WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2023-11-14 17:47:03 发布
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版权

N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET

描述

WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤
WNM2016

特征

海沟技术FAE:13723714318
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23
典型应用

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET
曲线
绝对最大额定值TA = 25°C，除非另有说明
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 20
栅源电压VGS±8V
TA = 25°C 3.2 2.9
连续漏极电流（TJ = 150°C

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szriley123
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WNM2016-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-14
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07-03
SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
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06-08
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