电场强度，电势以及PN结耗尽层宽度

猫的麦克斯韦

已于 2023-05-10 21:51:50 修改

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文章标签： electron

于 2023-05-09 22:47:31 首次发布

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士别三日，我们继续跟进我们半导体物理的基础知识，今天来分享电场强度的概念与计算。我们可以想象，空间电荷是一正一负的，并且相互分离就产生了耗尽层电场。如图1（这次不是手画的了）所示，在N区的 X = + $X{n}$ 和 $_{}$ X = - $X{p}$ （这是一个正常的坐标轴）处空间电荷区突然中止。

图1

半导体内的电场可以由一维泊松方程确定（对于泊松方程，想必大家是既熟悉又陌生，后期会简单介绍）：

$\frac{d^{2}\phi \left ( x \right )}{dx^{2}}=\frac{-\rho \left ( x \right )}{\xi _{s}}= -\frac{dE\left ( x \right )}{dx}$

电势的二阶导 $\frac{d^{2}\phi \left ( x \right )}{dx^{2}}$ 等于负的电场的一阶导 $-\frac{dE\left ( x \right )}{dx}$ ，等于负的体电荷密度与半导体介电常数的比 $\frac{-\rho \left ( x \right )}{\xi _{s}}$ 。然后我们知道电荷密度 ${\rho \left ( x \right )}$ 为

${\rho \left ( x \right )}=-eN{a}$ ， $-X{p}$ <X<0

${\rho \left ( x \right )}=eN{d}$ ， 0<X< $X{n}$

所以对电场积分（大家可能忘记怎么积分了，我把所有公式放在最后，考研要考），由于PN结表面电荷密度不存在，所以电场函数是连续的。

$E=\frac{-eN{a}}{\xi _{s}}\left ( X+X{p} \right )$ $-X{p\leqslant X\leq 0}$

$E=\frac{-eN{d}}{\xi _{s}}\left ( X{n}-X \right )$ $0\leq X\leq X{n}$

为什么这个答案是这样呢？这是因为热平衡状态下没有电流流过半导体，可以看作 $-X{p> X}$ 的电中性P型区内电场为0，令 $-X{p= X}$ ，算出了积分常数C。同理， $X{n= X}$ 处的电场为0，可以算出积分常数C。在冶金结所在处，也就是X = 0处，函数依然是连续的，代入上述方程，且令它们相等，可得

$N{a}X{p} = N{d}X{n}$

说明P区内每单位面积的负电荷数与N区内每单位面积的正电荷数是相等的。在冶金结处的电场为该函数的最大值，如图2（手没有抖）所示，

图2

我们说完电场强度，与其有关的就是电势大小。对电势进行积分，同时设 $-X{p= X}$ 处电势为0，可以计算出积分常数（直接给结果跳过计算，计算交给数学家来算，没毛病。但考研计算要写过程，别忘了），P区电势可得，

$\phi\left ( X \right )=\frac{eN{a}}{2\xi _{s}}\left ( X+X{p} \right )^{2}$ $-X{p\leqslant X\leq 0}$

同理可以得到N区电势，

$\phi\left ( X \right )=\frac{eN{d}}{2\xi _{s}}\left ( X{n}\cdot X-\frac{X^{2}}{2} \right )+\frac{eN{a}}{2\varepsilon _{s}}{X_{p}}^{2}$ $0\leq X\leq X{n}$

通过上述的两个表达式，我们可以得到PN结随距离变化的曲线如图3所示，

图3

$V_{bi}=\left | \phi \left ( X=X_{n} \right ) \right |=\frac{e}{2\varepsilon _{s}}\left ( N_{d}{X_{n}}^{2} +N_{a}{X_{p}}^{2}\right )$

图3中可以看见 X = $X{n}$ 处的电势大小与内建电势差大小相同。我们已知上述表达式，那么就可以推导出我们耗尽层的宽度，

$X_{n}=\left \{ \frac{2\xi _{s}V_{bi}}{e}\left [ \frac{N_{a}}{N_{d}}\right ]\left [ \frac{1}{N_{a}+N_{d}} \right ] \right \}^{\frac{1}{2}}$

$X_{p}=\left \{ \frac{2\xi _{s}V_{bi}}{e}\left [ \frac{N_{d}}{N_{a}}\right ]\left [ \frac{1}{N_{a}+N_{d}} \right ] \right \}^{\frac{1}{2}}$

$W=X_{n}+X_{p} =\left \{ \frac{2\xi _{s}V_{bi}}{e}\left [ \frac{N_{a}+N_{d}}{N_{a}N_{d}} \right ] \right \}^{\frac{1}{2}}$

其中PN结内耗尽层的最大电场很大。当N区掺杂浓度比P区大时， $N_{d}$ 可以看成是无穷大，N区宽度为0；当P区掺杂浓度比N区大时， $N_{a}$ 可以看成是无穷大，P区宽度为0。由上述表达式可以看出耗尽层的宽度与该区域掺杂浓度成倒数关系，换句话说就是耗尽层主要扩展到低掺杂区域（这个知识点和上述4个公式很基础，考试考研中也经常考查到）（最后一个公式中，如果引入了偏压，就直接加在 $V_{bi}$ 上。反偏电压是相加，正偏电压是相减。我们可以想象为反偏W变长，正偏W变短）。

最后总结（吐槽）一下，这些公式（积分除外）都是手打的，图是电脑画的，这些知识点是很基础且常考的，希望可以帮助到大家，顺便说一下，这三幅图考试也经常画（有些符号在不同的教材里不一样，请参考考试要求的教材）。

积分公式：

这一篇关于PN结耗尽区的电场强，电势和宽度的知识分享（第二篇）就到这里结束啦！后期不定时有其他部分的学习知识点，如果有错误，不合适或者需要改进的地方，欢迎批评指正指导呀！！！喜欢的话就请一键三连，感谢大家，发文章的初心就是打好半导体物理和器件的基础，能进一步学习模拟集成电路。作为一个模拟集成电路的学习者和工作者，路漫漫其修远兮，可以私信加我chat，一起进入模拟IC讨论群，群里资源皆可共享，各种问题相互讨论共同进步！！！为我国的集成电路事业添砖加瓦。人间很美好，但请相信恶魔在人间👿。