64Mbit（8-SOIC）NOR闪存S25FL064LABMFA010、S25FL064LABMFB011、S25FL064LABMFA013为汽车、工业和物联网应用实现更高安全性、可靠性和性能

FL-L NOR闪存系列采用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位（单I/O或SIO）以及可选的2位（双I/O或DIO）。此外，它还支持4位宽四I/O (QIO) 和四外设接口 (QPI) 命令。

FL-L系列采用双数据速率 (DDR) 读取命令，用于传送地址和在时钟两边读取数据的QIO和QPI。该架构采用页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程达256字节。该架构也提供单独4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除。FL-L NOR闪存具有各种移动或嵌入式应用所使用的高密度、灵活性和快速性能。

该闪存可为有限空间、信号连接和电源系统提供出色的存储解决方案。此外，该闪存非常适合用于RAM的代码遮蔽、直接执行代码 (XIP) 和存储可重新编程数据。

 

该系列闪存产品能够以最佳方式存储程序代码和参数数据，是高级辅助驾驶系统(ADAS)、汽车仪表盘及信息娱乐系统、工业控制及智能工厂设备、网络设备、物联网应用、视频游戏机、机顶盒等高性能应用的理想选择。

64Mbit（8-SOIC）NOR闪存S25FL064LABMFA010、S25FL064LABMFB011、S25FL064LABMFA013 存储器 —— 明佳达

1、S25FL064LABMFA010 NOR闪存 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率：108 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

2、S25FL064LABMFB011 存储器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 8-SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率：108 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

3、S25FL064LABMFA013 64Mb NOR闪存 SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 8SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：64Mbit
存储器组织：8M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI
时钟频率：108 MHz
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
基本产品编号：S25FL064L