WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM

最新推荐文章于 2024-08-01 17:27:48 发布
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WSB5543W-2/TR是一款采用沟槽MOS肖特基技术的中功率二极管，具备低正向电压和低漏电流的特点。适用于开关电路和中电整流。其反向电压为40V，平均整流正向电流为1.0A。在25°C时，正向电压为0.48-0.57V，反向电流为8-50uA，结电容为80pF，结到焊点的热阻为60 K/W。
摘要由CSDN通过智能技术生成

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管
WSB5543W
中功率肖特基势垒二极管
SOD-323

特征

1.0AAverage整流正向电流
沟槽MOS肖特基技术
低正向电压，低漏电流小包装SOD-323F
最大额定值

应用

FAE:13723714318
开关电路
中电整流
绝对最大额定值
参数符号值单位
反向电压（重复峰值）VRM 40 V.
反向电压（DC）VR 40 V.
平均整流正向电流（1）IO 1.0 A.
正向峰值浪涌电流（2）IFSM 7 A.
结温TJ -55~150℃
工作温度Topr -55~150 OC
储存温度Tstg -55~150℃
典型特性

电子特性

（TA = 25oC）
参数符号条件最小值典型。最大。 单元
正向电压（3）VF IF = 1.0A - 0.48 0.57 V.
反向电流IR VR = VR

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szriley123
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WSB5521F-3/TR肖特基势垒二极管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 356
WSB5521F-3/TR WSB5519F/5520F/5521F/5522F 肖特基势垒二极管 特征 极快的切换速度 标准产品无铅和无卤 绝对最大额定值 电子特性（TA = 25o C） 参数符号值单位 峰值重复峰值反向电压VRRM 30 V. 工作峰值反向电压VRWM 30 V. 阻断电压（DC）VR 30 V. 正向连续电流IFM 0.2 A. 功耗PD 200 mW 热阻结至环境温度...
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 381
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管 特征 整流正向电流 低正向电压 漏电流低 FBP包 应用 FAE:13723714328 开关电路 中电整流 绝对最大额定值 参数符号值单位 反向电压（重复峰值）VRM 40 V. 反向电压（DC）VR 40 V. 平均正向电流（1）IF（AV）1.0 A. 重复峰值正向电流@tp≤1ms， duty≤25％ IFRM 4 A. 正向峰值浪涌电流@ t ...
元器件应用中的ST的肖特基二极管具备低VF且漏电流很小
11-29
意法半导体(ST)日前推出一系列150V肖特基二极管——STPS1150、STPS2150和STPS3150。新产品用于机顶盒、DVD视盘机、电视和高保真音响设备的逆向电源的二次侧整流功能。 　　这三款150V肖特基二极管的正向连续电流处理能力分别是1、2和3A。在100V二极管无法使用而200V器件使用成本既高又无效的应用中，可以使用该系列产品，它们是为这种情况专门设计的。 　　ST此次新推出的肖特基二极管有三个比普通P-N结整流管实用的特性。第一个特性是正向电压降(VF)低，从而降低了整流损耗，因此只需一个尺寸更小的散热器；第二个特性是反向恢复电荷可以忽略不计，这意味着肖特基二极管内的开关
具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管
02-25
具有高k栅极氧化物的高性能沟槽MOS势垒肖特基二极管
电源技术中的Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器
12-09
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS:trade_mark: 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 VTS40100CT 是市场上第一款此类器件，其采用 TO-220AB 封装，额定电流为 40A (2 x 20A)，额定电压为 100V，该器件专门针对 100W～300W 的高频开关模式电源应用而进行了优化。其在 5A 及 125°C 时 0.375V 的超低典型正向压降可减少
WSB5524D-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
szriley123的博客
03-27 509
WSB5524D中功率肖特基势垒二极管 特征 1.5A平均整流正向电流 低正向电压，低漏电流 FBP包 应用 WILLSEM FAE:13723714328 开关电路 中电整流 绝对最大额定值 参数符号值单位 反向电压（重复峰值）VRRM 40 V. 反向电压（DC）VR 40 V. 平均正向电流（1）IF（AV）1.5 A. 正向峰值浪涌电流（2）IFSM 7 A. 结温TJ 125 O...
WSB5507W - 0.5A 中功率肖特基势垒二极管
07-23 184
RB520S30是一款中功率肖特基势垒二极管。该型号二极管具有0.5 A的平均整流正向电流，低正向电压和低漏电流的特点，采用小型封装 SOD-323。它适用于开关电路和中电流整流应用。WSB5507W 具有良好的电气特性，包括40 V的反向重复峰值电压和直流电压，7 A的峰值正向浪涌电流，以及-40至85℃的操作温度范围。
WSB5524D - 适用于多种环境温度的肖特基二极管
07-23 277
WSB5524D是一款中功率肖特基势垒二极管，具有1.5A的平均整流正向电流。这款二极管的特点包括低正向电压、低漏电流以及FBP封装，使其成为开关电路和中电流整流的理想选择。能够在-40至125摄氏度的温度范围内稳定工作，适应各种环境条件。
高效能WSB5558N二极管 - 小型化电子设计的理想选择
07-23 291
WSB5546N是一款肖特基二极管，具有多种显著特点和应用。这款二极管具有100mA的平均整流正向电流，低正向电压，以及低泄漏电流，使其成为低电流整流的理想选择。其小型DFN1006-2L封装设计，不仅节省空间，还提高了电路的紧凑性。WSB5558N适用于各种低电流整流应用，特别是在空间有限和要求高效能的电子设备中。
wsb-detect:wsb-detect使您能够检测是否正在Windows Sandbox（“ WSB”）中运行
03-08
wsb-detect使您能够检测是否正在Windows沙箱（“ WSB”）中运行。 Windows Defender使用沙箱进行动态分析，并且通常由安全分析人员手动使用。 在2019年末，微软推出了一项名为Windows Sandbox（简称WSB）的新功能。 ...
【无标题】WSB5510M：适用于多种应用的 SMA 封装肖特基二极管
最新发布
08-01 218
WSB5510M是WILLSEMI/OmniVision推出的一款2A肖特基势垒二极管。它具备多种显著特点，包括肖特基势垒整流、防护保护、低正向电压、反向能量测试、高电流能力和极低的热阻。它们适用于多种标准应用，尤其是在需要高效能整流和保护的电子设备中。
WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM
szriley123的博客
03-29 3190
WPM2341 P通道增强模式Mosfet 特征 更高的效率延长电池寿命 微型SOT23-3表面贴装封装 超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON） 应用 DC / DC转换器 负载开关 电池供电系统 液晶显示变频器 便携式电池供电产品的电源管理 功耗特性 WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸 2盎司CuRşJA是125ć/ W. 2.功耗...
ESD5304D-10/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD5304D 单向 4线 超低电容
szriley123的博客
03-27 2687
ESD5304D 4线，单向，超低电容 瞬态电压抑制器 说明 WILLSEM FAE:137-237-14328 ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电容器）电压抑制器）阵列设计用于保护高速 数据接口。它专门设计用于保护与数据相关的敏感电子元件和传输线由ESD引起的过应力引起（静电放电）。 ESD5304D采用四对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。ESD5304D可用于提供高达ES...
ESD9B5VLD-2/TR 1线 双向 低电容 瞬态电压抑制器WILLSEM
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03-27 2374
ESD9B5VLD-2/TR 1线，双向，低电容， 瞬态电压抑制器 说明 ESD9B5VLD是双向瞬态电压抑制器（TVS）保护敏感电子静电放电（ESD）的组件。 它是特别适合手机，PMP，MID，PDA，数码相机和其他电子设备。 ESD9B5VLD可以安全地消除ESD冲击 符合IEC61000-4-2第4级的ESD抗扰度测试。ESD9B5VLD采用SOD-923封装无铅和无卤素。 特征 反向隔...
WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管
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03-27 2322
单P沟道，-20V，-3.2A，功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电...
WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-28 2233
N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET 描述 WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，LED...
WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L
szriley123的博客
03-27 2230
WS4665 6A，14mΩ负载开关，带快速输出放电和可调节的上升时间 描述 WILLSEM FAE: 13723714328 WS4665是一款单通道负载开关提供可配置的上升时间以最小化浪涌 当前。该器件包含一个N沟道MOSFET可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作 5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入（ON）控制， 它能够直接与低压接口控制信号。在WS4665中，...
WL2803E25-5/TR超低压差 低压静态电流 高PSRR CMOS LDO
szriley123的博客
03-28 1966
WL2803E25-5/TR WL2803E 超低压差，500mA，CMOS LDO 说明 WL2803E系列具有超低压差，低压静态电流，高PSRR CMOS LDO。该 在500mA负载下，压差为130mV（典型值）当前。采用CMOS结构，静态电流 WL2803E消耗的电流通常为150uA整个输入电压范围，使其具有吸引力消费者，网络应用程序需求很高 输出电流。 WL2803E系列有...
750-333 PROFIBUSDP/V1适配器：功能与认证详解
"《认证一览 - 汽车不神秘 汽车构造透视图典》是一份详细的指南，专注于汽车内部结构和功能的深入了解，特别是针对船舶应用中的专业设备。文档的核心部分讨论了BR-Ex nA II T4系统，这是一款适用于船舶环境的高级...
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