inside uboot
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inside uboot (一) 前言
待定原创 2019-09-01 23:21:22 · 160 阅读 · 0 评论 -
inside uboot (二) 启动流程
1. S3C6410 启动流程1). 6410上电后,首先执行片内iROM的程序(BL0),初始化时钟和看门狗等外围器件。2). 然后把flash中头4K(BL1)的内容加载到片内的SRAM中执行。3). 在SRAM中执行的BL1,初始化主内存后,将BL2加载到主内存,然后跳转到主内存中执行。4). 最后BL2来加载kernal和rootfs到主内存中。总结:从上面的流程图...原创 2019-09-01 23:56:22 · 269 阅读 · 0 评论 -
inside uboot (三) 异常向量表
1. 异常向量表概述从上面的地址映射来看,中断向量表的地址为0xD0037400,因此如果我们想在SRAM中,也就是BL1中处理异常的话,就需要把我们的异常向量表拷贝到这个地址上。或者我们可以在链接脚本中直接指定代码的地址。如果在主内存中,我们要使用异常向量表的话,我们需要配置CP15协处理器中的VBAR寄存器。2. 中断向量表代码_start: b reset ldr...原创 2019-09-02 23:57:50 · 968 阅读 · 1 评论 -
inside uboot (四) cache和MMU的设置(BL1)
mov r0, #0 @ set up for MCR mcr p15, 0, r0, c8, c7, 0 @ invalidate TLBs mcr p15, 0, r0, c7, c5, 0 @ invalidate icache mcr p15, 0, r0, c7, c5, 6 @ invalidate BP array mcr p15, 0, r0, c7, c1...原创 2019-09-14 00:04:05 · 603 阅读 · 0 评论 -
inside uboot (五) DRAM的构成
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器.1. Storage Cell如上图,一个DRAM的基本存储单元由4个部分组成。Storage Capacitor,即存储电容,它通过存储在其中的电荷的多和少,或者说电容两端电压差的高和低,来表示逻辑上的1和0。Access Transistor,即访问晶体管,一般是场效应管...原创 2019-09-23 00:33:16 · 1216 阅读 · 0 评论 -
inside uboot (六) DRAM芯片的控制线及时序
Clock(差分信号,CLK和nCLK)为时钟信号 (同一个rank共用)CKE 时钟信号使能 (同一个rank共用)RAS为行选通信号,低电平时,内存会读取行地址。 (同一个rank共...原创 2019-09-27 23:50:20 · 1151 阅读 · 0 评论