Xilinx HLS 学习笔记2（数组优化）

0、先验知识

参考资料
单端口RAM（Single-Port RAM)

单端口RAM的读写操作不能同时进行。当we（使能位）拉高时，会将数据写入对应的地址，同时q输出的数据与此时写入的数据是一致的，因此在读的时候需要重新生成对应的读地址给addr，并且disable掉wea。

伪双端口RAM（Simple Dual-Port RAM）
输入有一组数据线，两组地址线，两个时钟。两个输出端口共用有个输出端口。
所以一个端口只读，另一个端口只写，但写入和读取的时钟可以不同，且位宽比可以不是1:1。即允许写A的同时读B，且速率可以不同。
提供两个端口，可以通过端口1写访问，通过端口2进行读访问。

双端口RAM（True Dual-Port RAM）
输入有两组地址线和两组数据线，两个时钟。输出有两个分别的数据线。
所以双口RAM两个端口都分别带有读写端口，可以在没有干扰的情况下进行读写，彼此互不干扰。

1、数组分割

我们可以通过resource directive 来设定看，数组采用怎么样的memory（如双端口、单端口）来实现，如果没有明确告知，HLS编译器会自行决定采用双端口还是双端口。

数组最终会以Memory形式出现（RAM、ROM或者FIFO），如果是顶层函数中的形参就会以相应Memory的接口呈现，包括读写地址、使能以及数据；如果数组是在内部，就会综合成内部的block RAM、LUTRAM、registers，这取决于优化设置；

我们指定memory双端口，并且展开循环，这是可以同时写入两个数据，同时由于循环展开，此时可以进行并行计算。