DRAM存储原理——Cell Storage

本文介绍了DRAM动态随机存储器的基本概念,包括其存储单元Cell的结构和工作原理,以及读写过程。DRAM由存储电容器、晶体管、地址解码器和数据缓存等组成。读取过程涉及预充电、访问、放大和写回四个步骤。在读取时,电容器的电荷导致位线电压差,通过放大电路放大信号并恢复细胞状态。接下来的内容将探讨DRAM在系统中的角色。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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From: https://mp.weixin.qq.com/s/DVKeQwO8ryiGln0KtR2rBA
【吾生也有涯,而知也无涯。——庄子】

DRAM全称动态随机存储器,Dynamic random access memory.
关于存储器,主要分为两大类。
一.易失性存储器RAM,又分为动态随机存储器DRAM和静态随机存储器SRAM;
二.非易失性存储器,比如磁带,光盘,以及我们后面会介绍到的FLASH等。
由于DRAM比较复杂,计划从一个cell开始,到BANK,Die,Device,以及在整个系统中的位置来学习。本章将简单介绍DRAM的基本概念及存储机理。
DRAM是由一个一个的存储单元以及外围电路组成的。
在这里插入图片描述

主要包括DRAM Array(存储数据),Sense Amps(放大器),Column/Row Decoder(地址解码器),Data Buffer(数据缓存)等。

首先我们先来看看DRAM存储最基本的单元Cell,一个cell可以存储1bit,它由存储电容器,晶体管,WL,BL组成。存储电容器C=εS/d,既然是电容,就存在漏电的问题,需要隔段时

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