3.6 Bi-CMOS 电路

 

第三章 门电路

3.6 Bi-CMOS 电路

Bi-CMOS电路是双极型CMOS (Bipolar-CMOS) 电路的简称。由于CMOS集成电路具有功耗极低、集成度高的优点，它在许多应用领域中正在逐渐取代功耗较大的TTL等数字集成电路。然而，MOS管的导通电阻比较大，随着负载电流的增大，输出高电平会大幅度下降，而输出低电平则会大幅度升高。因此，CMOS电路难以满足大驱动电流的要求。而双极型三极管则具有MOS管所不具备的低导通内阻和快速的优点。为了同时吸收双极型电路与CMOS电路的优点，设计人员将两种生产工艺相结合，制造出了Bi-CMOS电路。

Bi-CMOS电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级则采用双极型三极管。因此，它兼有CMOS电路的低功耗、高集成度和双极型电路的高驱动能力。Bi-CMOS电路主要用于需要大驱动电流的场合，如计算机的总线接口、数字系统输出端的缓冲器、驱动器和锁存器以及无线通信设备的终端等。中、小规模集成的Bi-CMOS标准化系列产品逻辑功能一般较简单。此外，Bi-CMOS电路还经常用于大规模集成电路的输出端以提高器件的驱动能力。

3.6.1 Bi-CMOS 电路的基本结构和工作原理

图3.6.1展示了Bi-CMOS反相器的两种电路结构形式。图(a)为最简单的结构，其中两个双极型输出管的基极接有下拉电阻。

• 当 𝑉𝑖𝑛Vin​ 为低电平 𝑉𝑖𝑛𝐿VinL​ 时，𝑇2T2​ 和 𝑇4T4​ 导通，𝑇1T1​ 和 𝑇3T3​ 截止，输出为低电平 𝑉𝑂𝐿VOL​。
• 当 𝑉𝑖𝑛Vin​ 为高电平 𝑉𝑖𝑛𝐻VinH​ 时，𝑇1T1​ 和 𝑇3T3​ 导通，𝑇2T2​ 和 𝑇4T4​ 截止，输出为高电平 𝑉𝑂𝐻VOH​。

为了加快 𝑇1T1​ 和 𝑇3T3​ 的截止过程，要求 𝑅1R1​ 和 𝑅2R2​ 的阻值尽量小，而为了降低功耗，又要求它们的阻值尽量大，这两者显然是矛盾的。因此，目前的Bi-CMOS反相器多采用图(b)所示的电路结构，以 𝑇5T5​ 和 𝑇6T6​ 取代图(a)中的 𝑅1R1​ 和 𝑅2R2​，形成有源下拉式结构。

• 当 𝑉𝑖𝑛Vin​ 为低电平 𝑉𝑖𝑛𝐿VinL​ 时，𝑇2T2​ 和 𝑇6T6​ 导通，𝑇1T1​、𝑇3T3​ 和 𝑇5T5​ 截止，输出为低电平 𝑉𝑂𝐿VOL​。
• 当 𝑉𝑖𝑛Vin​ 为高电平 𝑉𝑖𝑛𝐻VinH​ 时，𝑇1T1​、𝑇3T3​ 和 𝑇5T5​ 导通，𝑇2T2​ 和 𝑇6T6​ 截止，输出为高电平 𝑉𝑂𝐻VOH​。

由于 𝑇5T5​ 和 𝑇6T6​ 的导通内阻很小，所以负载电容 𝐶𝐿CL​ 的充、放电时间很短，从而有效地减小了电路的传输延迟时间。

图3.6.2展示了Bi-CMOS与非门的电路原理图：

• 只要输入 𝐴A 或 𝐵B 中有一个为低电平，𝑇6T6​ 导通，𝑇9T9​ 截止，输出为高电平。
• 只有当 𝐴A 和 𝐵B 同时为高电平时，𝑇7T7​ 导通，𝑇6T6​ 截止，输出为低电平。

图3.6.3展示了Bi-CMOS或非门的电路结构：

其逻辑功能请自行分析。

 

3.6.2 Bi-CMOS 集成电路的各种系列

自20世纪90年代以来，各种系列的Bi-CMOS集成电路产品相继上市。早期产品的电源电压取为5V，以使其输入、输出电平与74系列TTL电路及74HCT、74AHCT系列CMOS电路的电平兼容。随着低压CMOS电路的广泛应用，陆续出现了一些能够在低压下工作的Bi-CMOS集成电路产品。这些低压系列产品可以在3.3V、2.5V甚至1.2V的电源电压下工作，并且能提供高达32mA或64mA的驱动电流，同时具有很小的传输延迟时间。

以下是TI公司生产的几种74系列Bi-CMOS集成电路产品的简要介绍及其主要性能特点：

74ABT系列

• 特点：5V逻辑的Bi-CMOS集成电路产品，是74BCT系列的改进系列。
• 电源电压：5V（±10%范围内可正常工作）。
• 逻辑电平兼容：与74系列TTL电路及74HCT、74AHCT系列CMOS电路兼容。
• 应用：主要用于输出缓冲/驱动器，作为总线接口电路使用。
• 例子：74ABT240A具有3态输出的8线缓冲/驱动器。
• 性能：
  • 高电平驱动电流最大值：32mA
  • 低电平驱动电流最大值：64mA
  • 传输延迟时间：3ns（最小值可达1ns）

74ALB系列

• 特点：低压系列，电源电压额定值为3.3V。
• 电源电压：3.3V（±10%范围内可正常工作）。
• 逻辑电平兼容：与5V电源下的TTL和HCT、AHCT系列的逻辑电平兼容，便于实现5V与3.3V系统的转换。
• 应用：用于高速接口电路。
• 例子：74ALB16244是16位的3态输出缓冲/驱动器。
• 性能：
  • 工作电压下驱动电流：25mA
  • 平均传输延迟时间：1.3ns（最小值可达0.6ns）

74ALVT系列

• 特点：低压Bi-CMOS系列，用于接口电路，能在3.3V和2.5V电源电压下工作。
• 电源电压：3.3V或2.5V。
• 逻辑电平兼容：与5V逻辑电平兼容。
• 应用：用于5V与3.3V或2.5V系统的逻辑电平转换。
• 性能：
  • 工作在3.3V电源电压时：
    • 高电平输出电流最大值：32mA
    • 低电平输出电流最大值：64mA
    • 传输延迟时间：3.2ns
  • 工作在2.5V电源电压时：
    • 高电平输出电流最大值：32mA
    • 低电平输出电流最大值：64mA
    • 传输延迟时间：略大于工作在3.3V时

以下是几种Bi-CMOS集成电路系列主要性能参数的比较：

系列	参数名称及符号	74ABT	74ALB	74ALVT
电源电压	𝑉𝐶𝐶VCC​ (V)	5	3.3	3.3/2.5
输入高电平最小值	𝑉𝐼𝐻VIH​ (V)	2	2	2
输入低电平最大值	𝑉𝐼𝐿VIL​ (V)	0.8	0.6	0.8
输出高电平最小值	𝑉𝑂𝐻VOH​ (V)	2	2	2/1.7
输出低电平最大值	𝑉𝑂𝐿VOL​ (V)	0.55	0.2	0.55/0.4
高电平输出电流最大值	𝐼𝑂𝐻IOH​ (mA)	32	25	32
低电平输出电流最大值	𝐼𝑂𝐿IOL​ (mA)	64	25	64
传输延迟时间	𝑡𝑝𝑑tpd​ (ns)	3	1.3	3.2/3.6

Bi-CMOS电路结合了CMOS电路的低功耗和双极型电路的高驱动能力，特别适合需要高驱动电流和高速运作的应用场景。