在PC时代,DDR的内存颗粒一直是主导;在ARM移动时代,LPDDR逐渐后来居上,发展势头更猛。但内存领域,三星、镁光、海力士等国际大厂长期占据主导地位,而国产厂商如长鑫的崛起也为市场注入新活力,并且接连突破了DDR5和LPDDR5, 之前将DDR4的价格打下来了,随着DDR5和LPDDR5的技术突破,有望更快速将最新的DDR国产化。
本文将聚焦LPDDR5 SDRAM,详细拆解各厂商的命名规则,助你在选型时游刃有余!
一、三星(Samsung):编码复杂,细节决定性能
三星的颗粒型号以16位数字编码(如K3XXXXXXXX)为核心,关键字段解析如下:
第1,2位:固定为“K3”,代表内存芯片。
第3位:技术代际标识,例如:
H:DDR颗粒(如DDR4/5)。
L:LPDDR系列,常见于低功耗产品(如LPDDR5)。
第4-5位:容量与位宽,例如“A6”代表8Gb容量、32位宽。
末尾字段:频率与时序,如“CL0”对应6400MHz的高频规格。
选型建议:三星LPDDR5颗粒以1z工艺(14nm级)著称,能效比突出,适合移动设备。
二、镁光(Micron)
镁光颗粒型号以“MT”开头,例如MT62F2G64D8CL-023 WT:B:
MT:镁光标识。
第3-4位:产品线代号,“62”代表LPDDR5。
容量标识:“F2G”表示单颗2Gb容量。
速度与时序:“D8CL”中的“023”对应6400MT/s传输速率,时序CL=22。
封装信息:“WT:B”表示中国台湾省封装。
技术亮点:镁光LPDDR5采用1y工艺(16nm级),成本控制优秀,但超频潜力较弱。
标注有点错位了,但我相信大家肯定能看懂。
三、海力士(SK Hynix):A-DIE称霸DDR5时代
海力士颗粒型号以“H5”或“H9”开头,关键字段解析:
容量标识:如“H58”代表LPDDR5的内存颗粒。
版本代号:A-DIE(高频低时序)、M-DIE(性价比)等,例如:
A-DIE:时序C36,支持8000MHz+超频,电竞首选。
新M-DIE:时序优化至C38,兼顾性能与价格。
工艺节点:1y工艺(14nm级),LPDDR5能效比接近三星。
市场现状:海力士A-DIE占据DDR5第一梯队,超频潜力碾压竞品。
四、南亚(Nanya):性价比之选
南亚颗粒型号结构简单,例如NT6AN4T8。但看起来,南亚目前还没有LPDDR5产品
NT:南亚标识。
第3-4位:容量,如“6A”代表8Gb。
时序标识:末尾数字越小性能越优,如“T8”对应CL=16。
五、铠侠(Kioxia):专注存储,颗粒合作生产
铠侠原为东芝存储部门,主攻NAND闪存,其DRAM颗粒多与美光等厂商合作生产。型号规则与美光类似,需结合合作方编码判断。
六、长鑫(CXMT):国产突围,DDR4主力
长鑫颗粒型号以“CX”开头,例如CXDQ3A8AM:
CX:长鑫标识。
第3位:代际,“D”代表DDR4。
容量:“Q3A”表示8Gb。
据官方消息,2023年11月28日,长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品,包括12Gb的LPDDR5颗粒,12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。
选型终极指南
高频需求:首选海力士A-DIE(7200MHz+)或三星1z工艺。
能效优先:三星LPDDR5(1z工艺)适合笔记本/手机。
国产支持:长鑫LPDDR5。
未来趋势
三星、海力士、镁光已推进至10nm级工艺,LPDDR5X速度突破8533MT/s。而长鑫等国产厂商正加速技术追赶,DRAM市场将迎来多元竞争。关注颗粒命名规则,方能精准匹配需求,抢占性能高地!