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RSS订阅原创 茂捷M9003电感式接近开关芯片 支持NPN和PNP输出模式传感器IC
1、上电后，通过电源通讯或I2C通讯写入OTP预设值，分别是OTP地址： 81H、82H、83H、84H、85H、86H、87H、88H。（a）先对寄存器地址 50H,写入数据 A6H, OTP写使能OTP_WR_EN打开，否则写入其它数时，OTP写使能关闭；无法访问OTP数据区。热门标签：电感式接近开关芯片，电感式光电开关芯片，电感式传感器芯片，电感式光电传感器芯片，电感式光电传感器，光电传感器。3、在0X49寄存器地址，写入数据0X01后，触发温度补偿，LED以2Hz的频率闪烁，即为已经触发成功。
2024-01-26 13:44:26
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原创 茂捷M7103传感器/接近开关输出驱动芯片
M7103是一款专门应用于传感器/接近开关输出驱动芯片，采用极小型化的封装， 应对各种前端功能电路对输出级集驱动、保护、过流、误接等应用要求，同时满足应 用中后端输入浪涌尖峰电压抑制，ESD 防护，电子脉冲干扰抑制，电压冲击保护。
2023-02-07 10:24:04
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转载 【分享】10颗Torex特瑞仕热门物料基本功能参数介绍
最近有很多朋友在问泰德兰电子说特瑞仕哪些物料比较热门，其实小编认为，特瑞仕物料很多，对用户而言各有所需，也不好判断有哪些真的是需要较高的物料，但是泰德兰电子小编只能参考泰德兰电子目前所销售的物料情况来分析最受欢迎的10颗物料如下：
2022-08-24 16:23:20
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转载 【推荐】本文教你快速掌握电源电路的检测方法，一定不能错过！
在正常情况下，将万用表的黑表笔搭在电路接地端，红表笔搭在线性电源电路整流元器件的输出端，应能够测得一定值的直流电压；若无电压输出或输出电压异常，则可逆信号流程检测前级电路。......
2022-08-02 16:23:26
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转载 【热文】液晶电视机开关电源电路的识图与检测方法，简单易学！
液晶电视机开关电源电路可将交流220V电压变成+12V、+24V、+5V等多路直流电压为各个电路提供工作电压。
2022-08-02 16:00:09
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转载 FITPOWER-FP6146天钰-线性稳压器-中文资料应用方案
FP6146描述FP6146 是一款低压差、低噪声、高 PSRR、极低静态电流正线性稳压器。FP6146 可提供 200mA 输出电流和约 300mV 的低压差，针对电池供电系统或移动电话等便携式无线设备进行了优化。 关机功能可以远程控制外部信号来决定 FP6146 的开/关状态，在关机模式下消耗小于 0.1µA。 FP6146 稳压器能够与小至 1µF 的输出电容器一起工作以保持稳定性。 除了电流限制保护外，FP6146 还提供片上热关断功能，可在环境温度超过最大结温时提供过载或任何情况的保护。
2022-02-23 21:02:55
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转载 理光R5445系列 单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护
产品名称：单节锂电池保护芯片产品系列：R5445（新款）代理品牌：NISSHINBO(日清纺微电子)，原日本理光微电子产品封装：WLCSP-8-P4交期时间：现货一般当天交货，预定需电话详情发货货仓：深圳福田热门标签：锂电池保护芯片，单节锂电池保护芯片，锂电保护芯片R5445 系列单节锂电池保护芯片，内置驱动器用于高位Nch FET开关且内置温度保护R5445系列芯片是单节锂电池保护芯片，对过电压充电，欠电压放电，充电过电流，放电过电流，以及温度异常均有保护作用。此芯片
2022-01-18 16:25:47
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转载 在MOS管驱动电路设计中，原来MOS管是这样实现快速敞开和关闭的
今天泰德兰电子网编【杨泽铭】通过网络收集整理一篇关于【在MOS管驱动电路设计中，原来MOS管是这样实现快速敞开和关闭的！】的文章分享给大家，下面我们正式进入正题。 一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需求驱动电流。但是，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容，电感为电路走线的寄生电感： 假如不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话，MOS管开关速度越快越好。由于开关时刻越短，开关损耗越小，而在开...
2021-10-28 10:25:48
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原创 负载开关 脉宽调制应用 负载开关KS2310HB单P沟道功率MOS管解决方案
Features-20V/-14A,Rds（on）=7mQ 仃 yp.）@VGs=-4.5VRds（on）=9mQ（T yp. ）@ Vgs=-2.5VRDs（ON）=12mQ（Typ.）@VGS=-1.8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignReliable and RuggedApplicationsLoad SwitchPWM ApplicationsPower Management负载开关KS2310H
2021-08-30 17:11:53
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原创 冠禹半导体KS3415AA单 P沟道高级功率 MOSFET解决方案！
Features-20V/-4.5A,Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SVRds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignReliable and RuggedESD Protected （HBM>4000V）ApplicationsLoad Switch产品特征：-20V/-4
2021-08-30 17:04:01
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转载 沟槽MOSFET系列：KS0320UA2单P沟道功率 MOSFET中文资料及选型方案！
特征特点·-16V/-12A,Rps (on) =10mQ(Typ.)@Ves=-4.5VRos (on) =14mQ(Typ.)@Vcs=-2.5V低罗斯（开）超高密度电池设计 - 可靠且坚固应用负载开关• PWM 应用• 能源管理阅读我的更多文章常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！ 大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读 AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图...
2021-08-30 17:01:51
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原创 常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！
一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示,如：R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω）,倍率单位有：千欧（KΩ）,兆欧（MΩ）等。换算方法是：1 兆欧=1000 千欧=1000000 欧电阻的参数标注方法有 3 种,即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如：472 表示 47×100Ω（即 4.7K）; 104 则表示 100Kb、色环标注法使用最多,现举例如下：四色环电阻 五色环
2021-08-30 17:00:17
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转载 AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图
一般说明：沟槽功率中压 MOSFET 技术低RDS(ON)低栅极电荷针对快速切换应用进行了优化符合 RoHS 和无卤素标准产品应用：DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流电信和工业中的隔离式 DC/DC 转换器产品概要：VDS 40vID（在 VGS=10V 时） 100ARDS(ON) (VGS=10V) < 0.99mΩRDS(ON) (VGS=4.5V) < 1.5mΩ100% UIS 测试100% R...
2021-08-30 16:58:01
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转载 大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读
主题：大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析，新手必读！ 最近很多企业工程师在对功率mos管选型方面都纠结如何选择大功率mos管，小编认为首先要对所有的大功率mos管型号有一个全面的了解，大功率mos管到底有多少种型号？ 其实，说到大功率mos管，学过电子的朋友首先想到的就是如下图所示的插件mos管： MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半
2021-08-30 16:37:36
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转载 大功率mos管怎么测量好坏，如何用万用表判断mos管的好坏？够全面！
MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属绝缘体半导体。 MOS管的源漏是可以倒置的，都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反，也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。 如何用万用表判断mos管的好坏 双极晶体管将输入电流的微小变化放大，然后在输出端输出大电流变化。双极晶体管的增益定义为输出与输入电流的比值 (beta)。另一种称为场效应管 (FET) 的晶体管将输入电压的变化转换为输出电流的变化。 FET 的增益等于其跨导，跨导定义为输
2021-08-30 16:31:55
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转载 交换应用系统KS2310MB-20V/-50A,单P沟道mos管解决方案！
交换应用系统KS2310MB-20V/-50A,单P沟道mos管解决方案！Features-20V/-50A,Rds（on）=7mQ（Typ.）@VGs=45VRos（ON）=9mQ（Typ.）@VGs=-2.5VRds（oN）=12mQ CTyp.^Vg" .8VLow Rds（on）Super High Dense Cell DesignFast Switching Speed100% avalanche testedApplicationsSwi
2021-08-30 16:17:15
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转载 松木ME2345A-G（兼容）AOS万代AO3401A，30V低压MOS管方案！
ME2345A / ME2345A-G，P沟道30V（D-S）MOSFETME2345A简述：ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。ME2345A特征：●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V●RDS（ON）≦80mΩ
2021-07-14 17:20:52
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转载 华润微CRSQ027N10N-N型MOSFET 100V，2.6 mΩ，240a N沟道中压mos管方案
华润微 CRSQ027N10N 产品简述：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术极低导通电阻RDS（导通）优xiu的QgxRDS（on）产品（FOM）根据JEDEC标准合格华润微 CRSQ027N10N 应用程序：电机控制与驱动电池管理联合包裹运送服务 （无可辩驳的） 动力华润微CRSQ027N10N 产品特性：VDS 100VRDS（开启） 2.6 mΩID 240a标签：常用中低压MOS管，中压高压MOS管，国产中压MOS管..
2021-07-13 21:19:56
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转载 松木ME2345A-G（替换）长电CJ3401A，P沟道30V低压MOS管方案！
松木ME2345A一般说明：ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。松木ME2345A特征：●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2
2021-07-09 11:46:42
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转载 WAYQN维安WR0332（兼容）岭芯微LC1463，LDO线性稳压器方案
WAYQN维安WR0332（兼容）岭芯微LC1463，LDO线性稳压器方案 WR0332描述 WR0332系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。这些设备在蜂窝电话、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了一个新的性价比性能水平。WR0332具有折返最大输出电流，这取决于输出电压。因此，电流限制既起到短路保护的作用，又起到输出电流限制的作用。WR0332稳压器有标准SOT23-3封装、SOT23-5封装和DFN1x1--4包。标准产品无铅无卤。 ...
2021-07-07 17:04:39
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转载 松木ME6980ED（替代）NCE8205B 双N沟道20V(D-S)增强模式Mosfet，ESD保护方案
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V RDS(ON)≤17 MΩ@...
2021-06-28 17:40:19
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转载 松木ME6980ED（替代）AOS万代AO8814 共漏双N沟道增强模场效应晶体管方案
ME6980ED一般描述 ME6980ED是双N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些电路需要在非常小的外形表面贴装封装中进行高侧开关和低在线功耗。 ME6980ED特征 RDS(ON)≤14.5mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)≤15 mΩ@VGS=4.0V RDS(ON)≤17 MΩ@VGS=
2021-06-28 17:34:44
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转载 松木ME50P06 P沟道 60V (D-S) MOSFET（替代）长电CJU50P06方案
P 沟道 60V (D-S) MOSFETME50P06一般说明ME50P06 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适合最大限度地减少导通电阻。 这些设备特别适合对于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要在非常小的外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗。ME50P06特征● RDS(ON)≦17mΩ@VGS=-10V● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V● 超高密度电池设计，RD...
2021-06-28 14:28:14
1364
转载 松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管
松木松木ME2306A/ME2306A-G （替代）长电CJ3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-ME2306A/ME2306A-G一般说明ME2306A 是 N 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是专门为最大限度地减少导通状态而量身定制的抵抗性。这些器件特别适用于低压应用，例如作为手机、笔记本电脑电源管理等电池供电电路，以及所需的低在线功率损耗采用非常小的外形表面贴装封装。ME2306A/ME2306A-G特征● RDS
2021-06-28 14:23:47
711
转载 30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案
ASDM6802ZC特征高功率和电流处理能力获得无铅产品表面贴装封装30V N通道 MOS管SOT23-6封装 安森德ASDM6802ZC替代AOS万代AO6802方案示例图1采用SOT23-6封装ASDM6802ZC应用程序PWM应用负载开关电源管理ASDM6802ZC产品摘要V DS 30 vR DS（开），VGS=10V时zui大值 45 MΩID 4.5 aASDM6802ZC介绍A. 功耗PD基于TJ(M...
2021-06-28 14:19:10
624
转载 N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（替代）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案
ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，例如 LCD 逆变器、计算机电源管理和 DC 到 DC 转换器电路。ME50N06A特征● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低● 出色的导通电阻和最大直流电流能力ME50N06A应用● 电源管理● DC/DC 转换
2021-06-28 10:53:58
1314
转载 松木ME60N03（替代）长电CJU4410 TO-252-2L 塑封 MOSFET方案
松木ME60N03简述：松木ME60N03先进的沟槽工艺技术 用于超低导通电阻的高密度单元设计 专为 PWM 应用的高端开关设计。松木ME60N03特性：VDS=30V RDS(ON),Vgs@10V,Ids@30A ≦ 10mΩ RDS(ON),[email protected],Ids@15A ≦18.5mΩ松木ME60N03应用：主板（V核）便携式设备DC/DC转换器负荷开关液晶显示逆变器工控机松木ME60N03（替代）长电CJU4410 TO-252..
2021-06-28 10:32:51
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转载 六种万能MOS管电路分析，多维度MOS管电路分析技巧！
对于MOS管，很多人的印象是模电课本中学到的小信号分析模型，以及各类放大电路。而在实际项目中，MOS管常出现在全桥驱动、全桥逆变、Buck/Boost电路等电路里。 除了上述的应用中，MOS管还有哪些功能呢？达尔闻特别邀请西电李天红为大家分析讲解MOS管小成本、大作用的6种电路： 防反接电路、电源切换电路、时序控制电路、逻辑电平转换电路、充掉电状态监测电路、锁相电路 视频看完了，一定对MOS管又有了更深的认识。其实，只要我们了解MOS管的特征参数，就可以很方便的改变电...
2021-05-07 10:27:10
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转载 多维度介绍MOS管，了解MOS管，看这个就够了！
本文由深圳市泰德兰电子有限公司网编整理分享，主要以多维度介绍mos管，帮助更多用户了解mos管，认识mos管的工作原理及检测条件，从这篇文章里我们可以深入学习到关于mos管的技术特点及mos管结构、mos管电路原理等方面信息，好了，咱们还是进入主题吧，下面请大家用心阅读本文：MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型
2021-04-13 16:16:08
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转载 深入学习MOS管工作原理，快速了解MOS管结构原理图，通俗易懂 ！
每天我们都在不断学习新东西，都希望用知识来填充自己大脑，深圳市泰德兰电子有限公司小编就经常学习一些关于电子元器件的资料， 小编也看见很多小伙伴和我一样通过网络寻找自己想要的答案，今天小编就把最近在网上看见的一篇文章分享给大家，主题是：深入学习MOS管工作原理，快速了解MOS管结构原理图，通俗易懂 ！供大家参考学习！1、结构和符号（以 N沟道增强型为例）在一块浓度较低的 P型硅上扩散两个浓度较高的 N 型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。深入学习MOS管工作
2021-04-13 14:12:41
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转载 如何检测判断mos管好坏,判断mos管好坏都有哪些方法？
MOS管和IGBT管都可以作为开关元件使用，它们在外形、特性参数上也比较相似，那它们到底有什么区别呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的简称，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，可以简化称为「场效应管」，MOS管主要分两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为四大类：N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型。有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或叫寄生二极管、续流二极管。
2021-04-07 17:37:28
2032
转载 兼容性相对较好的一款JD6606S USB-PD 3.0快充协议芯片
小编今天给大家分享一款JD6606S芯片，是目前兼容性相对较好的一款快充协议芯片，下面就请大家跟着深圳市泰德兰电子有限公司工程师来认识下这款产品：JD6606S USB-PD 3.0和HVDCP控制器JD6606S是集成的USB Power Delivery 3.0协议控制器。它符合HUAWEI快速充电协议（FCP），超级充电协议（SCP），ACF协议和Qualcomm Quick Charge 2.0 / 3.0 / 3 +技术，这些技术专为USB Type-C源侧充电应用而设计，如电源适.
2021-04-07 14:36:14
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转载 什么是MOS管驱动电路，如何理解MOS管驱动电路原理？
今天泰德兰电子 小编和大家分享主题：什么是MOS管驱动电路，如何理解MOS管驱动电路原理？作为电子工程师，我们都知道在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1，MOS管种类和结构.
2021-04-07 14:30:45
2010
转载 MOS管版图（之一）单级CMOS版图分析！
本文由深圳泰德兰电子网编整理分享，主题：CMOS版图分析（之一）单级CMOS版图分析！ MOS管版图 绘制NMOS管的步骤与PMOS管基本相同(新建一个名为NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型衬底上,要有一个N型注入层,这一层要覆盖整个有源区。 同样,为进行源区和漏区的连接,要用金属1画两个矩形,分别覆盖源区和漏区上的接触孔,覆盖长度为。为进行衬底连接,必须在衬底的有源区中间添加接触孔,这个接触孔每边都被有源区覆盖。 然后还要进行P型注入,注入...
2021-03-11 17:11:28
5738
转载 MOS管版图（之二）多级CMOS版图分析
本文由泰德兰电子网编整理分享，主题：MOS管版图（之二）多级CMOS版图分析 多级CMOS版图中，必有漏极（前级输出）和栅极（后级输入）相连，所以要先找到两级间相连的部分。然后从已知的栅极开始，逐级分析。每一级的PUN和PDN一般靠的较近，如下图，很容易区分。 在分析的过程中，仍然要注意从PUN和PDN中的简单者开始。 例1. F=——(——(A+B)+AB) 例2. F=——(——(AB)·(A+B)) 例3.半加器出...
2021-03-11 17:08:04
2292
转载 功率mos管的作用， 功率原理是什么？
各位网友，大家好！今天小编分享一篇：功率mos管的作用， 功率原理是什么？一文，本文由泰德兰小编收集整理分享，希望通过本文深入学习功率mos管相关技术性问题。 1、功率mos管分类 MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加...
2021-03-04 15:59:14
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转载 NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别
相对通用的电路【NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别】电路图如下： 图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路 这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超越Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来完成阻隔，一起确保两只驱动管Q3和Q4不会一起导通。 R2和R3供给了PWM电压基准，通过改动这个基准，可以让电路作业在PWM信号波形比较陡直的方位。 Q3和Q4用来供.
2021-03-04 15:21:01
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转载 mos管怎样选型？新人必备MOS管正确选择的过程！
主题：mos管怎样选型？新人必备MOS管正确选择的过程！ 最近不少来到我们这边挑选MOS管的时候,都会问到一个问题,怎么挑选合适的MOS管,关于这一个问题,由小编来教大家MOS管选型。 正确挑选MOS管是很重要的一个环节，MOS管挑选不好有或许影响到整个电路的功率和本钱，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够协助工程师防止诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的挑选办法.第一步：选用N沟道或是P沟道 为规划挑选正确器材的第一步是决议选用N沟...
2021-03-04 10:47:22
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原创 数字机顶盒的出现，未来mos管的市场应用还能走多远？
主题：数字机顶盒的出现，未来mos管的市场应用还能走多远？ 首先，大家跟着泰德兰电子网编一起来了解下数字机顶盒是什么，数字机顶盒也叫机顶盒。 数字视频变换盒(英语:Set Top Box，简称STB)，通常称作机顶盒或机上盒，是一个连接电视机与外部信号源的设备。它可以将压缩的数字信号转成电视内容，并在电视机上显示出来。信号可以来自有线电缆、卫星天线、宽带网络以及地面广播。机顶盒接收的内容除了模拟电视可以提供的图像、声音之外，更在于能够接收数字内容，包括电子节目指南、因特网网页、字幕.
2021-02-25 17:40:31
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转载 N沟道与P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！
N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1、栅源电压V(GS)的控制作用:当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。当V(GS)&g
2021-02-22 11:45:56
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空空如也
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