STM32F103C8T6概述

一、系统构架

STM32F103 系列的架构如下图所示：

其中包括四个驱动单元和四个被动单元。

驱动单元(图中红色框)

• D-bus: DCode总线（Data code）
• S-bus: 系统总线（system bus）
• DMA1: 直接存储器访问1（Direct memory access）
• DMA2: 直接存储器访问2（Direct memory access）

被动单元(图中绿色框)

• Flash：闪存存储器
• SRAM: 静态内部存储器（static ram）
• FSMC: 灵活的静态存储控制器(Flexible static memory controller)
• AHB总线和AHB到APBx总线:  高性能总线AHB(Advanced High Performance Bus), 高性能外设总线APB(Advanced Peripheral Bus)

二、内存映射

stm32是32位单片机，理论上会有4G(2^32)的内存空间，但是实际没有那么大。在这 4GB 的地址空间中，ARM 已经粗线条的平均分成了 8 个块，每块 512MB。

4G内存

内存映射图如下所示

block2所示的外设按照APB1->APB2->AHB的顺序进行排列。

但是实际上用CubeMX生成的是如下所示

#define SRAM_BB_BASE          0x22000000UL /*!< SRAM base address in the bit-band region */
#define PERIPH_BB_BASE        0x42000000UL /*!< Peripheral base address in the bit-band region */

/*!< Peripheral memory map */
#define APB1PERIPH_BASE       PERIPH_BASE
#define APB2PERIPH_BASE       (PERIPH_BASE + 0x00010000UL)
#define AHBPERIPH_BASE        (PERIPH_BASE + 0x00020000UL)

AHB实际是从0x40020000开始的。

2.1 位带（bit band）

        Cortex™-M3存储器映像包括两个位带 (bit-band) 区,一个在SRAM区域（block1），另一个在peripherial区域（block2）。这两个位带区将别名存储器区中的每个字 映射到位带存储器区的一个位，在别名存储区写入一个字具有对位段区的目标位执行读- 改 - 写操作的相同效果。

 两个位带区：

• 0x2000_0000‐0x200F_FFFF（SRAM 区中的最低 1MB）
• 0x4000_0000‐0x400F_FFFF（片上外设区中的最低 1MB）

转换公式如下：

bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset×32) + (bit_number× 4)

备注：

•  bit_word_addr是别名存储器区中字的地址，它映射到某个目标位。
•  bit_band_base是别名区的起始地址。
•  byte_offset是包含目标位的字节在位段里的序号
•  bit_number是目标位所在位置(0-31)

例子：

下面的例子说明如何映射别名区中 SRAM 地址为 0x20000300 的字节中的位 2 ：

0x22006008 = 0x22000000 + (0x300 × 32) + (2 × 4).

对 0x22006008 地址的写操作与对 SRAM 中地址 0x20000300 字节的位 2 执行读 - 改 - 写操作有着相

同的效果。

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