模拟CMOS集成电路设计入门学习（1）

三个不可缺少的二级效应

（1）体效应/背栅效应

随着的下降，增加，也增加，称为体效应/背栅效应

（2）沟道长度调制效应

当增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，称为“沟道长度调制”

定义，并且假设

我们可以得到：

（3）亚阈值导电效应

实际上，时，一个“弱反型层”仍存在，并且有一些源漏电流；甚至当，也不是无限小，而是与呈现指数关系。该效应称为“亚阈值导电”。

当左右时，该效应可用公式表示为：

MOS小信号模型：

①由于沟道长度调制效应，漏电流随着漏-源电压变化。这一效应可以用线性阻抗 表示出来；

②衬底电势影响阈值电压，因而也影响栅-源过驱动电压。在所有其他端子保持恒定的电压的情况下，漏电流是衬底电压的函数，也就是说衬底相当于另一个栅。

{  注意：和有相同的极性，所以增大栅电压与增大衬底电压效果相同。}

③完整的小信号模型也包括器件电容。

为了能够直观地分析一个复杂的电路，基本方法是确立一个最简单的器件模型，只要该模型能以合理的精度来表征每个晶体管的功能。