N76E003之模拟EEPROM

最新推荐文章于 2021-05-12 15:20:58 发布

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分类专栏： N76E003 N76E003 单片机学习文章标签： EEPROM 新唐 N76E003 flashdata APROM

本文链接：https://blog.csdn.net/u014798590/article/details/89268198

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本文介绍了如何在N76E003单片机上利用内部Flash模拟EEPROM功能，用于数据的掉电保存。通过分析N76E003的内存分配图，确定APROM的地址范围，并提供了新唐官方的示例程序进行简要注释，建议在使用时从高位地址开始写入以避免影响程序运行。

摘要由CSDN通过智能技术生成

在使用STM32时，常可以将内部1flash的一部分划作数据储存区（EEPROM），用于掉电后的数据保存。而N76E003单片机也可实现类似的功能。
在这里插入图片描述

下图为N76E003的内存分配图，我们可以从下图中看到APROM使用的地址范围（APROM + LDROM = 18K，当LDROM为0时，APROM的地址为0000~0x47FF）

下面的程序为新唐官方所给出的例程，我只进行了粗浅的注释

//***********************************************************************************************************
//  File Function: N76E003 APROM program DATAFLASH as EEPROM way 
//***********************************************************************************************************
#include "N76E003.h"
#include "Common.h"
#include "Del