微碧VBsemi-CSDN博客

原创一颗TVS管就要搞定CAN总线全方位防护？这种“抠门”电路到底能不能用？

虽然我平时RS485用SM712比较多（毕竟那个几毛钱也方便），但如果以后遇到那种环境极其恶劣、对信号质量要求又极高的CAN总线场景，这套“单TVS+二极管桥”的方案，绝对是值得加入你的元器件库里的。构成了桥式整流电路。对于总线来说，它看到的电容主要是二极管的结电容（串联后更小），这就完美解决了高防护等级和低总线电容之间的矛盾。这也证明了，这在恶劣工况下其实是行业通用的“重装铠甲”。6颗二极管组成的桥，就像一个交通指挥系统，不管是正向还是负向的浪涌，统统被整流，最后全部引导到中间那颗粗壮的TVS上去硬刚。

2026-01-09 16:56:07 212

原创几块钱的普通Buck芯片，凭什么能“反向”输出负压？这招移花接木，90%的新手都没玩过！

摘要：轨到轨运放单电源供电时难以输出真正的0V，需要负压电路。利用常见Buck芯片魔改成Buck-Boost输出负压是经济方案，但存在三大关键问题：1）芯片控制信号需电平转换；2）输入电容不能跨接Vin与-Vout，否则会形成浪涌回路；3）芯片实际承受电压为Vin+|Vout|，需重新评估耐压和电流余量。该方案虽能节省成本，但需深入理解参考地变化带来的影响，否则极易损坏电路。

2026-01-07 16:59:08 333

原创两个电阻分压就把电池耗干了？90% 嵌入式工程师都踩过的“低功耗”大坑！

摘要：低功耗设计中，简单的电池电压采集电路往往暗藏玄机。文章揭露了三种常见方案：新手直接增大电阻导致ADC采样不准，需加微功耗运放；进阶方案借用GPIO控制分压电路通断；终极方案采用MOS管物理隔离电路。强调低功耗设计需关注细节，避免因小失大，建议工程师检查现有设计中分压电阻的电流消耗和采样精度问题。

2025-12-31 20:00:00 266

原创拓扑相同却效率差6%、频繁炸管？MPPT控制器MOSFET选型的坑你踩中了吗？

本文针对MPPT太阳能控制器设计中的MOSFET选型痛点，提出模块化精准匹配方案。作者基于12V/24V/48V离网光伏项目实测数据，将控制器划分为三大模块：Buck变换主功率模块推荐100V耐压N-MOS（VBM1104N），强调电压裕量与驱动匹配；电池保护模块优选P-MOS（VBE2610N）实现快速反接保护；辅助电源模块采用nA级静态电流P-MOS（VB2290）降低待机功耗。文中详细解析各模块选型逻辑，并提供驱动电路、散热设计、可靠性优化等工程落地要点，强调"参数匹配+工程冗余"

2025-12-29 17:43:30 872

原创电路电压太高怎么办?BUCK电路是如何降压的?

Buck电路是一种高效DC-DC降压变换系统，通过开关管、电感、电容等核心组件协同工作，利用"储能-释放"机制实现电压转换。其工作原理基于电感的伏秒平衡原理，通过周期性开关控制实现能量转换，输出电压始终低于输入电压。电路分为异步和同步两种结构，前者使用二极管续流，后者采用MOSFET以提高效率。电感纹波电流与电感值和开关频率成反比，设计时需在体积、效率与性能间权衡。Buck电路广泛应用于电子设备，是现代电力电子技术的重要基础。

2025-12-26 17:30:00 695

原创快充头为何能又小又冲得快？--揭秘PD技术演进与MOS管选型关键

摘要： PD快充技术通过统一接口标准推动行业变革，其核心发展趋势包括中大功率、小型化、智能分配、高效转换和强兼容性。MOS管作为关键元件，在初级高压侧、次级同步整流和输出控制侧分别承担不同功能。微碧半导体针对PD快充推出全链路MOS管方案，如VBMB165R07S（初级超结MOS）、VBQA1105（次级SGT MOS）和VBQF1306（Vbus控制），助力实现高功率密度与低发热。该技术正推动充电设备向更便携、高效、安全的方向发展。

2025-12-24 17:54:38 949

原创 MOS 管在使用过程中，为什么会“越用内阻越大”？

摘要：MOS管使用后内阻增大是工程常见问题，主要由多重因素叠加导致。温度升高（结温每升10℃内阻增5%-10%）、栅极驱动不足（VGS降低1V内阻增20%-50%）、器件老化（栅氧化层劣化）、工艺差异、外部应力冲击（ESD损伤）以及散热不良形成恶性循环等都会推高导通电阻。解决方案包括优化散热设计、确保足够驱动电压、添加保护电路、选用高质量器件等。通过综合分析这些因素，可针对性优化设计，延长MOS管使用寿命。

2025-12-19 15:25:14 654

原创一种“看起来很稳”，却暗藏坑点的恒流 PWM 驱动电路

摘要：文章分析了一种恒流PWM驱动电路的工作原理及潜在问题。该电路在标准恒流源基础上加入PWM控制和二极管钳制，但在PWM上升沿会出现瞬态电流上冲现象。通过仿真发现，问题根源在于电容C1导致的电压突变。解决方案是减小或移除C1，使电流波形恢复稳定。该方案适用于需要恒流精度和PWM调制的场合，但需注意元件参数对瞬态特性的影响。

2025-12-17 14:33:49 397

原创为何MOS管驱动电路特别强调“快速关断”？

MOS管驱动电路强调"快速关断"的主要原因在于其天然的开关不对称性。由于MOS管的门限电压和米勒平台电压相对较低，关断时放电处于RC曲线的平缓区域，导致关断时间(t7+t6)明显长于开通时间(t2+t3)。通过增加二极管和辅助电阻的加速关断设计，可以并联放电路径降低等效电阻，从而加快栅极电荷泄放速度，弥补这种不对称性。这种设计能有效减少关断损耗，提升电路效率，是电力电子设计的常见优化手段。

2025-12-11 15:40:46 519

原创究竟是什么样的 BUG 能逼得硬件工程师连夜提桶跑路？

本文复盘了一个硬件设计故障案例：新产品电池采样电路出现40uA异常漏电，最终锁定PMOS管AO3401因栅源电压超过12V耐压值而损坏。故障根源在于从4.2V锂电池项目直接移植电路到12V蓄电池系统，未重新校核器件参数。提出三种解决方案：增加分压电阻、更换高耐压PMOS或"提桶跑路"。重点强调设计时切忌盲目照搬旧方案，必须严格核对MOS管耐压参数与实际工作电压的匹配性。

2025-12-10 17:18:33 440

原创为什么信号线必须“先过”ESD/TVS？

摘要： PCB布局中TVS（瞬态电压抑制器）的放置顺序和走线长度直接影响ESD防护效果。原理图看似连通的线路在实际Layout中因走线电感（如1cm走线≈3Ω高频阻抗）会延缓TVS响应，导致ESD电流优先涌入芯片。例如，3Ω电感可使TVS钳位电压从10.5V升至13.5V，危及敏感器件。关键原则：TVS需尽量靠近接口，缩短走线并优化接地回路，否则防护效能将大幅下降。简言之，“TVS放远了就是摆设”。

2025-12-05 19:30:00 530

原创揭秘 BOOST 升压电路高端 MOSFET：体二极管方向与真关断原理解析

摘要： BOOST升压电路的高端MOSFET不能反接（D接SW、S接VOUT），否则会导致电路失效。原因有三：1）体二极管方向必须保证死区时间内的电感续流，避免电压尖峰；2）反接会短路输出，使VOUT被拉低至0.7V；3）反向体二极管会增加高边驱动难度。设计需遵循物理规律，体二极管方向由拓扑结构决定，不可随意更改。工程师需深入理解原理，避免仅凭直觉操作，否则可能引发芯片损坏等严重后果。

2025-12-03 16:44:36 306

原创芯片内部的 VREF 参考源究竟是怎么实现的？

带隙基准（BandGap Reference）是一种温度系数接近于零的参考电路，它能在较宽温度范围内维持高度稳定的输出电压，是芯片电源系统的核心模块之一。当然，真正的 BandGap 电路结构很复杂，各家半导体厂商内部都有成熟优化过的 IP，不是几张图能讲明白的，这里就不展开。虽然完整的带隙电路难以用入门方式介绍，但我们依然可以用一个更直观的方案，来理解“内部参考电压”如何实现稳定输出。虽然它无法与真正 BandGap 的精度与温漂性能相比，但用于理解“内部参考源的稳压方式”是非常直观的。

2025-11-28 16:30:05 350

原创 AI电源设计“第一课”：从原理出发推导MOS管的所有关键参数

为了留出足够的时间给导通时间，开关过程（上升+下降时间）必须非常短，假设不能超过周期的5%，即50ns。因为要获得极低的Rds(on)，通常需要更大的晶元面积，这会导致更大的栅极电容（Ciss）和Qg。从数据手册上选定的那个“最佳”MOS管，不再是凭感觉或简单排序，而是通过上述严密的系统分析和数学计算“推导”出来的。这里的核心目标不再是简单的“供电”，而是在极高的速度下，稳定、高效地管理一股巨大的“能量洪流”。损耗与电流的平方成正比，这意味着大电流下，即使是很小的Rds(on)也会导致显著的发热。

2025-11-22 14:28:05 556

原创 2025机器人元年:小鹏 IRON/宇树H2/擎天柱/1X-Ne o软硬件构造分析

从全固态电池到肌腱驱动，从 82 个自由度到 30kg 轻量化设计，小鹏 IRON、宇树 H2、特斯拉 Optimus 与 1X-Neo 的硬件差异，本质是 “场景需求” 与 “技术基因” 共同作用的结果 —— 小鹏靠汽车产业积累突破拟真与安全瓶颈，宇树以国产化自研平衡性能与性价比，特斯拉用技术复用降低规模化门槛，1X-Neo 则用柔性设计打开家庭场景缺口。共 31 个自由度，双臂各 6 个、双腿各 7 个、躯干 3 个，含 2 个动态重心控制关节，动作流畅性与协调性显著提升，可完成舞蹈、武术等复杂动作。

2025-11-14 15:02:22 1418

原创如何实现一键全电子智能开关机控制？

Q19 导通后，A 点被拉至低电平，D 点也随之保持低电平，导致 PNP 三极管 Q18 截止，此时 E 点被 R31 上拉至高电平，PMOS 管 Q17（作为电源开关）处于截止状态，系统维持关机。关机则需要再次短按 SW1：开机状态下 B 点和 E 点均为低电平，按下按键时，C 点和 D 点被拉低，Q18 失去驱动而截止，E 点恢复高电平；这会让 Q19 重新导通，A 点被拉至低电平，Q18 保持截止，PMOS 管 Q17 随之截止，系统负载完全断电，回到初始关机状态。

2025-11-07 18:05:51 199

原创电源反接怎么办？如何高效实现电源防反接？

在MOS管选型时，应优先选择导通电阻和导通压降小的 MOS 管，以减少功耗，同时需关注栅源电压 Vgs 的允许范围，避免器件因电压超标而损坏。第三种是保险丝与稳压二极管组合，通常前端采用自恢复保险丝，后端搭配稳压二极管，正常供电时稳压管截止，仅起过压钳位作用；但需注意，当电源反接时，稳压二极管会导通并形成短路，若长时间反接，不仅稳压二极管可能被烧毁，甚至还会损坏电源；第二种是整流管防反接，这种方案的优势在于无需区分电源正负极，可直接接入，即便反接也能保证电路正常工作。下面来介绍几个实用方案，一步步拆解。

2025-11-07 17:58:06 405

原创工控伺服驱动器状态机设计与VBP165R47S MOSFET保护机制详解

通过状态机模型系统阐述了工控伺服驱动器的工作机制，重点分析了VBP165R47S MOSFET在系统中的关键作用。VBP165R47S凭借其优异的电气特性，在现代伺服驱动系统中发挥着不可替代的作用，其完善的保护机制为工业自动化设备的可靠运行奠定了坚实基础。每个状态转换都设置了严格的检测条件，确保只有在前一状态完全就绪后才会进入下一状态。未来，随着智能制造技术的不断发展，伺服驱动器的状态管理将更加智能化，功率器件的性能也将持续提升，为工业自动化领域带来新的技术突破。：极低的导通损耗，显著提升系统效率。

2025-11-04 14:00:27 465

原创全球第一款机器人管家即将走进现实世界-机器人管家不再科幻

想象一下，只需喊一声“Neo，帮我叠衣服”，一个身高1米68、穿着高领衫和运动鞋的机器人便会应声而来，用其灵巧的双臂熟练地折叠好衣物。在设计上它全身覆盖着柔软的聚合物外壳，身高1.68米，体重仅30公斤，旨在消除传统机器人带来的“金属终结者”般的冰冷和恐惧感。Neo的卓越能力，源于其内部高度集成的三大核心电路模块，它们共同构成了机器人的“神经系统”和“肌肉系统”。：它能记住你的偏好，管理日程，甚至其胸部和骨盆内置的三级扬声器，能让它成为一个移动的家庭娱乐中心。然而，在温和的外表下，是顶尖的工程实力。

2025-11-04 11:13:32 648

原创打破世界纪录！世界首款中国 “量子之眼” 让隐身战机无所遁形

作为深耕 MOSFET 领域的厂家，我们从核心电路设计角度，带大家读懂这款 “量子重器” 的底层技术支撑 ——MOSFET 正是其性能落地的关键 “开关核心”。温控系统的 H 桥驱动电路中，MOSFET 负责控制电流方向与通断，直接驱动半导体制冷器（TEC），为 APD 创造 - 120℃的极低温低噪声工作环境。MOSFET 开关特性不佳会引入高频噪声，被敏感的 APD 直接捕获，抬高本底噪声，进而淹没微弱的光子信号，让探测功能失效。这款单光子探测器的系统核心分为。

2025-10-31 17:47:49 410

原创无缝切换！三极管+MOS管驱动的双电源供电电路设计

这款基于三极管控制的智能双电源切换电路，通过巧妙的电平检测和开关控制，实现了主备电源的无缝切换，为重要设备提供持续稳定的电力供应。Q1 栅极随即被 R1 拉至电池电压 VBAT，栅源电压 Vgs=0V，MOS 管 Q1 关断，负载切换为由 DC_IN 供电。此时 Q2 基极通过 R2、R3 获取电流而导通，将MOS管Q1 的栅极拉低，MOS 管 Q1 导通，负载由电池 U1 供电。当 DC_IN 接入供电时，Q3 基极经 R5 获得电流而导通，将 Q2 基极拉低，使 Q2 截止。

2025-10-31 17:21:37 281 1

原创 PMOS电源开关：低压信号如何控制大电源通断？

今天来分享一个超实用的电路设计 —— 基于 PMOS 的电源开关方案，通过低电压、小电流的 ON/OFF 信号，即可安全控制后级电路（VCC_OUT）的电源通断，广泛适用于嵌入式系统、电池供电设备及各类需电源管理功能的电子产品。由于Q1的栅极(G)和源极(S)电位基本相等（都约为VCC_IN），其V_GS ≈ 0V，Q1截止。电流可以从VCC_IN经Q1的源极(S)流向漏极(D)，VCC_OUT端正常输出电源。VCC_IN与VCC_OUT之间的通路被切断，VCC_OUT端无电压输出。

2025-10-29 17:15:29 486

原创一个适合 DIY 的单键电子开关电路

当电池装入电路（注意不要装反），电池电压会同时送到 PMOS 的源极和栅极，这时候 PMOS 不满足导通条件，处于截止状态，D 点没有输出。按下按键的瞬间，C1 接入 Q1 的基极，因为 C1 需要充电，接入瞬间相当于短暂短路，直接导致Q1的基极驱动电压消失，Q1 随即截止，PMOS 也跟着截止，D 点电压消失，电路就关机了。第一次按 KEY1 的时候，C1 会通过 Q1三极管的 BE 结放电，让Q1 瞬间导通，紧接着 PMOS 的栅极（C 点）电压会被拉到 0V 左右，满足导通条件，D 点就有输出了。

2025-10-24 17:52:49 250

原创从“悬浮术”到“三昧真火”：解析空间站材料实验柜的功率控制拓扑

在距地400公里的中国空间站，一台现实版的“炼丹炉”——无容器材料实验柜，正施展着堪比神话的“硬核”本领：以“悬浮术”和“三昧真火”将钨合金加热至3100摄氏度以上，创造世界纪录。“仙丹”的诞生——材料研究路径图（从材料科学的角度，展示了从实验到应用的完整路径，体现了这项工作的终极价值。这些‘硬核’数据，最终将转化为我们火箭发动机的‘心脏’和宇宙飞船的‘铠甲’，让人类的深空探索走得更远。’的角色，位于主功率链路的起点，负责将空间站的电源进行高效转换，为后续的激光和悬浮提供‘弹药’。

2025-10-20 17:03:00 383

原创 BOOST的VIN与VOUT接近会怎么样？

②当 0.85×VOUT ≤ VIN < VOUT（VIN 接近 VOUT），进入LDO模式１，先通过 BOOST 将 LDO 输入电压（V_LDO）设为 VOUT+2V（保证 2V 压差），再经 LDO 降压到 VOUT，稳定输出；在这个拓扑中，相较于传统的同步BOOST，它多了一个MOS管和一个电容，其实就是相当于一个LDO，当VIN太接近甚至高于VOUT时，进入LDO模式维持想要的VOUT电压.当 BOOST 芯片的 VIN 与 VOUT 非常接近时，会出现什么情况？

2025-10-17 17:09:15 477

原创为什么全桥电路更适合用超结MOS？

全桥电路是常用电子电路，由 4 个开关管（多为 MOS 管）和负载组成，能将直流电转交流电，广泛用于开关电源、变频器、电动汽车等电力电子领域，核心是通过控制开关管通断改变电源与负载的电压极性，实现负载驱动。超结 MOS 已广泛用于全桥电路，如电动汽车逆变器（提升效率与性能）、通信电源、便携式储能电源（满足高效率、高功率密度、高可靠性需求）。下半周期：Q2、Q3 闭合，Q1、Q4 断开，电流从电源正极经 Q3 到负载，再经 Q2 回电源负极，以此实现直流转交流。二、全桥电路对 MOS 管的需求。

2025-10-15 17:20:09 237

原创为什么MOS管G-S极要并电阻？

驱动电路失效（如芯片未工作、输出高阻态）时，D-S 间电压会通过米勒电容（Cgd）给 G-S 电容（Cgs）充电，若栅极电压（Vgs）超过阈值（Vth），MOS 管会意外导通，可能烧毁器件。常规推荐 5–20kΩ（常见 5kΩ、10kΩ），高静电或高噪声环境可选更小阻值。当驱动信号消失（如前级开路），电阻将栅极电位固定为源极电平（Vgs=0），避免因电荷残留导致关断延迟或半导通状态。在MOS管G极和S极两端并联一个几K的电阻，常称下拉电阻或泄放电阻，那么这个电阻有什么作用呢？2.避免误触发和误导通。

2025-10-11 17:47:54 498

原创全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101

VBGQTA1101采用的TOLT封装，通过将散热路径与电流传输路径分离，彻底解决了传统封装中热管理与电气性能相互制约的痛点：- 热阻大幅降低90%，整体耗散功率提升超90%，轻松应对415A大电流、100V高压的严苛工况；- 结区到散热器热阻降低20%以上，即使在FR4标准PCB板上，也能显著降低电路板温度；- 顶部直连散热器，消除PCB焊料热阻，为工程师提供"更高功率输出"或"更省冷却成本"的灵活选择。

2025-10-10 17:09:00 564

原创防电流反灌？试试这个 “零压降” 二极管电路！

正常工作时（VCC_IN > VCC_OUT），Q16.1 因发射极电压高、基极接地而导通，基极电压被钳位为 VCC_IN-0.7V；PMOS 管 Q15 栅极被拉低，Vgs < 0，完全导通，电流从 VCC_IN 流向 VCC_OUT，压降仅 0.1V 左右。能自动检测电压差切换状态，反向泄漏电流近乎零，还能防电源反接、负载倒灌。其中 Q15（PMOS 管）是主功率开关，Q16.1 和 Q16.2（PNP 对管）负责电压检测与控制，电阻则用于稳定三极管工作点、控制 MOS 管栅极电压。

2025-09-30 16:45:37 190

原创养生壶爆炸事件背后的MOSFET选型思考

一岁孩童全身40%烫伤，养生壶突然爆炸的事故令人痛心。济南一名网民称，家中使用的养生壶突然爆炸，崩出的碎玻璃砸中一岁孩子，热水造成孩子全身40%大面积烫伤。这起事故不仅是一个家庭悲剧，更为整个小家电行业敲响了警钟。作为MOSFET厂家，我们深知功率半导体器件作为养生壶等小家电的“心脏”，其选型与可靠性直接关系到用户安全。本文将深入分析养生壶的电路结构，并探讨MOSFET选型如何成为产品安全设计的关键环节。

2025-09-28 18:04:37 690

原创同步降压开关电源（Buck Converter）深度解析：从原理到工作细节

它利用半导体开关的高速通断，通过电感与电容的储能和释能，并辅以精密的反馈调节，高效地将较高的输入电压转换为稳定、洁净的较低输出电压。这种“化整为零、再积零为整”的能量传递方式，相比传统的线性稳压电源，大大减少了能量损耗（热量），实现了高效率的电能转换，成为了现代电子设备不可或缺的基石技术。了解了系统架构后，我们进一步“放大”时间轴，观察在一个高频开关周期内，电流与能量的具体变化。在这个阶段，电感将之前在导通阶段储存的磁能重新转化为电能，释放给负载，像一个小型的"发电机"，确保负载电流的连续性。

2025-09-26 17:37:39 697

原创风扇的高低压MOS开关电路设计，怎么选?

以控制制冷片为例，其工作原理如下：当 NMOS 管导通时，PMOS 的 G 极被拉至地，此时 Vgs≈-12V，PMOS 导通，制冷片工作；当 NMOS 管关断时，PMOS 的 G 极被上拉至12V，此时 Vgs≈0V，PMOS关断，制冷片停止工作。不过在高压电路（>36V）中，为提升安全性，通常像家用电器控制火线那样，选择控制负载的正极，这时就需要用到 PMOS 管。当IO口输出高电平时，MOS管的G极电压高于S极将近3.3V，此时D极和S极导通。G 极电压接近 0V，MOS 管关断，风扇停止。

2025-09-26 17:17:42 202

原创保时捷无线充电系统模块分解与MOSFET分析

需通过高精度电流采样电路与自适应检测算法实现金属异物识别（FOD）与活体保护（LFD），建议使用DFN3x3封装的低栅极电荷MOSFET以减小开关噪声对检测电路的干扰。需通过CAN FD或以太网通信协议实现毫秒级数据传输，选用AEC-Q101认证的MOSFET并增加屏蔽罩与RC吸收电路，确保在车辆复杂电磁环境中的通信完整性。元件（如高频电容、磁材）、控制芯片和精密的机械结构（如自动对齐、悬架控制）。通过与车载端通信（如蓝牙/Wi-Fi），调节输出功率，实现恒流/恒压充电。

2025-09-19 17:51:54 850

原创简单实用的电源开关方案？NMOS低侧驱动了解下？

因为 NMOS 的 GS 极间阻值极高（达 M 欧以上）且存在结电容，若没有此电阻，GS 极间电荷难以释放，控制信号移除后 NMOS 可能仍维持导通，导致负载无法及时停机。并联泄放电阻后，结电容可通过电阻快速放电，使 Vgs 在控制信号移除后迅速降至 0，确保 NMOS 及时截止。它不仅结构简单、用起来方便，还因同价位 NMOS 的性能（开通速度、额定电流、导通内阻）比 PMOS 更优，但并非适用于所有电路，可能对部分电路工作产生影响。当CONTROL电平为低时，Vgs=0，MOS管关断，负载停机。

2025-09-17 17:03:18 325

原创从西蓝花联想到MOSFET在智能农业中的应用：突破季节性限制的技术革命

随着物联网和人工智能技术在农业中的进一步应用，作为基础执行器件的MOSFET将面临更高的性能要求：更低的开关损耗、更高的集成度和更强的鲁棒性。其中，环境调控系统的精确性成为全年化生产的核心保障，而该系统的可靠性直接取决于其底层电子控制模块的性能。在内的该系列器件，均通过了JEDEC MSL1湿度敏感等级认证，并成功完成了1000小时高温高湿（85℃/85%RH）可靠性测试，充分验证了其在高湿环境下的长期防腐蚀与稳定运行能力，完美契合现代农业设施对功率器件高可靠性与环境适应性的严苛要求。

2025-09-16 14:04:05 905

原创 2025年高端微型逆变器技术趋势与MOS管应用详解

常用拓扑举例是Buck-Boost电路，MOS管工作特点是高频开关，用于充放电控制。随着材料技术（如GaN、SiC的进一步成熟和成本下降）和封装技术（如双芯片封装、模块化集成）的进步，MOS管乃至整个功率变换系统的性能还将持续提升，成本有望进一步降低。通过采用高频化（GaN、SiC助力）、磁集成技术（如将多个电感集成到一个磁芯中）和紧凑封装，微型逆变器的体积将进一步缩小，重量更轻，便于安装。），降低系统成本（BOM成本优化），提高功率密度（体积更小巧），并增强系统可靠性（元件数量减少，故障点相应减少）。

2025-09-15 17:13:43 1130

原创如何用MOS管设计稳定的LED驱动电路？

假设 U+=2V，三极管导通需基极电压为 2V+0.7V（发射结导通压降）=2.7V，即运放输出电压需≥2.7V。工作流程：当负载的电流变小时，R41分压变小，U-减小，U+-U-增大，Ube变大，be处电阻可以等效看为二极管的内阻曲线，Rbe减小工作电流变大，U-变大，电流变大。若为正反馈，运放则工作在饱和区，仅满足 “虚断”，输出接近电源电压。运算放大器工作曲线图如图，当运放存在负反馈，即U+与U-的差值很小，从运放输出端假设为 “+”，沿回路传递后回到输入端变为 “-”，

2025-09-12 17:07:18 515

原创 H桥自举电路如何突破电压限制？

导通时，U9 导通后，NET4（源极）电压升至 VCC，由于电容电压差不变（仍为 3.3V），电容靠近栅极一端的电压被抬升至 VCC+3.3V，此时 VGS = (VCC+3.3V) - VCC = 3.3V，满足导通条件。但当 U9 导通后，NET4（源极）电压会升至 VCC，若 VCC 为高电压，栅极电压可能无法继续高于源极，导致管子截止。简言之，自举电路通过电容 "电压差不变" 的特性，在高端 MOS 管源极电压升高时，同步抬高栅极电压，确保 VGS 始终满足导通条件。那怎么解决这个问题呢？

2025-09-10 16:26:49 351

原创一种经典的软硬件结合一键开关机电路

MCU 启动后，GPIO-Out 输出 5V，使三极管 Q2 饱和导通，将 Q1 的 G 极拉至 0V，此时 Vgs=5V，维持 Q1 导通。0.3V是二极管D1的导通压降。Q1 的 G 极维持 0V，Vgs=5V，VCC 持续输出 5V，系统保持开机。可以看出，关机状态下，电路没有形成任何回路，没有产生电流，关机功耗为0。，VCC 输出 0V，MCU 断电，电路回归 0 功耗的关机状态。② 按键SW1被按下后，GPIO-In由5V被拉到0.3V，③按键SW1松开后，Q1的g极变为5V，Q1关闭。

2025-09-05 17:29:48 376 1

原创为什么NMOS管的负载在电源端？而PMOS管的负载在接地端？

若负载接在电源端，此时源极（S）接地，栅极（G）的电压只需相对于地达到 5V，就能满足导通条件 —— 负载的压降不会影响 Vgs，无论负载阻抗如何变化（比如蜂鸣器压降从 1V 变为 1.2V），只要 G 极电压≥5V（不超额定值），管子就能稳定导通。若负载阻抗变大（压降 1.2V），则需 6.2V 才能导通，一旦输入电压不足，管子就无法正常工作。若负载接在接地端，源极接电源，此时 G 极电压降低时，S 与 G 的压差更容易达到导通阈值，负载压降不会干扰这一条件。而PMOS管的负载在接地端？

2025-09-03 16:31:54 371

RQJ0458FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0452FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0450FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0457FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0456FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0454FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0453FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0451FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0459FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0455FQDQS-VB一款2个P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V;VGS=12V;Vth=-1.2~-2.2V

2024-10-26

RQJ0419FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0418FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0417FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0416FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100V;25A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.4V

2024-10-23

RQJ0415FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0414FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

RQJ0413FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

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60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23

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60V;75A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.9V

2024-10-23