模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础

模拟CMOS 第2章 MOS器件物理基础

2.1 基本概念

2.1.1 MOSEFT开关

• 
• 如上图所示，MOS器件有三个端口（实际上有四个），分为S（源）D（漏）G（栅），其中S和D可以互换（对称）
  • 当V_G是高电平，S和D是连在一起的。
  • 当V_G是低电平，S和D是断开的。

2.1.2 MOSEFT结构

• EFT（ field effect transistor）=场效应晶体管

• NMOS：

  • 

  • 可以看到我在栅极（G）表了金属铝，这是我从另外一个版本中听来的，书中这层是多晶硅（无定形形式的硅，可导电）,拉给的解释是很久以前用的是金属，近用的多晶硅。

  • 所谓n型区，就是参杂的硅，如参杂磷元素——多出许多自由电子。

  • Ldrawn:沟道总长度

  • LD :横向扩散长度

  • Leff:沟道有效长度

    • Leff = Ldrawn- 2 LD

  • 对于上图（介绍NMOS这张）中衬底引脚问题，实际的链接是通过一个p⁺

    • 

• PMOS

  • 对于PMOS，我们可以参考NMOS，只需将p型衬底改为n型衬底，n型区改为p型区即可。书上的描述为：所有参杂类型取反。
  • 但在实际中，由于NMOS和PMOS需要做到同一张芯片上（CMOS同时用到他们俩），于是就必须有一个是局部衬底，如下图中b所示，学名“阱”
    • 

2.1.3 MOS符号

• - a）是四个脚都画出来的状态 - b）是常用的，省略衬底（B）的表示方法 - c）是数字电路中使用开关来表示N/P MOS

2.2 MOS的I/V特性