主要分享硬件、嵌入式软件部分知识

三极管是流控流器件，它不能驱动功率太大的器件，因为此时C极电流大，而CE压降为0.3V左右，在三极管上面消耗的功率就很大，还容易发热。所以压控压型的MOS管就诞生了。特性一开始给GS端电容充电的过程中是有电流的，当MOS管完全导通后，栅极基本没有电流。MOS管各极之间都因工艺有一个等效电容，这里引入三个电容的概念：（1）输入电容Ciss = Cgd + Cgs（2）输出电容Coss = Cgd + Cds（3）密勒电容Crss = Cgd与三极管的CE端导通压降固定不同，MOS管的

可以将MOS管理解为一个可调电阻，电压控制电流。MOS管的源极和栅极之间会有一个结电容。现在在栅极加上一个门电路(与门/非门/或门随意，用来模拟MOS管开关，即电平跳变的过程)。当门电路输出的信号跳变时，电流是非常大的，会导致MOS管发热，所以需要在门电路后面再串联一个电阻，这个电阻很小，一般在10Ω左右。图中电容实际是不存在的假设门电路的输出为方波，RC电路的充放电波形如下：假设图中Vm为5V。当输入从低电平跳变为高电平时：MOS管的栅极电压并不能一下从0变为5V，而MOS管栅极从0

在看这篇文章之前请务必确保掌握PN结、二极管原理详解与应用中的内容对于三极管的符号、PNP和NPN的区别等基础知识这里不做讲解文章目录1 原理1 原理先以NPN三极管为例：图中集电极电子应该画少点(掺杂少)，尺寸应画高些(体积大，不易发热)，后面会有说明基极和发射极正偏，所以发射极的电子会扩散到基极。由于集电极和基极PN结反偏，其耗尽区增大，方向为N->P的电场增大。此时增大电压不像正常浓度掺杂的PN结一样随着电压增大而漂移电流几乎不变，因为基极的掺杂很少且很薄，所以扩散到基极的.

文章目录1.非本征半导体2 PN结2.1 原理2.2 扩散、漂移和势垒电压2.3 正反向偏置2.4 PN结的二极管特性3 应用3.1 全波整流3.2 齐纳二极管(Zener Diode)1.非本征半导体（1）非本征N型半导体(非本征即掺杂的、不纯净的)Si为14族元素，我们可以添加13族或15族的元素使其变为非本征半导体，这里我们选15族的P使其变为非本征N型半导体。P有5个电子，Si有4个电子，而P有可能会取代某个Si原子：此时P的四个电子会和相邻的硅原子形成共价键，多出的那一个电子称为施主杂质