SPW11N80C3功率晶体管MOSFET 800V

CoolMOSTM功率晶体管
CoolMOS™N沟道功率MOSFET 800V

特征

•全新的革命性高压技术
•极端dv / dt额定值
•高峰值电流能力
•符合JEDEC1标准，适用于目标应用
•无铅铅镀层; 符合RoHS标准
•超低栅极电荷
•超低有效电容
CoolMOSTM 800V专为：
•具有高DC体电压的工业应用
•切换应用（即有源钳位）

品牌：INFINEON
型号；SPW11N80C3
封装：TO-247
包装：240
年份：16+
数量：90000
最大额定值，T j = 25°C，除非另有说明
参数符号条件单位
连续漏极电流I D T C = 25°C A.
T C = 100℃
脉冲漏极电流2）I D，脉冲T C = 25°C
雪崩能量，单脉冲EAS I D = 2.2 A，V DD = 50 V 470 mJ
雪崩能量，重复t AR
2），3）EAR I D = 11 A，V DD = 50 V.
雪崩电流，重复t AR
2），3）I AR A.
MOSFET dv / dt耐用性dv