位对齐。

什么是扩展模式：

扩展模式即读时序和写时序不使用一个时序。原因就是有些芯片的读时序与写时序差异较大。

例如读时序比写时序快一倍，用同一个时序的话，那么读时序的速度就要降低到和写时序一样

慢。若使用扩展模式，读时序和写时序分开设置，这样能最大保证运行的效率。

不使用扩展模式的情况下，SRAM使用的时序是模式1.

使用扩展模块的情况下，SRAM可选择模式A D.

在SRAM写入数据的时候，数据建立时间DATAS要加1。包括模式1 模式A 模式D.

IS62WV51216BLL：

使用的是55ns时序的芯片，容量为512K * 16bit 即 1MB的SRAM.

引脚功能：

A0-A18 ：地址输入信号线。
I/O0-I/O15 ：数据输出\输入信号线。
CS1, CS2 ：芯片片选。CS1低电平使能，CS2高电平使能，。
OE ：读数据信号使能，低电平有效。
WE ：写数据信号使能，低电平有效。
LB： 低字节控制信号。l (I/O0-I/O7)
UB： 高字节控制信号。 (I/O8-I/O15)

分析SRAM读时序：

说一下比较重要的一些时序（看上图）

tRC（读周期时间）：这是1个读周期地址线信号稳定（有效）后的保持时间，即1次读操作时间。

tAA(地址建立时间）：MCU外部控制地址设置完成后，芯片内部获取（建立）地址的时间。

tDOE(数据建立时间）：当读信号使能时，芯片输出稳定数据需要的时间。

tOHA：地址失效后数据还需稳定保持时间，主要用于保证数据正确性。

tACE1\tACE2：片选使能后到芯片输出稳定数据需要的时间。

tHZCS1\tHZCS2：片选失能后数据保持稳定时间。

分析SRAM写时序：

由于写时序有4种对应不用的控制时序：

1、WRITE CYCLE NO. 1 (1,2) (CS1 Controlled, OE = HIGH or LOW)

2、WRITE CYCLE NO. 2  (WE Controlled: OE is HIGH During Write Cycle)

3、WRITE CYCLE NO. 3  (WE Controlled: OE is LOW During Write Cycle)

4、WRITE CYCLE NO. 4  (UB/LB Controlled)

看FSMC SRAM的写时序 WE （写使能）拉低，OE（读使能）拉高，故选择第2种芯片时序。

tWC：（写周期时间）这是1个写周期地址线信号稳定（有效）后的保持时间，即1次写操作时间。

tAW：地址有效到数据有效时间。

tSA（地址建立时间）：地址有效后WE写信号才能有效时间，芯片内部获取（建立）地址。

tPWE（数据建立时间）：有效数据写入时间，即等待数据稳定时间。

tHA：写信号或者片选信号失效后，地址的保持时间。

tHD：写信号或者片选信号失效后，数据的保持时间。

硬件：

STM32F407ZG + IS62WV51216BLL-55TLI(时序55ns)

SRAM挂在了bank1的第三个地址映射区，即SRAM的地址从0X68000000开始。

时序计算：

官方例程中芯片是STM32F1，SRAM配置计算如下：

由于我使用的是STM32F407ZG，则稍稍有些区别，计算过程：

HCLK = 168MHz

tHCLK = 1s / 168 MHZ = 6ns

t su(Data_NE)  +  t v(A_NE) = 2 * tHCLK + 25 = 37ns

因此，以下等式：

(ADDSET + (DATAST + 1)) × t HCLK  >= max (t WC )   
DATAST × t HCLK >= t PWE1     

注意：如果使用不同读写时序，读写的都满足上面的公式，唯一不同的是在写时序

里面DATAST × t HCLK >= 的是写信号拉低时间，对应的读时序是>= 读信号拉低时间 。

使用同一时序，写时序比读时序长，故以时间长的为标准。

对于读取访问，DATASET必须验证：

DATAST  >=  (t AA + t su(Data_NE) + t v(A_NE) )/t HCLK – ADDSET – 4

结果得：

ADDSET = 5；

DATAST  = 7；

STM32CubeIDE配置：

Write operation：是否允许写入操作。FSMC 在存储区域内禁止了写入操作，如果进行写操作将报告 AHB 错误。

Address setup time in HCLK clock cycles:   即ADDSET， 等于5。

Data setup time in HCLK clock cycles:   即DATAST， 等于7。

Bus turn around time in HCLK clock cycles： ：总线周转阶段的持续时间，即由 NEx 高电平变为 NEx 低电平最短时间，填1即可。

最后生成代码。

代码测试：

往外部SRAM前1024个字节写入0~1023，再读出数据并打印，看数据是否正确。

#define	EX_SRAM_BASE       0X68000000

int main(void)
{
	uint16_t i = 0;
	uint16_t* temp = NULL;

  HAL_Init();
  SystemClock_Config();
  MX_GPIO_Init();
  MX_USART1_UART_Init();
  MX_FSMC_Init();
  printf("Sudaroot\r\n");
  
  // 向外部SRAM前1024写入数据0 ~ 1023
  temp = (uint16_t*)EX_SRAM_BASE;
  for(i = 0; i < 1024; i++)
  {
	  temp[i] = i;
  }

  // 把SRAM前1023数据读出并打印
  temp = (uint16_t*)EX_SRAM_BASE;
  for(i = 0; i < 1024; i++)
  {
	  printf("temp[%d] = %d\r\n", i, temp[i]);
  }

  while (1)
  {

  }
}

测试：

  全篇完。

本人是一个嵌入式未入门小白，博客仅仅代表我个人主观见解，记录成长笔记。
笔记是以最简单的方式，只展示最核心的原理。
若有与 大神大大 见解有歧义，我绝对坚信 大神大大 见解是对的，我的是错的。
若无积分等无法下载源码，可加入QQ群657407920下载交流经验。感谢~！