[模集学习1-器件篇]BJT管&MOS管（1）

先从最基本的器件开始吧，懒得用电脑画图，尽量用网络图片（侵权即删）或者我自己手画的图，自用为主，请见谅。

一、 PN结

1. 材料

本征半导体：纯净的晶体结构的半导体。 

P型半导体：在本征半导体中掺杂B等，多子为空穴，少子为电子。

N型半导体：在本征半导体中掺杂P等，多子为电子，少子为空穴。

2. PN结：P型半导体与N型半导体接触，接触面参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，产生PN结。（见下图，引用自PN结_百度百科）

（1）生成机理：首先，因为P型半导体和N型半导体中的多子种类不同，导致两者之间存在浓度差。浓度差导致扩散运动，从浓度高的流向浓度低的；即P区的多子空穴朝着N区运动，N区的多子电子朝着P区运动。这样的双向奔赴，导致了空穴和电子的复合，并且分别留下了孤独的负电荷和正电荷。接着，被抛弃的正负电荷形成了空间电荷区（耗尽区、内建电场、势垒区），并产生了内电场。然后，内电场带来了漂移运动，空穴受电场力作用，被从右边推向了左边（如图内电场方向）；电子与空穴受力相反，从左边被推向了右边。而这样的空穴、电子运动，与一开始的扩散运动正好相反。所以，当扩散运动和漂移运动相当的时候，系统趋于稳态，PN结就此形成。

 （2）特性

PN结有2个比较重要的特性，一个是单向导电性，一个是电容效应。单向导电性是为了晶体管工作做铺垫，电容效应则是为晶体管电路的频率响应特性做铺垫。

①单向导电性

简单六个字概括：正向通，反向止。

这里的“正反”是指外加电场的正电压夹在了正极or负极上面（P型为正极端，N型为负极端）。

正向外加电场：外加正电压加在了正极（即耗尽区的负极），削弱了内建电场（耗尽区），耗尽区变窄，漂移运动减弱，扩散运动增强，更易导通。（通过之前的分析，可以发现漂移运动是少子的运动，但扩散运动是多子的运动，所以扩散运动会带来更高的电流，因此扩散运动占主导的情况可以认为导通）

反向外加电场：与正向相反，使耗尽区更宽，漂移电流增强，但漂移电流是少子带来的，因此认为截止。

 ②电容效应

回顾一下什么叫电容？电荷量的多少变化其实就是电容，可以认为成电荷和时间上的函数关系。

势垒电容：上文的单向导电性说到了耗尽层变宽变窄，而这种变化就是电荷量随着时间的多少变化，这就是势垒电容。可以把耗尽区想象成平板电容的两块极板来理解。

扩散电容：顾名思义，载流子扩散运动生成的电荷。这里指的是在加了正向电压之后，载流子的浓度变化带来的电容。

电容会带来工作频率方面的问题，一旦频率不合理，就会导致器件失去单向导电性，影响使用。

二、 二极管

把PN结封装起来，也就形成二极管了。网上老有人喷人就说对方是二极管啊，听到1就啊对对对，听到0呢就开始喷开始激情骂人，就是这种意思，正向通，反向止，没有中间地带。不扯了，对于器件的理解，我觉得最重要的是公式（I-V-R）和特性曲线。（晚点补）

三、 BJT管

四、 场效应管