STM32之内存分布与总线

1、总线

系统结构

系统包括一个由多个互相连接的32位AHB总线组成的矩阵

  • 8个主总线
    – Cortex-M4 with FPU core I-bus, D-bus and S-bus
    – DMA1 memory bus
    – DMA2 memory bus
    – DMA2 peripheral bus
    – Ethernet DMA bus
    – USB OTG HS DMA bus
  • 7个从总线:
    – Internal Flash memory ICode bus
    – Internal Flash memory DCode bus
    – Main internal SRAM1 (112 KB)
    – Auxiliary internal SRAM2 (16 KB)
    – AHB1 peripherals including AHB to APB bridges and APB peripherals
    – AHB2 peripherals
    – FSMC

总线矩阵也能够提供主到从的访问,从而使能并发访问,甚至在多个高速外设同时工作的时候也能够高效工作. 64Kbyte的CCM(core coupled memory)数据RAM不是总线矩阵的一部分,只能通过CPU来访问.

总线类型

  • I-bus

    该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的指令总线到BusMatrix. 该总线被内核用于取指令操作. 该总线的控制目标是一块包括代码的内存 (internal Flash memory/SRAM or external memories through the FSMC/FMC).

  • D-bus

    该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的数据总线到64Kbyte的CCM数据RAM再到BusMatrix. 该总线被内核用于下载代码与调试. 该总线的控制目标是一块包括代码或者数据的内存 (internal Flash memory or external memories through the FSMC/FMC).

  • S-bus

    该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的系统总线到BusMatrix. 该总线被用来访问加载到SRAM或者外设的数据. 指令也可能通过该总线取得 (没有ICode来的高效). 该总线的控制目标有:内部的SRAM1, SRAM2 and SRAM3, AHB1的外设(包括APB外设), AHB2的外设和通过FSMC/FMC的外部内存

  • BusMatrix

    BusMatrix 管理主总线之间的访问仲裁. 仲裁使用循环算法

总线结构图:

总线结构图

2、内存分布

  • 编程空间(代码空间), 数据空间, 寄存器和I/O端口被组织在同一个线性的4Gb空间中。所有的数据都按照小端存储
  • 可寻址内存空间被分为8个块, 每块包括512MB
  • 所有没有被分配到片上内存或者片上外设的空间都被成为”reserved”

嵌入式SRAM

  • STM32F407ZG配置了4 Kbytes的备份 SRAM,192 Kbytes的系统SRAM。
  • 嵌入式SRAM可以以字节,半字,字的方式访问,可以以CPU的速度进行无需等待的访问,嵌入式SRAM被分为以下3个块:
    • SRAM1 和 SRAM2 映射到 0x2000 0000 地址并且可以被所有的 AHB 总线访问.
    • SRAM3 (只有 STM32F42xxx 与 STM32F43xxx 系列可用) 映射到 0x2002 0000 地址处并且可以被所有的 AHB 总线访问
    • CCM (core coupled memory) 映射到 0x1000 0000 地址处只能够通过D-bus被CPU访问

位带操作

在STM32中提供了两个位带操作域以及对应的位带别名域

位带操作域 位带别名域
SRAM的低1M字节 : 0x2000 0000~0x200F FFFF 0x2200 0000~0x23FF FFFC
外设的低1M字节 : 0x4000 0000~0x400F FFFF 0x4200 0000~0x43FF FFFC

位带操作公式:

bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4)

例子:

0x22006008 = 0x22000000 + (0x300*32) + (2*4)
/* 对0x22006008的读写就实现了对0x2000 0300处第2个bit的读写 */
/* 同理,若要对0x40000000地址块进行位操作,需要把上面式子右边的0x22000000换成0x42000000 */

以后我们想直接操作某个寄存器的某一位的时候,只需要找到这一位对应的别名地址,然后对别名地址进行读写即可实现对这一位的读写。如果想实现这中操作的话,只需要定义宏即可,例如下面的:

#define REGISTER_BIT_BAND(ofs, bit_num) (0x22000000 + (ofs << 5) + (bit_num << 2))
#define WRITE_R_BIT_BAND(ofs, bit_num, stat) (*((volatile unsigned int *)REGISTER_BIT_BAND(ofs, bit_num)) = stat)
//上面两个宏可以实现对寄存器位带域的操作

内核编程手册给出的M系列4GB内存分布
内存组织

3、启动配置

启动方式

Boot mode selection pins Boot mode Aliasing
BOOT1 BOOT0
x 0 Main Flash memory Main Flash memory is selected as the boot space
0 1 System memory System memory is selected as the boot space
1 1 Embedded SRAM Embedded SRAM is selected as the boot space

我的板子启动是在main flash memory,由前面的ARM编译工具一节可以知道代码从0x08000000开始运行,这个也是由分散加载文件指定的,也是板子上面main flash实际地址

物理地址重映射

  • 下面的内存空间可以被重映射:
- Main Flash memory
- System memory
- Embedded SRAM1 (112 KB)
- FSMC bank 1 (NOR/PSRAM 1 and 2)

映射表为

内存映射表

映射到0x00000000地址处的内存块可以由SYSCFG控制器的(SYSCFG_MEMRMP)寄存器低二位决定,如下表所示

bit1 bit0 memory selected
0 0 Main Flash memory mapped at 0x0000 0000
0 1 System Flash memory mapped at 0x0000 0000
1 0 FSMC Bank1 (NOR/PSRAM 1 and 2) mapped at 0x0000 0000
1 1 Embedded SRAM (SRAM1) mapped at 0x0000 0000从表中

可以看出来从main flash启动的时候flash memory会被重新映射到0地址开始处,大小为1MB,但是我的板子依然是从0x08000000地址处运行代码的,现在由表中数据可以看出来从0地址开始运行也是可以的,可能是为了适应不同的启动方式,所以才从0x08000000地址处开始运行系统代码的。如果要从其他的地方运行flash memory中的代码,只需要在那种方式对应的被重映射到0地址空间代码段开头加上一个跳转语句,直接跳转到0x08000000地址处就可以运行代码了

4、嵌入式flash memory

接口特性:

  • Flash memory 读操作
  • Flash memory 编程/擦除操作
  • 读/写保护
  • 指令预取
  • I-Code上面有 64 个 128 位宽的快速存取线
  • I-Code上面有 8 个 128 位宽的快速存取线

内存接口图

flash memory特性:

  • 1M byte容量
  • 128位的读数据位宽
  • 支持 Byte, half-word, word and double word 写入
  • 支持扇区与块擦除
  • 支持内存组织
    • flash memory可以被组织成下面的样子:
      • – main memory 分为 4 个 16 Kbytes 大小扇区, 1 个 64 Kbytes 大小扇区,和 7 个 128 Kbytes 大小扇区
      • – 不同启动设备对应相应的system memory
      • – 512 OTP (一次性编程) bytes
      • – 可选配置读写保护
  • 低电量模式

内存分布图

内存分布图

额外补充时钟一节内容:

VOS 在 PWR_CR 寄存器的 bit15 位被设置

当 VOS = ‘0’, fHCLK 最大为 144 MHz.
当 VOS = ‘1’, fHCLK 最大为 168 MHz.

等待周期

等待周期指的是CPU访问Flash的等待时间,CPU访问Flash的周期就是等待周期加上1,这个与Flash的硬件性能有关

CPU等待周期


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