[模集学习2-电路篇] 噪声做题看这篇就够了

突然跳到这是因为噪声就学过一遍,印象不深刻,甚至很生疏。

急于做题的看总结的噪声公式表格分析方法梳理即可。

我不创造模集,我只是拉扎维的搬运工,如有错误,希望大家指出,一起讨论。

一、 几个参数

1.  平均(噪声)功率:作用于电阻R上,单位为V^2,x为一个周期性电压,不用W是因为除以R是很容易的步骤,在此不用刻意强调。

 2.  噪声谱:又称“功率密度谱”(PDS),即Sx(f),为偶函数;表示在每个频率上信号具有的功率大小。通常为频率f附近1Hz带宽内的平均功率,单位为V^{2}/Hz

 3. 信噪比:即输出信号与输出噪声的功率之比。

二、 几个定理

1. 将噪声谱Sx(f)的信号加在一个系统输入端,那该信号会被系统整形。(个人理解的说法,详细见拉扎维书)

 2. 对噪声谱在一定频率范围内进行积分,就得到了功率谱,表示预计波形在时域中变化的快慢。

 3. 噪声幅值分布服从高斯概率分布函数。 

 4. 噪声的相关性: 将2个噪声波形叠加,计算平均功率,并对此取平均值,得到如下公式:

 最后一项即体现2个噪声的相关性,如果为0,则不相关。

三、 噪声类型

电子噪声和环境噪声两类,书中着重讨论电子噪声

1. 热噪声:热噪声来源于电子运动,因此热噪声谱与绝对温度成正比。

        (1)电阻: 用一个串联电压源或并联电流源(4kT/R)模拟电阻产生的热噪声;

                单边谱密度为

     其中,k为玻尔兹曼常数,T为绝对温度,也就是说只要带入电阻值R,即可求得它产生的热噪声。从公式和频谱图可以看出,该噪声为白噪声。(在频带内平坦)

               (2) MOS晶体管:产生于长沟道和欧姆区。

        先说产生于长沟道的,用一个连接在源漏两端的电流源来模拟。

        谱密度:

        \gamma通常为\frac{2 }{3} ,即带入温度和MOS管跨导即可求出热噪声。

        补充:电路输出端测得噪声与输入端位置无关,这是因为计算输出噪声时把输入置零了。这可以简化我们对输出端的噪声计算,例如,只要是在D极输出,那么共源和共栅结果相同。

        再说欧姆区的,本质还是栅、源、漏电阻产生的热噪声,乏善可陈。

2. 闪烁噪声(1/f 噪声):MOS晶体管产生的,由于栅氧化层和硅衬底界面处为单晶体边界,出现了悬挂键,当载流子被俘获或释放时候,漏电流中就出现了闪烁噪声。用一个与栅极串联的电压源模拟该噪声。

        噪声谱:

        其中,K为工艺常量。可以观察到,低频情况噪声明显,而面积(WL)越大,噪声就越小。

四、电路中的噪声

讲完器件的噪声那自然就要讲电路中的噪声了,前面提到了一个噪声谱为s的电压输入到一个系统中,会被整形。这个定理在电路分析中会被用到。为了更方便学习,我们梳理以下器件噪声的公式,做一个表格。

热噪声闪烁噪声
电阻MOS晶体管MOS晶体管
4kTR4kT\tfrac{2}{3}g_{m}\frac{k}{C_{ox}WL}\tfrac{1}{f}
串联一个电压一个连接在源漏两端的电流一个与栅极串联的电压

        1. 电路分析方法

                噪声源确认(电阻、MOS管)=> 噪声源到输出之间的传输函数 => 利用定理,求出输出端的噪声谱 => 叠加噪声,注意相关度(大多数情况不相关

                值得注意的是,我们串联电压源和并联电压源是等效的,我们要根据噪声的相关情况及电路分析的难易情况来决定模拟噪声源的方式。

        2. 电路噪声分析

        (1) 电路输入输出端噪声的关系体现在电路增益上,为输出是输入的增益平方倍。输出常用输出端的电流噪声乘输出电阻得出。值得注意的是,如果输入输出端有关(如源漏端,共栅情况),则需要将输入接地,计算输出;否则,直接计算输出端(如共源、共漏)。

        (2)输入端噪声需要一个串联电压源和一个并联电流源一起模拟(避免前级输出阻抗过大带来的对增益算法的错误计算)。如下图,用信号源阻抗为0或无穷大来计算电压或电流的噪声。

         其中,电压噪声利用输出端的噪声除以增益平方即可。

         电流源需要将输入开路,并根据电流源和增益得到输出噪声电压(电流源在输入端等效的电压乘以增益)。再求出输入开路时,电路的输出噪声电压(输出噪声电流乘以输出电阻),使两者相等。

        (3) 参考热噪声,不用在全频带积分;噪声,需要在整个频带积分。

        (4)输入阻抗低,且频率再低,也不可忽略输入参考噪声电流。(为什么?个人理解,该模拟噪声的方法是将前级输出等效为一个有感性输出阻抗的戴维南等效电路。低频情况,前级输出阻抗也会低,但是本级输入阻抗更低,无法忽略输入参考噪声电流;如果本级输入阻抗很高(栅极输入),那即使是高频情况(即前级输出阻抗高),也可以看作信号源阻抗为0,忽略输入参考噪声电流)

        (5)注意电容旁路电阻or MOS管噪声。

五、 总结

热噪声闪烁噪声
电阻MOS晶体管MOS晶体管
4kTR4kT\tfrac{2}{3}g_{m}\frac{k}{C_{ox}WL}\tfrac{1}{f}
串联一个电压一个连接在源漏两端的电流一个与栅极串联的电压

 题型:求电路的参考噪声电压、参考噪声电流、信噪比、如何减小噪声影响 

 分析方法: 

(1)参考噪声电压/电流

 case 1: 输入输出端开路(如栅源、栅漏),忽略输入参考噪声电流

        输出参考噪声电压:负载在输出端的噪声源(并联电流源模拟)✖ 输出阻抗的平方;

        输入参考噪声电压:输出参考噪声电压➗电路增益的平方 (负载折算)➕ 输入端的噪声源(串联电压源模拟);

 case 2: 输入输出端不开路(源漏)

        输入参考噪声电压:输入接地产生的电流源模拟噪声x阻抗的平方=输入端噪声电压x增益的平方。 

        输入参考噪声电流:输入开路,并根据电流源和增益得到输出噪声电压(电流源在输入端等效的电压乘以增益)= 输入开路,电路的输出噪声电压(输出噪声电流乘以输出电阻)

 case 3: 差分电路:多输入,多输出,不可以使用半边电路法,只可以用叠加法

方法类似于共源级的分析,但是把负载管折算到输入端更复杂。

(2) 信噪比套公式即可,正弦波signal的功率为\tfrac{A^2}{2} , A为幅值。

(3) 减小噪声:依据公式推得,懒得推的直接看公式

共源级: 减小输入参考噪声电压(热噪声)需要使放大管跨导最大,通过增加漏电流或器件宽度,但会增加功耗和减小输出摆幅,或增加Rd,但减小电压余度和降低速度; 使信噪比最大,负载电容必须最大,带宽则必须最小;降低闪速噪声,主要方法是增加管子面积,但增加了寄生电容。

共栅级: 减小输入参考噪声电流需要使放大管跨导最小;无电流增益,负载的噪声电流由输入电流直接引起。

源跟随器(共漏):电压增益小,无法放大有效信号,不用作低噪声放大器。

要是有错误,欢迎大家指出、讨论,我也还是小白。

        

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