存储器分类
按在计算机中的作用分类
- 主存:用来存放计算机运行期间所需的大量程序和数据,CPU可以直接随机的对其访问,也可以和Cache以及外存交换数据。特点是容量较小、速度较快、价格较高。
- 外存:用来存放当前暂时不用的程序和数据,以及一些永久性保存的信息,不能与CPU直接发生信息交换。特点是容量大、速度慢、成本低。
- cache:位于主存和CPU之间,用来存放正在执行的程序段和数据段,以便CPU能高速的使用他们。cache存储速度可以和CPU速度匹配。特点是容量更小,成本更大。
按存取方式分类
- RAM:随机存储器,存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取,而且存取时间和物理地址无关。主要用作主存或Cache。RAM又分为静态RAM(用触发器寄存信息)和动态RAM(用电容寄存信息)
- ROM:只读存储器、存储器的内容只能随机读出但不能写入。信息一旦写入就固定不变了,即使断电,内容也不会丢失。主要用它存放固定不变的程序、常数和汉字,OS的固化。与RAM作为主存的一部分,统一构成主存的地址域。
- 串行访问存储器:对存储单元进行读写操作时,按照物理位置的先后顺序寻址,包括顺序存取存储器(磁带)和直接存取存储器(磁盘)
存储器的性能指标
- 存储容量:比如1M * 8位,表明可以寻址1M个空间,一个空间存储8bit。此外,MAR(即地址线)有20位,MDR有8位。
- 单位成本:总成本 / 总容量。
多级存储系统
- 主存和Cache之间的数据调动是由硬件自动完成的,对所有的程序员都是透明的。
- 主存和外存的数据交换是硬件和OS共同完成的,对应用程序员透明。
SRAM和DRAM
- SRAM的存储元氏用双稳态触发器来记忆信息的,因此即使信息被读出后,还会保持原有状态。但是断电会丢失信息。因此这是易失性半导体存储器。特点是存取速度快、集成度低、功耗大。一般用作Cache。
- DRAM利用电容来存储信息,并且采用地址复用技术,地址线是原来的一半,且地址信号分行列两次传送。特点是易集成、容量大、功耗低,速度比SRAM慢,常用作主存。
由于DRAM用电容存储信息,电容只能维持1-2ms,即使不掉电,信息也会自动消失,为此,每隔一段时间必须刷新,这个时间称为刷新周期。常见的有三种:集中刷新、分散刷新、异步刷新。
- 集中刷新:对存储器所有行进行逐一再生,在此期间停止对存储器的读写操作,这个时间叫死时间或者叫访存死区。
- 分散刷新:把对每一行的刷新分散到各个工作周期中去。这样,一个存储器的系统工作周期分为两部分:前半部分用于正常读写或保持;后半部分用于刷新某一行。这种刷新方法增加了系统存储周期。但是没有死区。
- 异步刷新:是前两种方法的结合,可以缩短死时间。具体做法是将刷新周期除以行数,得到两次刷新操作之间 的时间间隔t,利用逻辑电路每隔时间t刷新一次。
DRAM刷新是对CPU透明,不依赖于外部的访问;DRAM刷新的单位是行,故刷新仅仅需要行地址。
类型或特点 | SRAM | DRAM |
存储信息 | 触发器 | 电容 |
破坏性读出 | 否 | 是 |
是否需要刷新 | 否 | 是 |
送行列地址 | 同时送 | 分两次送 |
运行速度 | 快 | 慢 |
集成度 | 低 | 高 |
发热量 | 大 | 小 |
成本 | 高 | 低 |
应用 | cache | 主存 |
只读存储器
特点
ROM和RAM都支持随机存取的存储器,其中SRAM和DRAM是易失性存储器。ROM不是。特点是结构简单,可靠性高
分类
- MROM:掩膜式只读存储器,厂家生产过程中直接写入,别人无法更改。
- PROM:一次可编程只读存储器,可以写入一次,写入后无法更改。
- EPROM:可擦除可编程只读存储器,可以写入多次。分为两种紫外线擦除(UVEPROM)和电擦除(EEPROM)。不能取代RAM,因为编程次数有限,且写入时间较长。
- Flash Memory:就是常说的闪存,可以在不加电的情况下长期保存信息,又能快速擦除和读写。SSD就是它的一个应用。