2.7 基本放大电路的派生电路

 

2.7 基本放大电路的派生电路

在实际应用中，为了提升放大电路的性能，通常会采用复合管替代单一晶体管或者结合不同的基本接法。这种方法可以显著改善电路的动态特性和适应性。

2.7.1 复合管放大电路

一、复合管的定义与种类

复合管由两个或多个晶体管组成，以达到更高的电流放大系数和改善电路性能。这些复合管通常分为同类型晶体管复合（如NPN+NPN或PNP+PNP）和异类型晶体管复合（如NPN+PNP）。

电流放大系数的关系： 在复合管配置中，若使用两只同类型晶体管，如图2.7.1(a)和(b)所示，则复合管的总电流放大系数β为两只晶体管电流放大系数的乘积，即： 𝛽≈𝛽1×𝛽2β≈β1​×β2​

二、复合管的应用与优势

1. 输出驱动能力提升：

   • 使用复合管后，可以在保持输入信号电流不变的情况下，显著提高输出电流，使其从毫安级提升至安培级。
   • 这一特性尤其适用于功率放大或需要高驱动能力的场合。

2. 输入电流需求降低：

   • 对于需放大微弱信号的场合，复合管可以在非常小的输入电流驱动下，实现有效的输出。

三、场效应管与晶体管的复合应用

场效应管和晶体管可以组成复合管，以场效应管的高输入阻抗和晶体管的高电流驱动能力结合的优势。这种配置通常等效为场效应管，利用场效应管的低噪声和稳定性，以及晶体管的高放大能力。

跨导的计算： 复合管的总跨导 𝑔𝑚gm​ 可以视为单独场效应管跨导和晶体管电流放大系数的乘积增益。如果第二只晶体管（晶体管T2）具有较高的β值，则整个复合管的跨导可以显著提高。

四、复合管的设计原则

1. 电流路径和工作区间：

   • 设计复合管时需要确保每只管子的各极电流都有适当的通路，并且管子都工作在其放大区或恒流区。

2. 电流放大考量：

   • 为了实现电流放大，第一只晶体管的输出电流（集电极或漏极）应作为第二只管子的输入电流（基极或栅极）。

复合管的应用在高频特性和温度稳定性要求较高的电路中可能存在一些局限性，例如结电容可能引起的高频性能降低，以及在多管复合配置中的热稳定性问题。因此，设计时需要综合考虑这些因素，选择合适的管子数量和类型，以及适当的电源电压，以保证电路的整体性能和稳定性。

 

2.7 基本放大电路的派生电路

在放大电路的应用和设计中，经常会对基本电路进行修改和扩展以提高性能或适应特定的应用需求。使用复合管是一种常见的方法，它涉及将多个晶体管结合在一起，以提高电流放大能力或输入/输出阻抗等性能指标。

二、复合管共射放大电路

复合管共射放大电路是一种使用两个晶体管以串联形式构建的放大电路，它结合了两个晶体管的放大能力，以实现更高的电流放大系数和更好的线性响应。

电路结构和功能

如图2.7.3所示，复合管共射放大电路包括两个串联的晶体管（T1 和 T2）。T1 的集电极直接连接到T2 的基极，T2 的集电极则输出信号。

电路的主要特性：

• 电压放大倍数 𝐴𝑣Av​：由于两个晶体管的放大作用叠加，电压放大倍数增大，可以表示为 −𝛽1𝛽2(𝑅𝐿∥𝑅1)−β1​β2​(RL​∥R1​)。
• 输入电阻 𝑅𝑖𝑛Rin​：相比单晶体管共射电路，复合管的输入电阻 𝑅𝑖𝑛=𝑅1∥(𝑟𝑚1+(1+𝛽1)𝑟𝑛2)Rin​=R1​∥(rm1​+(1+β1​)rn2​)，这通常比单个晶体管的输入电阻要高。

三、复合管共源放大电路

将场效应管与晶体管组合的复合管用于共源配置，可以极大提高放大电路的输入电阻，适用于需要高输入阻抗的应用。

电路结构和分析

在这种配置中，场效应管的高输入阻抗与晶体管的高电流驱动能力相结合，使得电路能够同时提供高输入阻抗和良好的放大性能。

主要特性：

• 电压放大倍数 𝐴𝑣Av​：类似于传统的共源放大电路，具有较高的电压放大能力。
• 输入电阻 𝑅𝑖𝑛Rin​：显著提高，适合于信号源阻抗高的应用场景。

四、复合管共集放大电路

复合管共集配置，也称为源跟随器，提供非常高的输入阻抗和低的输出阻抗，非常适合用作缓冲阶段。

电路结构和动态特性

主要特性：

• 输入电阻 𝑅𝑖𝑛Rin​：极高，由于共集配置的特性，输入电阻主要由晶体管的特性决定。
• 输出电阻 𝑅𝑜𝑢𝑡Rout​：相比共射和共源配置有显著降低，这是由于源跟随器的输出特性。

这些派生电路提供了与基本放大电路不同的性能优势，适用于各种复杂和高要求的电子设计中。通过恰当选择和配置这些复合管，设计者可以针对特定的应用需求优化其放大电路的性能。

 

2.7.2 共射-共基放大电路

在放大电路的设计中，结合共射和共基电路可以有效提升电路的整体性能，特别是在电压放大能力和高频特性方面。共射电路提供良好的电压放大能力，而共基电路则具有出色的高频响应。将这两种电路组合使用，可以实现互补的优点。

共射-共基放大电路的结构与功能

图2.7.6展示了一个共射-共基放大电路的交流通路。在这种配置中，T1 作为共射放大器，负责提供电压增益；T2 则设置为共基放大器，主要用于提升电路的高频特性。

电路的动态特性

• 电压放大倍数 𝐴𝑣Av​: 由于T2采用共基配置，其输出对T1的集电结电容的影响较小，这有助于减少高频下的信号损耗。电路的总电压放大倍数可以通过以下表达式近似计算：

  

  其中 𝛽1β1​ 是T1的电流放大系数，𝑅𝐿RL​ 是负载电阻，𝑟𝑒2re2​ 是T2的输入阻抗。

2.7.3 共集-共基放大电路

共集-共基放大电路结合了共集电路的高输入电阻特性与共基电路的电压放大能力。这种配置使电路既适用于高输入阻抗的应用，同时也能提供一定的电压增益，适合需要宽带宽的应用场景。

电路结构与功能

图2.7.7显示了共集-共基放大电路的交流通路，其中T1配置为共集放大器，负责提供高输入阻抗；T2作为共基放大器，负责提供电压增益。

电路的特性

• 输入电阻: 由共集配置提供，因此非常高，适合作为高阻抗信号源的缓冲放大器。
• 电压放大能力: 由共基部分提供，虽不及纯共射放大电路，但对于需要同时具有高输入阻抗和一定放大能力的应用是理想选择。
• 频带宽度: 两种配置的结合提供了较宽的通频带，特别是在高频应用中表现良好。

应用场景

这些复合配置的放大电路非常适合需要综合考虑输入阻抗、电压放大以及频带宽度的应用，如音频放大、信号调理、传感器接口等。通过这些派生电路，设计师可以在不牺牲一个性能的前提下，优化另一个性能，实现更加灵活和高效的电路设计。