NAND FLASH ECC 校验机制分析

     常用的NAND FLASH 校验机制分析如下：

ECC校验每次对256字节的数据进行操作，包含列校验和行校验。对每个待校验的Bit位求异或，若结果为0，则表明含有偶数个1；若结果为1，则表明含有奇数个1。列校验规则如图1所示。256字节数据形成256行、8列的矩阵，矩阵每个元素表示一个Bit位。

其中CP0 ~ CP5 为六个Bit位，表示Column Parity（列极性），

CP0为第0、2、4、6列的极性，CP1为第1、3、5、7列的极性，

CP2为第0、1、4、5列的极性，CP3为第2、3、6、7列的极性，

CP4为第0、1、2、3列的极性，CP5为第4、5、6、7列的极性。

用公式表示就是：CP0=Bit0^Bit2^Bit4^Bit6， 表示第0列内部256个Bit位异或之后再跟第2列256个Bit位异或，再跟第4列、第6列的每个Bit位异或，这样，CP0其实是256*4=1024个Bit位异或的结果。CP1~ CP5 依此类推。

行校验如图2所示

其中RP0 ~ RP15 为十六个Bit位，表示Row Parity（行极性），

RP0为第0、2、4、6、….252、254 个字节的极性

RP1-----1、3、5、7……253、255

RP2----0、1、4、5、8、9…..252、253 （处理2个Byte，跳过2个Byte）

RP3----2、3、6、7、10、11…..254、255 （跳过2个Byte，处理2个Byte）

RP4----处理4个Byte，跳过4个Byte；

RP5----跳过4个Byte，处理4个Byte；

RP6----处理8个Byte，跳过8个Byte；

RP7----跳过8个Byte，处理8个Byte；

RP8----处理16个Byte，跳过16个Byte；

RP9----跳过16个Byte，处理16个Byte；

RP10----处理32个Byte，跳过32个Byte

RP11----跳过32个Byte，处理32个Byte；

RP12----处理64个Byte，跳过64个Byte

RP13----跳过64个Byte，处理64个Byte；

RP14----处理128个Byte，跳过128个Byte；

RP15----跳过128个Byte，处理128个Byte；

可见，RP0 ~ RP15 每个Bit位都是128个字节（也就是128行）即128*8=1024个Bit位求异或的结果。

综上所述，对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果，16个Bit的行校验结果，共22个Bit。在Nand中使用3个字节存放校验结果，多余的两个Bit位置1。存放次序如图3所示：

以K9F1208为例，每个Page页包含512字节的数据区和16字节的OOB区。前256字节数据生成3字节ECC校验码，后256字节数据生成3字节ECC校验码，共6字节ECC校验码存放在OOB区中，存放的位置为OOB区的第0、1、2和3、6、7字节。