基于Arm Cortex-M0+的 MCU,ATSAMC21E18A-MUT 规格

特征
基于 Arm Cortex-M0+ 的 MCU，运行频率高达 48MHz
高达 256KB 的嵌入式闪存
高达 32KB SRAM 主存储器
用于 EEPROM 仿真的高达 8KB 独立自编程闪存
2.7V 至 5.5V 工作电压
2 个控制器局域网 (CAN) 模块 (SAM C21)
6 通道 DMA 控制器 (SAM C20)
12 通道 DMA 控制器 (SAM C21)
Microchip QTouch 外围触摸控制器
对按钮、滑块、滚轮和接近度的硬件支持
互电容和自电容触摸支持
集成串行通信模块 (SERCOM)

ATSAMC21E18A 微控制器 (MCU) 采用32位ARM Cortex-M0+处理器，专门针对工业自动化、电器设备和其他5V应用进行了优化。SMART SAM C MCU 具有高达 256KB 闪存和 32KB SRAM。这些器件可在48MHz最大频率下运行，并可达到2.46 CoreMark/MHz。器件设计用于简单直观的迁移，具有相同的外设模块、十六进制兼容代码、相同的线性地址映射，以及在该系列产品中所有器件间与引脚兼容的迁移路径。所有器件均包含智能和灵活外设、Microchip事件系统，用于外设之间的信号传输以及为电容式触控按钮、滑块和滚轮用户界面提供支持。
SMART SAM C MCU与SAM D和SAM C通用微控制器系列引脚兼容。

ATSAMC21E18A-MUT 嵌入式 - 微控制器 规格参数
核心处理器：ARM Cortex-M0+
内核：32 位单核
速度：48MHz
连接能力：CANbus，I²C，LINbus，SPI，UART/USART
外设：欠压检测/复位，DMA，POR，WDT
I/O 数：26
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：32K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 10x12b，1x16b; D/A 1x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：32-VQFN（5x5）

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