IGBT模块动态特性测试系统STA3500

本文详细介绍了陕西天士立科技有限公司的IGBT模块动态特性测试系统STA3500,包括其电气配置、测试条件、试验能力和关键参数指标,适用于半导体检测、电学检测及可靠性分析。
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陕西天士立科技有限公司 IGBT模块动态特性测试系统STA3500


IGBT模块动态特性测试系统STA3500

电气配置

高压源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV

高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA

短路电流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50µs)

驱动电压/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V

Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手动和自动切换)

负载/L:10 50 150 500 1000 2000 uH

电流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

测试条件

Vcc范围:50-3300

VIC范围:50-200A(雪崩条件)

IC范围:50-1500A

L电感:10/50/150/5001000/2000uH

VGE(on/off):±30V(电压可设置)

tp测试时间:10-1000us(自动计算)

twsoff脉冲间隔:10-50us(可设置)

电阻范围:0.5R、1R、2R、4R(Qg条件)

IscMAX(最大):6KA/10KA(SC条件)

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

试验能力

标配,开关特性/Turn_ON/OFF_L

标配,二极管反向恢复特性/Qrr-FRD

标配,栅电荷/Qg

选配,短路特性/SC

选配,单/双脉冲安全工作区/RBSOA(Sp/Dp)

选配,雪崩耐量/UIS

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

波形例举

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

参数指标

标配(阻性/感性)开关测试单元/Turn_ON/OFF_L

  1. 开通/关断时间ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  2. 开通/关断延迟td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  3. 上升/下降时间tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  4. 开通/关断损耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ
  5. 关断拖尾时间tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  6. 导通/关断峰值电压Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4%
  7. 通态峰值电流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4%

标配 二极管反向恢复测试单元/Qrr_FRD

  1. 反向恢复时间Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4%
  2. 最大反向电流Irm:20A-1500A解析度:1A
  3. 反向恢复电荷Qrr:1nC-30000µC解析度:1nC
  4. 反向恢复损耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ
  5. di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us
  6. 反向关断峰值电压VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4%
  7. 正向关断电流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4%

标配 栅极电荷单元/Qg

  1. 阈值电荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
  2. 栅电荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
  3. 平台电压vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2%
  4. 栅源电荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
  5. 栅漏电荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%

选配 短路特性测试单元/SCSOA

  1. 短路电流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4%
  2. 短路时间Tsc:5~100us

选配 安全工作区/RBSOA

  1. RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA
  2. VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4%

选配 雪崩特性测试单元/UIS

  1. 单/重复脉冲雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ
  2. 单脉冲雪崩电流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
  3. 单脉冲雪崩功率PAS:最大140KW

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

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