关于PN结

关键字：P（positive）型半导体、N（negative）型半导体、PN结、多子、少子、空间电荷区、内电场、扩散运动、漂移运动、

   1  PN结：在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

   2  PN结的内电场方向由N区指向P区。

   3  N型半导体参杂5价元素，形成自由电子，多子为自由电子。

   4  P型半导体参杂3价元素，形成空穴，多子为空穴。