PN结中高掺杂浓度，耗尽层宽度变窄原因

最新推荐文章于 2024-11-13 22:08:35 发布
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本文探讨了在掺杂半导体中，高掺杂浓度如何影响PN结的耗尽层宽度。在高掺杂情况下，多数载流子的扩散运动超过了内建电场引起的少数载流子漂移运动，导致耗尽层变窄，半导体呈现正向导通状态。同时解释了本征激发在半导体导电中的作用。

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耗尽层宽度取决于杂质离子的浓度；

在掺杂半导体中，多数载流子由杂质离子提供，少数载流子由本征激发（形成电子空穴对），故而，在高掺杂浓度下，多数载流子的扩散运动大于PN结内建电场形成的少数载流子的漂移运动，同时削弱了内建电场，即耗尽层宽度变窄，此时整个运动过程即是半导体正向导通的状态。

本征激发是共价键中的电子在温度升高或者受到光照时，挣脱原子核的束缚，成为自由电子的过程；

PN结（空间电荷区/耗尽层/阻挡层）

P区（positive正极）->多数载流子为空穴，本征激发产生电子空穴对，少数载流子为自由电子；

N区（negative负极）->多数载流子为自由电子；

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[笔记]PN结二极管(1)
qq_52258768的博客
11-22 1917
PN结二极管
模电学习第一天--PN结梳理
fcxgfdjy的博客
09-04 3879
基本概念 本征半导体：纯净的、具有晶体结构的半导体 两种载流子：自由电子、空穴（两种载流子均参与导电） 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象 复合：电子填补空穴 动态平衡：一定温度下，本征激发与复合产生的自由电子和空穴相等 温度影响：热运动加剧–挣脱共价键束缚自由电子增多–空穴增多–载流子浓度提高–导电能力增强 N型半导体：自由电子浓度大于空穴浓度，前者为多子，后者为少子 P型半导体：空穴浓度大于自由电子浓度 对于杂质半导体的温度影响：可以认为多子浓度约等于所掺杂质原子的浓度，且受温度影响很
为什么高掺杂半导体的耗尽层相对窄，低掺杂时耗尽层相对宽？
m0_48733506的博客
10-09 3038
从浓度梯度的角度来讲，高掺杂区域扩散速度快，迅速形成耗尽层，进而产生内建电场，对后续的扩散形成阻碍，所以耗尽层窄；低掺杂区域则正好相反，扩散速度慢，在耗尽层形成之前，已经有较多空穴与电子相结合，因此耗尽层区域宽。多空穴的P型半导体和多电子的N型半导体结合时，由于浓度梯度的存在，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，而想对应的跑掉了空穴/电子的区域，则会形成带负/正电荷的耗尽区。在耗尽区中形成N指向P的电场直到受到电场作用而漂移的电子/空穴与受到浓度梯度作用而扩散的电子/空穴相抵消。
PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄
j448749903的博客
09-10 1万+
电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w） 电势差等于：电场强度*宽度 所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方。 产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。 我觉得也可以这么理解，高掺杂就好像我们加上了正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。 ...
为什么PN结中高掺杂的情况下，耗尽层的宽度会更窄
2301_82178919的博客
11-13 2611
刚学的时候这个问题困扰了我很长时间，通过查阅很多资料，找到了一个相对详细且合理的解释，加上自己的一些思考，现在，算是差不多明白了，所以，写下这篇文章，为以后同样困惑于这个问题的同学提供一个思路。首先，提出这样的问题的同学，可以肯定的是你很细心，发现了这个点，但是现在的很多视频和教材解释的都比较模糊，不利于彻底理解这个问题。随着载流子的注入，耗尽层中的正负电荷得到部分中和，导致耗尽层的宽度减小。当耗尽层变窄到一定程度时，载流子的注入和扩散变得足够强，从而在PN结中形成显著的电流，这就是所谓的正向电流。
为什么掺杂浓度高的空间电荷区反而窄？
QWQ___qwq的博客
06-19 5999
耗尽区是由n型区和p型区的杂志电离以后，带正电的施主离子和带负电的受主离子形成的区域。耗尽区内没有载流子，但是由于杂志电离产生一个内建电场，使得n区电子和p区空穴向另一边迁移，最终达到平衡，可认为是电中性。为了达到电中性，n区电离产生的电子和p区电离产生的空穴数量要相等，即施主受主原子电离的数目相同，所以浓度高的一边仅很窄范围的杂志电离产生的载流子数目就可以与另一边相等。所以杂志浓度高的一侧耗尽区宽度窄，浓度低的一侧耗尽区宽度宽。一般情况下，计算耗尽区宽度只考虑浓度低的一侧的宽度就好了，杂志浓度高的一侧可以
为何掺杂浓度高的空间电荷区反而窄？
a692060的博客
09-05 5753
一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消 另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子的空穴）和一个真正的正离子（那个丢掉了电子的施主杂质）。 那么，这两个正负离子都存在...
为何掺杂浓度越高,PN结却越窄
热门推荐
weixin_42246650的博客
09-05 1万+
首先PN结的维持是依靠PN各区的少子的漂移运动和在PN结形成的空间电场下少部分突破其势垒逃逸的多的扩散运动，漂移运动的少子和扩散运动的多子数目相同 那么，此时因为少子是半导体自身共价键本征激发所形成的载流子，与掺杂浓度无关，所以在掺杂浓度增大时，少子的数目是不变的，只有在原本没有增大浓度时形成PN结的区域掺杂的杂质元素增多，此区域极易挣脱束缚而进行扩散运动的多子同进行漂移运动的固定数目的少子达到动态平衡时，所需挣脱束缚的多子的范围就更小，所以PN结就更窄。 ...
PN结相关知识
dianpu1994的博客
03-05 1650
1. PN结 　　采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。 　　PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 2. 原理-杂质半导体 2.1 N型半导体 　　N型半导体（N为Negat...
第六章PN结
10-14
4. 耗尽层宽度与电场：在PN结中，空间电荷区的宽度与外加电压、材料的掺杂浓度等因素有关。当无外部电压时，耗尽层宽度与掺杂浓度的对数成反比。外加电压会影响耗尽层的宽度，正向电压使耗尽层变薄，反向电压则使其...
pn结的形成原理
07-14
P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N 型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故自由电子为多子，空穴为少子。如下图： pn结的形成 当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候，由于P型半导体中空穴浓度高，而N型半导体中电子浓度高，因此会形成一个扩散运动，P型半导体中空穴会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到N型区，N型半导体的电子也会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到P型区。这样一来，P型区剩下不能自由移动的负离子，而N型区剩下不能自由移动的正离子，一正一负，在PN结内部形成了一个从左往右的内电场，基本上这个内电场就体现PN结的工作特性。另外有一点要说明的是，PN结只是局部带电，即P型区呈负电，而N型区呈负电，但是它们俩一中和，整体上是呈中性的。 pn结的形成原理 在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，
第一讲：PN结的形成
VsitorZL的博客
04-30 1万+
PN结与二极管的特性1. 电子技术发展史2. 模电学习总思路3. 第一章：常用半导体器件 a) 基础知识  i. 本征半导体  ii. 杂质半导体（可掺杂性）  iii. PN结 1. 电子技术发展史   现在的电子技术的发展来源于集成电路的发展，集成电路的发展根基来源于半导体技术的发展。半导体现象出现的很早，在19世纪末期半导体材料已经出现了，1948年末，贝尔实验室造出了第一个基于半导体的材料的晶体管（点接触型）。在1950年的时候，他们造出了像三明治形状的晶体管，这个时候使得集成变得可能。大约在195
掺杂浓度影响PN结的宽度以及雪崩和齐纳击穿
2301_78989539的博客
09-30 4487
为什么说浓度高的一侧电场越窄，浓度低的一侧电场越宽。首先我们要知道，由于晶格结构，半导体中的离子位置是固定住的，不会像电子一样移动。为了提高P，N半导体的载流子浓度我们就需要相应的掺杂硼，磷。于是半导体里的对应的离子浓度也会提高。我们假设阻止N区多子移动需要六个负离子形成电场，阻止P区多子移动需要六个正离子形成电场，于是就形成如上图所示PN结。
模电——PN结及其特性1
ljy77882333的博客
04-12 3600
PN结 PN结的形成 如果在本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在N型区和P型区的交界处会形成一个极薄的空间电荷层，称为PN结。 扩散运动建立了空间电荷区和内电场 浓度差-----扩散运动-----扩散电流 P区的多子空穴向N区扩散，与N区的电子复合，在P区一侧留下不能移动的负离子薄层；N区的多子自由电子向P区扩散，与P区的空穴复合，在N区一侧留下不能移动的正离子薄层；交界面两侧不能移动的薄层称为空间电荷区。扩散作用越强，空间电荷区越宽，内电场增强，方向由N区指向
PN结——“耗尽层”？
m0_56997192的博客
04-17 6255
当掺杂5价磷的N型半导体和掺杂3价硼的P型半导体碰到一块时，N型半导体中的电子会扩散向P区，如图1， 扩散发生后，便会在交界处形成“空间电荷区”，空间电荷区中有电荷吗，答案是肯定的，在扩散平衡后，越靠近中线的N区，电子浓度越小，也就是在图一中，越向右电子浓度越高，越向左，电子浓度越低，空穴浓度越高，此时人为定义在n区电子浓度小于某个浓度的左侧和p区空穴浓度小于某一浓度的右侧为空间电荷区，即耗尽层。在空间电荷区中，越靠近中间，电场越大，越靠近两侧，电场越小。使得电流增大的只有少子飘移运动，故电流很小。
模拟电子技术基础学习笔记三 PN结
sq8706的专栏
08-31 1431
如果掺杂浓度较低，耗尽层宽度较宽，当反向电压增加到较大数值时，耗尽层电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。电源正极接PN结的P端，电源负极接PN结的N端时，称PN结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置。时，尝试高一侧的离子区宽度低于尝试低的侧，称为。根据产生原因不同分为。
关于PN结宽窄的总结（看完包懂版）
2301_76250094的博客
08-17 4356
1.为什么掺杂浓度高空间电荷区窄，掺杂浓度低空间电荷区宽？ 首先我们要明白空间电荷区是如何形成的，空间电荷区的形成是P区的空穴和N区的电子复合形成的一块区域，这个区域几乎没有可自由移动的载流子，靠近P区的那侧耗尽区为负离子区，靠近N区的那侧耗尽区为正离子区。就是说形成空间电荷区（耗尽层）消耗的空穴和电子是一样多的。 为了方便理解我们假设P区掺杂比N区要高，通俗一点说就是在横向长度相同的情况下，纵向上P区能够提供的空穴要多于N区提供的电子，所以P区和N区要提供相同数量的多子（P区多子为空穴，N区多子为
模电知识总结（二）
weixin_44050594的博客
04-26 1593
利用掺杂工艺，把P型半导体和N型半导体在原子级上紧密结合，P区与N区的交界面就形成了PN结。
电场强度，电势以及PN结耗尽层宽度
weixin_44268068的博客
05-09 9257
电场强度，电势，耗尽层宽度的知识点share
场效应管耗尽层
最新发布
03-10
### 场效应管耗尽层的工作原理 场效应管中的耗尽层是指在半导体材料内部形成的特定区域，在该区域内几乎不存在可移动的载流子。对于结型场效应管（JFET），当栅源电压施加时，PN 结反向偏置形成耗尽区[^1]。 #### 工作原理 在 JFET 中，通过改变栅极相对于源极端的电压可以调节沟道宽度。随着栅源电压增加，耗尽层扩展进入沟道部分，使得有效导电通道变窄，从而减少漏极电流。这种机制允许器件作为开关或放大器使用。 对于 MOSFET 来说，当栅氧化层上加上正向偏压时，会在衬底表面感应出相反类型的载流子形成反转层；而如果施加负偏，则会产生耗尽区并阻止进一步传导电子或者空穴。因此，MOSFET 的操作依赖于栅极电压对硅片体内少数载流子浓度的影响以及由此产生的耗尽/积累状态变化。 #### 物理结构 - **JFET**：由两个背靠背连接的 PN 结构成，其中一个用于定义源端和漏端之间的路径，另一个则位于栅极附近用来创建耗尽区。 - **MOSFET**：采用三层结构——顶层为金属电极 (Gate)，中间是二氧化硅绝缘层(SiO₂), 底部则是掺杂过的硅基板(Source 和 Drain 接触点)。当不加任何外部电压时, Si-SiO₂界面处自然存在一薄层固定正电荷密度，这导致了轻微的耗尽区存在于靠近界面的一侧。 ```cpp // C++ 伪代码模拟简单 MOSFET 行为 class Mosfet { public: double Vgs; // 栅源电压 bool isDepleted() const { return Vgs < thresholdVoltage; } }; ``` #### 半导体器件特性 场效应管因其独特的耗尽层特性表现出优异性能： - 高输入阻抗：由于栅极与主体之间被绝缘介质隔开，所以即使很小的变化也能引起显著影响； - 功率消耗低：静态条件下几乎没有直流功耗； - 开关速度快：因为主要依靠多数载流子传输而不涉及复合过程。 这些特点使它们成为现代集成电路设计中最基本也是最重要的组件之一。
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