芯片内部结构完全解密-MTK 天玑9200

本文详细解析了联发科天玑9200芯片的内部结构,包括模块分布、工艺估算和性能提升,展示了芯片设计的复杂性和技术创新。特别关注了APU、GPU和CPU等关键模块的变化,以及联发科与台积电合作在工艺和能效上的优势。

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MTK天玑9200芯片级解析。启芯对芯片内部结构非常着迷,收集了不少芯片内部结构的文章和Die short, 以及floorplan。

芯片设计是技术和艺术的集合。后续会整理好,陆续分享出来,争取每周更新一颗芯片的内部结构解密。

今天主要解密联发科的上一代旗舰新品天玑9200芯片。

背景:

联发科2022年推出的旗舰芯片天玑 9200,该芯片拥有170亿个晶体管,且功耗进一步降低。这使得其拥有高性能、高能效和低功耗三个特点。

众所周知,在摩尔定律的指导下,芯片厂商在过去多年里都在追求如何在相同的面积中集成更多晶体管,获取更高的性能, 也就是芯片设计的PPA准则。与此同时,他们还希望能够在芯片上实现功耗控制这个目标。

但是随着工艺走到了7纳米以下,这就成为了一个极难完成的任务。9200的成功除了得益于台积电第二代的4nm工艺支持以外,联发科在芯片各个模块上的设计和投入也功不可没

1、die shot

芯片的die shot是我最喜欢看的部分,所以先直接上 Dieshot

模块分析:

首先,整体来看,上下四个角是4个16bit LPDDR5X IP模组,最高支持4266MHz,放在四个方向主要是为了PoP封装考虑,最大限度压榨内存性能;

然后,左上方是APU区域;

接着,左下角一大片是手机通讯最重要的基带;

接着,右上角是GPU处理单元,右下角是CPU单元及DSP,CPU和GPU中间是cache,盲猜这样的设计应该是为了兼顾各大块存取方便;

最后,各接口位于Die的四周边缘,便于和外界接口连接。

芯片工艺估算:

Diesize 经测试大小为 11.34x10.63mm,也就是 120.5mm

这里介绍一个大概估算工艺密度方法:

已知条件是:TSMC N4 为 146mtr(6T)

答:可以大概估算,146/6T, 对应的7.5T就是116.8 mm,和120.5mm估算区间吻合。

2、die mark

下图是这颗芯片 的 Diemark

下面具体die mark 部分局部放大后,如下图

提取文字分别是:

MEDIATEK    
24FEB2022
AHJ11296B

解读:

第一行是 MTK的标识

第二行是 Time,具体则为 Day Month Year,解读可得 其为 2022 年 2 月 24 号生产

第三行,具体含义不太明确

3、根据功能模块分析

CPU部分

这代的天机是采用了 1+3+4 的三从集

  1. D9000和D9200的大概的布局基本相同
  2. 特殊的是本来在 D9000 中的三明治结构变成了类似于 n 的结构
  3. 从 cpu L3 cpu 变成了 cpu 包裹着 L3
  4. 可能对于缓存的访问延迟有一定改良
  5. 以及 CPU core 的布局从本来的躺倒变成了树立,减少了 CPU Cluster 的总体宽度

在微架构方面从上代的X2+A710+A510c变成了X3+A715+A510c

4、GPU 模块

在 gpu 中,有以下主要变化,这次从上代的 Mali g710 mp10 升级到了 Mali-Immortalis-G715

  1. 其中 Ray Tracing 也就是 RTU 模块
  2. 是放在 shader core 中
  3. 仅占其 Shader Core 面积的 4%
  4. 却实现了 300% 的游戏性能提升

同样的,在其核心配置中,G715i 相比较 G715 没有变化

虽然 G710 这一代将单核计算单元相比较上代 G78 翻倍

  1. 但是在 G715 中再次将单核计算单元翻倍
  2. 每个核有 128 个 FMA
  3. 可以完成 256 FP32 operations/clock
  4. 而 pixel 能力和 texture 能力却保持不变。

5、APU部分

MTK 其实用了很大的面积来写这个 Apu

上代是 4+2,相比之下这代也是 4+2

只有在大核中看到些许的变化,其通用核心基本没有变化

来自于 mtk 官网:

  1. 第六代 MediaTek APU 升级了共享内存引擎
  2. 使 APU 的 VPU、DMA 和 DLA 处理器获得更高的运算能效。
  3. 新一代网络架构搜寻技术为机器学习(ML)应用带来更出色的性能和功耗表现。
  4. 得益于 eXtreme 省电模式和 APU 硬件升级
  5. 相较于第五代 APU(APU 590)
  6. APU 690 的 AI 性能提升高达 35%
  7. AI 视频超分(AI-SR)能效提升 45%
  8. AI 降噪(AI-NR)能效提升 30%。

点评:由于高通错误的决策,在前几代芯片中采用三星并不完善的工艺,造成了手机芯片发热严重,极大的影响了高通芯片的市场份额,此消彼长,联发科因此了喘息的机会,市场份额有了相当的提升。其中一个原因是,联发科和台积电同属于中国台湾的一线芯片阵营,有较为坚实的同盟关系,台积电的工艺更好,能耗比更优。

OK, 今天分享就这么多。

图片及部分分析来源于@Kurnal

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