今天泰德兰电子网编【杨泽铭】通过网络收集整理一篇关于【在MOS管驱动电路设计中，原来MOS管是这样实现快速敞开和关闭的！】的文章分享给大家，下面我们正式进入正题。
一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需求驱动电流。但是，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容，电感为电路走线的寄生电感：
假如不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话，MOS管开关速度越快越好。由于开关时刻越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因而MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。
怎么做到MOS管的快速敞开和关闭呢？对于一个MOS管，假如把GS之间的电压从0拉到管子的敞开电压所用的时刻越短，那么MOS管敞开的速度就会越快。
与此相似，假如把MOS管的GS电压从敞开电压降到0V的时刻越短，那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们能够知道，假如想在更短的时刻内把GS电压拉高或许拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或许用三极管放大后再驱动MOS的办法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。比较好的办法是运用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构如下：
MOS驱动电路设计需求留意的当地：由于驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，假如直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会发生很大的震动，导致MOS管急剧发热甚至爆破，一般的解决办法是在栅极串联10欧左右的电阻，下降LC振荡电路的Q值，使震动迅速衰减掉。
由于MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或许搅扰都或许导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以下降输入阻抗。
假如担心附近功率线路上的搅扰耦合过来发生瞬间高压击穿MOS管的话，能够在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS能够认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间能够承受的功率高达几百至上千瓦，能够用来吸收瞬间的搅扰脉冲。综上，MOS管驱动电路参阅：
MOS管驱动电路的布线设计：
MOS管驱动线路的环路面积要尽或许小，不然或许会引入外来的电磁搅扰。驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚，不然走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。常见的MOS管驱动波形：
假如出现了这样圆不溜秋的波形就等着核爆吧。有很大一部分时刻管子都工作在线性区，损耗极端巨大。一般这种情况是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能从头画板子。高频振铃严峻的毁容方波：
在上升下降沿震动严峻，这种情况管子一般瞬间死掉，跟上一个情况差不多，进线性区。原因也相似，主要是布线的问题。又胖又圆的肥猪波。上升下降沿极端缓慢，这是由于阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或许栅极电阻太大。决断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就OK了。打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波：
驱动电路阻抗超大发了，此乃管子必杀波，解决办法同上。群众脸型，人见人爱的方波：
凹凸电平清楚，电平这时候能够叫电平了，由于它平。边沿陡峭，开关速度快，损耗很小，略有震动，能够承受，管子进不了线性区，强迫症的话能够恰当调大栅极电阻。
方方正正的帅哥波，无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这就是最完美的波形了。
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