WNM4153-3/TR增强功能 MOS场效应晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2020-05-25 18:11:00 发布
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版权

WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET
WNM4153-3/TR

说明

WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽
技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品
WNM4153是无铅的。
最大额定值

特征

FAE:13723714318
沟槽N通道
超高密度电池设计，极低RDS（ON）
出色的导通电阻和最大直流电压
目前的能力采用SOT-523的小型封装设计
电气特性

应用

驱动器：继电器，螺线管，灯，锤
电源转换器电路
用于便携式设备的负载/电源切换
曲线
SOT523

szriley123
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