WILLSEM
szriley123
这个作者很懒,什么都没留下…
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WL2801E12-5/TR高精度 低噪声 高速 低压差CMOS线性稳压器WILLSEM
WL2801E12-5/TR描述低噪音,高PSRR,高速度,CMOS LDO所述WL2801E系列是一种高精度,低噪声,高速,低压差CMOS线性稳压器,具有高纹波抑制。该设备提供的移动电话,笔记本电脑和笔记本电脑以及其他便携式设备成本效益的性能水平。电流限制器的折回电路也操作作为短路电路保护和输出电流限制器在输出引脚WL2801E调节器提供标准SOT-23-5L包装。标准产品无铅和无卤...原创 2019-03-22 14:31:25 · 642 阅读 · 1 评论 -
ESD9B5VLD-2/TR 1线 双向 低电容 瞬态电压抑制器WILLSEM
ESD9B5VLD-2/TR1线,双向,低电容,瞬态电压抑制器说明ESD9B5VLD是双向瞬态电压抑制器(TVS)保护敏感电子静电放电(ESD)的组件。它是特别适合手机,PMP,MID,PDA,数码相机和其他电子设备。ESD9B5VLD可以安全地消除ESD冲击符合IEC61000-4-2第4级的ESD抗扰度测试。ESD9B5VLD采用SOD-923封装无铅和无卤素。特征反向隔...原创 2019-03-27 15:41:52 · 2378 阅读 · 0 评论 -
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容
ESD9X5VU-2/TRESD9X5VU1线,单向,超低电容瞬态电压抑制器说明ESD9X5VU是一个单向瞬态电压抑制器(TVS)提供非常高水平的保护适用于可能受到影响的敏感电子元件静电放电(ESD)。它旨在取代消费类设备中的多层压敏电阻(MLV)手机,笔记本,PAD,STB等应用液晶电视等。ESD9X5VU采用一对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。ESD9X5VU可用...原创 2019-03-27 16:45:27 · 1522 阅读 · 0 评论 -
ESD9X7V-2/TR瞬态电压抑制器(TVS)WILLSEM
说明ESD9X7V是瞬态电压抑制器(TVS)它为敏感性提供了非常高水平的保护可能受到的电子元件静电放电(ESD)。它旨在取代消费类设备中的多层压敏电阻(MLV)手机,笔记本,PAD,STB等应用液晶电视等。ESD9X7V超过ESD瞬态电压符合IEC61000-4-2标准的±30kV(触点)8 /20μs脉冲可承受高达9.5A的峰值电流根据IEC61000-4-5。ESD9X7V采用FB...原创 2019-03-28 10:11:19 · 1003 阅读 · 0 评论 -
WL2801E18-5/TR CMOS线性稳压器WL2801E30-5/TR WL2801E33-5/TR
WL2801E低噪声,高PSRR,高速,CMOS LDO说明WL2801E系列是一款高精度,低噪声,高速,低压差CMOS线性稳压器高纹波抑制。这些设备提供了新的水平在手机,笔记本电脑中具有成本效益和笔记本电脑,以及其他便携式设备。限流器的折返电路也可以工作作为短路保护和输出电流输出引脚上的限幅器。 WL2801E稳压器标配SOT-23-5L封装。标准产品不含铅和无卤素。品牌:WIL...原创 2019-03-28 10:54:44 · 1574 阅读 · 0 评论 -
WL2803E25-5/TR超低压差 低压静态电流 高PSRR CMOS LDO
WL2803E25-5/TR WL2803E 超低压差,500mA,CMOS LDO说明WL2803E系列具有超低压差,低压静态电流,高PSRR CMOS LDO。该在500mA负载下,压差为130mV(典型值)当前。采用CMOS结构,静态电流WL2803E消耗的电流通常为150uA整个输入电压范围,使其具有吸引力消费者,网络应用程序需求很高输出电流。 WL2803E系列有...原创 2019-03-28 11:28:22 · 1968 阅读 · 0 评论 -
WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET描述WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23应用继电器,电磁铁,电机,LED...原创 2019-03-28 13:57:33 · 2237 阅读 · 0 评论 -
WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管
描述单N沟道,20V,3.9A,功率MOSFETWNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23应用继电器,电磁铁,电机,L...原创 2019-03-28 14:32:09 · 795 阅读 · 0 评论 -
WNM2046 单N沟道 20V 0.71A功率MOSFET晶体管WILLSEM
单N沟道,20V,0.71A,功率MOSFET说明WNM2046是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2046是无铅的。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小型封装DFN1006-3L应用小信号切换小...原创 2019-03-28 15:06:40 · 910 阅读 · 0 评论 -
WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM
WNM6001单N沟道,60V,0.50A,功率MOSFET, WILLSEM说明WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅,不含卤素。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流...原创 2019-03-28 15:48:57 · 1211 阅读 · 0 评论 -
WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管
单N沟道,60V,0.30A,功率MOSFET说明WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-323...原创 2019-03-28 16:28:17 · 883 阅读 · 0 评论 -
WNT2F04-3/TR NPN通用晶体管 设计放大器应用WILLSEM
WNT2F04-3/TR NPN通用晶体管说明WNT2F04专为通用目的而设计放大器应用。标准产品不含铅和无卤素特征FAE: 13723714328WPT2F06的补充集电极电流:IC = 0.2A绝对最大额定值参数符号值单位集电极 - 发射极电压VCEO 40 V.集电极电压VCBO 60 V.发射极电压VEBO 6 V.继续采集器电流IC 200 mA集电...原创 2019-03-28 17:34:04 · 820 阅读 · 0 评论 -
WPM1488-3/TR P通道增强功能MOS场效应晶体管WILLSEM
WPM1488-3/TR单P沟道,-12V,-1.4A,功率MOSFET说明WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀RDS(ON),栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计优异的导通电阻,可提高直流电压 当前极低的阈...原创 2019-03-29 09:50:39 · 964 阅读 · 0 评论 -
WPM3012-3/TR单P沟道 增强型MOS 场效应晶体管WILLSEM
单P沟道,-30V,-3.1A,功率MOSFET描述WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。特征FAE:13723714 328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-...原创 2019-03-29 10:27:28 · 977 阅读 · 0 评论 -
WPM3407低栅极电荷的出色RDS(ON) 用于DC-DC转换WILLSEM
描述单P沟道,-30 V,-4.4A,功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅的。应用FAE:13723714328笔记本中的电源管理便携式设备电池供电系统DC / DC转换器负载开关绝对最大额定值TA = 25°C,除非另有说明参数符号10 S稳态单...原创 2019-03-29 10:49:57 · 1058 阅读 · 0 评论 -
WPT2F06-3/TR通用晶体管PNP 设计放大器应用WILLSEM
说明PNP,通用晶体管WPT2F06专为通用目的而设计放大器应用。标准产品不含铅和无卤素特征WILLSEM FAE:13723714328WNT2F04的补充集电极电流:IC = -0.2A绝对最大额定值电子特性(Ta = 25oC,除非另有说明)参数符号值单位集电极 - 发射极电压VCEO -40 V.集电极电压VCBO -40 V.发射极电压VEBO -5 V.继...原创 2019-03-29 11:13:22 · 778 阅读 · 0 评论 -
WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM
WPT2F42-6/TRWPT2F42-6 / TR单,PNP,-30V,-3A,功率晶体管说明WPT2F42是PNP双极功率晶体管饱和电压很低。这个设备是适用于充电电路和其他电源管理。标准产品WPT2F42是无铅和无卤素。特征超低集电极 - 发射极饱和电压高直流电流增益> 1003A继续集电极电流小包装SOT-23-6L。应用充电电路电源调节器便携式其他电源管理...原创 2019-03-29 11:34:49 · 567 阅读 · 0 评论 -
ESD9B5VL 1线 双向 瞬态电压抑制器WILLSEM
ESD9B5VL-2/TRESD9B5VL是双向TVS(瞬态电压抑制器)。它专门用于保护敏感连接到低速的电子元件数据线和控制线免受ESD引起的过应力(静电放电),EFT(电快速瞬变)和闪电。说明WILLSEMFAE:13723714328品牌:WILLSEM型号;ESD9B5VL-2/TR封装:FBP-02C包装:3000年份:18+ESD9B5VL可用于提供高达ESD的E...原创 2019-03-27 15:28:52 · 1763 阅读 · 0 评论 -
ESD5304D-10/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD5304D 单向 4线 超低电容
ESD5304D 4线,单向,超低电容瞬态电压抑制器说明WILLSEM FAE:137-237-14328ESD5304D是一款超低电容TVS(瞬态电容器)电压抑制器)阵列设计用于保护高速数据接口。它专门设计用于保护与数据相关的敏感电子元件和传输线由ESD引起的过应力引起(静电放电)。ESD5304D采用四对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。ESD5304D可用于提供高达ES...原创 2019-03-27 14:39:28 · 2694 阅读 · 0 评论 -
WSB5524D-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5524D中功率肖特基势垒二极管特征1.5A平均整流正向电流低正向电压,低漏电流FBP包应用WILLSEM FAE:13723714328开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值)VRRM 40 V.反向电压(DC)VR 40 V.平均正向电流(1)IF(AV)1.5 A.正向峰值浪涌电流(2)IFSM 7 A.结温TJ 125 O...原创 2019-03-27 13:48:21 · 510 阅读 · 0 评论 -
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管特征整流正向电流低正向电压漏电流低FBP包应用FAE:13723714328开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值)VRM 40 V.反向电压(DC)VR 40 V.平均正向电流(1)IF(AV)1.0 A.重复峰值正向电流@tp≤1ms,duty≤25%IFRM 4 A.正向峰值浪涌电流@ t ...原创 2019-03-29 14:22:42 · 384 阅读 · 0 评论 -
WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WSB5543W中功率肖特基势垒二极管特征1.0AAverage整流正向电流沟槽MOS肖特基技术低正向电压,低漏电流小包装SOD-323F应用FAE 13723714328开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值)VRM 40 V.反向电压(DC)VR 40 V.平均整流正向电流(1)IO 1....原创 2019-03-29 14:49:22 · 714 阅读 · 0 评论 -
WNM2077-3/TR单N沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
说明WNM2077 单N沟道,20V,0.54A,功率MOSFETWNM2077是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON) SOT-723低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2077是无铅的。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-723...原创 2019-03-29 15:05:30 · 797 阅读 · 0 评论 -
WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM
WPM2341P通道增强模式Mosfet特征更高的效率延长电池寿命微型SOT23-3表面贴装封装超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)应用DC / DC转换器负载开关电池供电系统液晶显示变频器便携式电池供电产品的电源管理功耗特性WPM2341的封装是SOT23-3,表面安装在FR4板上,使用1平方英尺的焊盘尺寸2盎司CuRşJA是125ć/ W.2.功耗...原创 2019-03-29 15:48:22 · 3201 阅读 · 0 评论 -
WNM4153-3/TR增强功能 MOS场效应晶体管WILLSEM
WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET说明WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品WNM4153是无铅的。特征沟槽N通道超高密度电池设计,极低RDS(ON)出色的导通电阻和最大直流电压目前的能力采用SOT-523的小型封装设计...原创 2019-03-29 16:00:15 · 664 阅读 · 0 评论 -
ESD5401N-2/TR 瞬态电压抑制器 封装DFN1006-2L WILLSEM
1线,单向,瞬态电压抑制器说明ESD5401N是TVS(瞬态电压抑制器)旨在保护敏感的电子元件连接到数据和传输线ESD(静电放电),EFT引起的过应力(电快速瞬变)和闪电。ESD5401N可用于提供高达ESD的ESD保护根据IEC61000-4-2,±30kV(接触放电),和可承受高达8A(8 /20μs)的峰值脉冲电流IEC61000-4-5。ESD5401N采用DFN1006...原创 2019-03-26 11:06:45 · 1549 阅读 · 0 评论 -
RB521C30-2/TR肖特基势垒二极管WILLSEM封装SOD923
特征100mAAverage整流正向电流低正向电压漏电流低小包装SOD-923应用FAE: 13723714328低电流整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值)VRM 30 V.反向电压(DC)VR 30 V.平均整流正向电流IO 100 mA峰值正向浪涌电流(8.3ms单正弦脉冲)IFSM 0.5 A.结温TJ 150 OC工作温度Topr -40~...原创 2019-03-26 11:52:14 · 931 阅读 · 0 评论 -
WNM2020 N通道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
说明WNM2020 N沟道,20V,0.90A,小信号MOSFETWNM2020是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2020是无铅的无卤特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计优异的导通电阻极低的阈值电压小包装SOT-23...原创 2019-03-26 14:21:39 · 1013 阅读 · 0 评论 -
WNM2021 N沟道20V0.89A 小信号MOSFET场效应晶体管
WNM2021N沟道,20V,0.89A,小信号MOSFET说明WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WNM2021不含铅,不含卤素特征WILLSEM FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计优异的导通电阻极低的阈值电压小包...原创 2019-03-26 15:08:38 · 1445 阅读 · 0 评论 -
WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR
单N沟道,20V,0.95A,功率MOSFET说明WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-723...原创 2019-03-26 16:02:48 · 978 阅读 · 0 评论 -
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR小信号N沟道,50V,0.25A,MOSFET说明WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅,不含卤素。绝对最大额定值WILLSEM FAE:13723714328热阻额定值a表面安装在FR...原创 2019-03-27 09:37:25 · 785 阅读 · 0 评论 -
WNM4002-3/TR增强功能MOS场效应晶体管
WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计提供优秀的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅特征沟槽N通道超高密度电池设计,适用于极低Rds(on)出色的导通电阻和最大直流电流能力采用SOT-523的小型封装设计品牌:WILLSEM型号;WNM4002-3/TR封装:SOT523包装:3000年份:18...原创 2019-03-27 09:57:16 · 648 阅读 · 0 评论 -
WPM2015 P沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
单P沟道,-20V,-2.4A,功率MOSFET描述WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。品牌:WILLSEM型号;WPM2015封装:SOT23包装:3000年份:18+数量:50000特征WILLSEM FA...原创 2019-03-27 10:05:01 · 1142 阅读 · 0 评论 -
WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管
单P沟道,-20V,-3.2A,功率MOSFET说明WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-23应用继电器,电磁铁,电...原创 2019-03-27 10:45:33 · 2323 阅读 · 0 评论 -
WPM3401 P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管WILLSEM
说明WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度,DMOS沟槽技术。这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用,笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路在哪里高端切换。特征海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻,可提供更高的直流小包装SOT-23-3L应用笔记本中的电源管理便携式设备电池供电系统DC / DC转换器负载开...原创 2019-03-27 11:15:06 · 1423 阅读 · 0 评论 -
WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L
WS46656A,14mΩ负载开关,带快速输出放电和可调节的上升时间描述WILLSEM FAE: 13723714328WS4665是一款单通道负载开关提供可配置的上升时间以最小化浪涌当前。该器件包含一个N沟道MOSFET可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入(ON)控制,它能够直接与低压接口控制信号。在WS4665中,...原创 2019-03-27 11:53:51 · 2235 阅读 · 0 评论 -
WSB5521F-3/TR肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5521F-3/TRWSB5519F/5520F/5521F/5522F肖特基势垒二极管特征极快的切换速度标准产品无铅和无卤绝对最大额定值电子特性(TA = 25o C)参数符号值单位峰值重复峰值反向电压VRRM 30 V.工作峰值反向电压VRWM 30 V.阻断电压(DC)VR 30 V.正向连续电流IFM 0.2 A.功耗PD 200 mW热阻结至环境温度...原创 2019-03-29 13:39:14 · 359 阅读 · 0 评论