【模拟电路】PN结的相关知识

0 前言

空间电荷层是不含有载流子的区域，即绝缘体。

1 电压与空间电荷层的关系

当施加正向电压，即$V_P>V_N$时，P极的多子空穴受排斥作用，向空间电荷层移动，从而导致空间电荷层P侧变窄；N极的多子电子受排斥作用，向空间电荷层移动，从而导致空间电荷层N侧变窄。最终，导致空间电荷层变窄。

当施加反向电压，即$V_P<V_N$时，P极的多子空穴受吸引作用，向P极移动，从而导致空间电荷层P侧变宽；N极的多子电子受吸引作用，向N极移动，从而导致空间电荷层N侧变宽。最终，导致空间电荷层变宽。

2 温度与空间电荷层的关系

P型半导体和N型半导体紧密接触，由于两边空穴和电子的浓度差，P区的空穴会向N区扩散，同样N区的电子会向P区扩散，这样就形成了一个空间电荷区，而空间电荷区的存在会使少子漂移，正好可以抑制这种扩散的发生，当两者达到平衡时，空间电荷区的宽度也就确定了，所以说空间电荷区的宽度是由扩散和漂移共同决定的。
当温度升高时，本征载流子的浓度增大，PN结两边少子的浓度就会增大，这样会使少子的漂移增强，而因为两边的浓度梯度不变，扩散强度不会发生变化，综合这两者，再达到新的平衡后，空间电荷区就会变窄。

3 PN结的伏安特性

$i=I_s(e^{\frac{u}{U_T}}-1)$
其中，
$i$是PN结导通电流；
$u$是PN结两端电压；
$I_s$是反向饱和电流（$10^{-15}A$）；
$U_T=\frac{K_T}{q}$是温度电压当量；
$U_T$的物理意义：穿越PN结的电荷与电压之间的关系。当室温为300$K$时，$U_T=26mV$。
$T$是热力学温度（单位：开氏温度$K$）；
$k$是玻尔兹曼常数($8.63\times 10^{-6}V/K$)；
$q$是单位电子电荷量（单位：库仑C）。

拥有以下两个结论：
1）在保持正向电流不变时，温度每升高$1^{\circ }C$，结电压减少约$2$~$2.5mV$。
2）温度每升高$10^{\circ }C$，反向饱和电流$I_s$增大一倍。

4 PN结的击穿特性

当对PN结外加反向电压超过一定的限度，PN结会从反向截止发展到反向击穿。$U_{(BR)}$称为PN结的击穿电压。反向击穿破坏了PN结的单向导电特性，利用此原理可以制成稳压管。电击穿可以分为齐纳击穿和雪崩击穿。

击穿 种类	掺杂 情况	耗尽层 宽度	击穿机理
齐纳击穿	重掺杂	窄	耗尽区有很强的电场，不是很大的反偏电压就能使耗尽层的 价电子直接被强电场拉出共价键，产生大量电子、空穴对。
雪崩击穿	轻掺杂	宽	电场强度较弱，较小的反偏电压无法产生击穿，当加较大的 反偏电压时，少子在较长的空间电荷区不断加速，动能增大 会撞击耗尽区的中性原子，产生电子、空穴对，反复作用使 载流子数目迅速增加。

电击穿是可逆的（可恢复，当有限流电阻时）。电击穿后如果没有限流措施，将会发生热击穿现象。热击穿是不可逆的，会破坏PN结结构（不可恢复，烧坏）。

5 PN结的电容特性

电容 种类	电压 情况	产生机理
势垒电容$C_T$	PN结反偏时更明显	在耗尽层区域，外加电压变化，耗尽区的宽度变化，则耗尽区中的正负离子数目变化，即存储的电荷量变化。
扩散电容$C_D$	PN结正偏时更明显	在非耗尽层区域，多子扩散到对方区域形成非平衡少子，其浓度随外加电压的变化而变化，因此存储的电荷量也发生变化。