微碧VBsemi-CSDN博客

原创 2SK2809-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*电源管理**: 2SK2809-01MR-VB在高性能电源管理模块中表现出色，适用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）、开关电源和逆变器。**电动汽车**: 在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）和电机驱动器。**工业高频开关**: 2SK2809-01MR-VB适用于工业高频开关应用，如电焊机和感应加热器。**医疗设备**: 在医疗设备中，该MOSFET可用于电源管理模块和高功率设备驱动器。**型号**: 2SK2809-01MR-VB。

2024-09-06 14:09:49 343

原创 2SK2808-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **电动汽车控制器**：在电动汽车控制系统中，2SK2808-01MR-VB 的高电流处理能力和低压特性可以确保电能传输的稳定和高效率，提高电动汽车的性能和续航里程。1. **电源模块**：在需要高效能和稳定性能的低压电源模块中，2SK2808-01MR-VB 可以提供可靠的功率开关和电流控制，使电源模块具有更好的效率和可靠性。3. **照明系统**：对于需要高亮度和高功率的LED照明系统，2SK2808-01MR-VB 可以提供稳定的电流和电压输出，提升照明效果和能源利用率。

2024-09-06 14:08:31 437

原创 2SK2807-VB一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电源模块**: 由于其低电阻和高电流特性，2SK2807-VB 可用于开关电源和DC-DC转换器中，提供高效率的能源转换。5. **LED照明**: 在高功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于电源和驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的能源转换。4. **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，2SK2807-VB 可用于电源管理和驱动电路，确保设备的高效运行。1. **电机驱动器**: 在电机控制器和驱动模块中，该MOSFET可以提供高效能和高电流输出，确保电机的稳定运行。

2024-09-06 14:06:51 314

原创 2SK2807-01S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**电源管理**：在笔记本电脑、平板电脑等设备的电源管理模块中，提高电源转换效率。- **LED照明**：在LED照明系统中，提供高效的电源开关控制，延长LED寿命。- **汽车照明**：在汽车前照灯和尾灯的电源控制中，提供稳定的功率输出。- **电源开关**：在工业设备中的电源开关模块中，确保稳定的电源输出。- **电机驱动**：用于高功率电机的驱动，提供稳定的电流输出。- **型号**: 2SK2807-01S-VB。- **封装**: TO263。- **技术**: 沟槽型。

2024-09-06 14:05:27 264

原创 2SK2807-01L-VB一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **工业控制系统**：在工业控制系统中，2SK2807-01L-VB 可以用于各种控制和驱动应用，如电机控制、传感器接口和执行器驱动。2. **电动工具**：在电动工具中，如电钻和电锯，2SK2807-01L-VB 可以用作电机驱动器的开关元件。3. **电动汽车**：在电动汽车的电力传动系统中，该 MOSFET 可以用于控制电机的速度和转矩。5. **服务器和数据中心设备**：在服务器和数据中心设备中，该器件可用于电源转换器和电源管理模块，确保设备的高效能和可靠性。- **封装**：TO262。

2024-09-06 14:04:04 178

原创 2SK2806-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**低压DC-DC转换器**：在低电压下，2SK2806-01-VB能够提供高达80A的电流输出，适用于低压DC-DC转换器。- **LED灯带驱动**：在需要高亮度和高效率的LED灯带驱动器中，2SK2806-01-VB能够提供稳定的电流输出。- **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，2SK2806-01-VB能够处理高电流充电需求，保证充电效率和速度。- **电池管理系统**：在手机和平板电脑的电池管理系统中，该MOSFET能够提供高效的电池充放电控制，延长电池寿命。

2024-09-06 14:02:49 407

原创 2SK2800-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**直流-直流转换器：** 由于其低导通电阻和高漏源电压，2SK2800-VB 特别适用于高功率直流-直流转换器，如服务器电源和工业电源等，能够提供高效能的转换性能。- **电动车辆控制器：** 在电动车辆的电机控制系统中，MOSFET 被广泛应用。- **工业电机控制：** 在工业自动化设备中，2SK2800-VB 可以用作工业电机的控制开关，确保设备的高效运行和稳定性。- **栅源电压（VGS）：** 20V（±）- **型号：** 2SK2800-VB。- **漏源电压（VDS）：** 60V。

2024-09-06 13:58:35 220

原创 2SK2799-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，2SK2799-VB 可用于控制和转换太阳能电池板产生的直流电，供给家庭或工业用电。2. **工业电源**：在工业电源设备中，该 MOSFET 可用于开关模式电源（SMPS）、逆变器等，实现高效、稳定的电能转换。1. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，2SK2799-VB 可用作功率开关器件，提供高效、可靠的电能转换和管理。4. **医疗设备**：在需要高性能电源管理的医疗设备中，该 MOSFET 可确保设备的安全、稳定运行。

2024-09-06 13:57:24 282

原创 2SK2798-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

在电动汽车的电动机控制系统中，该MOSFET可以用作功率开关，用于控制电动机的启停和速度调节。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V。- **漏源极电压 (VDS)**: 500V。- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V。- **阈值电压 (Vth)**: 3.1V。- **型号**: 2SK2798-VB。- **漏极电流 (ID)**: 13A。- **技术**: Plannar。- **封装**: TO220。- **配置**: 单一N沟道。

2024-09-06 13:56:11 283

原创 2SK2796STL-E-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**导通电阻 (RDS(ON))** | 85 | mΩ | VGS=4.5V 时 || **导通电阻 (RDS(ON))** | 73 | mΩ | VGS=10V 时 || **连续漏极电流 (ID)** | 18 | A | 最大额定值 |

2024-09-06 13:55:01 1065

原创 2SK2713-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2713-VB** 是一款适用于中高压应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻。**2SK2713-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于中高压应用。- **栅极-源极电压 (VGS)**：30（±V）- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V。- **阈值电压 (Vth)**：3.5V。- **漏极电流 (ID)**：7A。- **封装类型**：TO220F。- **技术**：Plannar。- **配置**：单N沟道。

2024-09-05 14:24:27 278

原创 2SK2701-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2701-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装形式，具有优异的导通性能和高可靠性。- **大功率太阳能逆变器**: 在大功率太阳能逆变器中的功率开关器件，提供高效的能源转换。- **医疗电子设备**: 在需要高性能、高可靠性的医疗电子设备中的功率开关器件。- **开关电源**: 作为高电压开关电源中的功率开关器件，提供稳定的电源输出。- **漏源电压 (VDS)**: 500V。- **栅源电压 (VGS)**: ±30V。- **型号**: 2SK2701-VB。

2024-09-05 14:23:03 431

原创 2SK2700-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **高压直流输电系统（HVDC）：** 可用于 HVDC 系统中的功率开关模块，提供对高压直流输电系统的控制和管理。2. **电动汽车充电桩：** 适用于电动汽车充电桩中的功率控制模块，提供对电动汽车充电过程的控制和管理。1. **工业高压电源系统：** 可用作工业高压电源系统中的功率开关，实现对高压电源的稳定控制和调节。3. **太阳能逆变器：** 可用作太阳能逆变器中的功率开关，实现对太阳能电池板输出电压的控制和调节。- **技术（Technology）：** 平面（Plannar）

2024-09-05 14:21:51 229

原创 2SK2700_06-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2700_06-VB**具有高耐压、适中电流和稳定性的特点，适用于多种中功率应用场合，是现代电子系统中的重要组成部分。- **电力逆变器**: 用于电力逆变器中的功率开关，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器等应用。- **工业电机驱动**: 在工业电机驱动系统中，可用作电机控制开关，控制电机的运行状态。- **开关电源**: 可用于开关电源中的功率开关，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。- **UPS系统**: 适用于UPS系统中的电源开关，提供稳定的备用电源。

2024-09-05 14:20:25 417

原创 2SK2699-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **电源管理**：适用于高压开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源管理模块，具有高电压和适中电流承载能力。3. **工业控制**：适用于工业控制系统中的高压开关和控制模块，如机器人控制、PLC系统等。4. **电源逆变器**：用于太阳能逆变器和其他电源逆变器中，以实现电能的有效转换和控制。2. **电动汽车**：可用于电动汽车的电动机驱动器，具有适当的电压和电流特性。- **漏极-源极电压 (VDS)**：600V。- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V。- **封装类型**：TO3P。

2024-09-05 14:19:08 278

原创 2SK2695-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

5. **电动工具**：在中等功率密度和高效能量转换要求的电动工具中，如电动钻、电动锯等，该MOSFET可提供可靠的开关功能和高效的能量转换。1. **电源模块**：2SK2695-01-VB适用于中等电压和电流的电源模块，如电源逆变器、UPS电源等，提供稳定的电压和电流输出。3. **工业控制系统**：在中等功率密度和高效能量转换要求的工业控制系统中，该MOSFET可用于开关电路，提供可靠的控制和能量转换。- **型号**: 2SK2695-01-VB。- **技术**: SJ_Multi-EPI。

2024-09-05 14:17:54 251

原创 2SK2689-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2689-01MR-VB 可用于低电压和高电流的电源管理模块，如高性能电源适配器和DC-DC转换器。这些示例说明了 2SK2689-01MR-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种低电压和高电流应用的理想选择。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V。- **型号**: 2SK2689-01MR-VB。- **最大漏极电流 (ID)**: 68A。- **封装**: TO220F。

2024-09-05 14:16:46 183

原创 2SK2689-01MR_05-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以上是2SK2689-01MR_05-VB 在高功率应用中的典型应用场景。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 1mΩ @ VGS = 10V。- **型号**: 2SK2689-01MR_05-VB。- **技术**: 槽沟道结构（Trench）- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V。- **漏源电压 (VDS)**: 30V。- **漏极电流 (ID)**: 68A。- **封装**: TO220F。

2024-09-05 14:15:45 259

原创 2SK2688-01S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电机驱动**：适用于需要高电流控制的直流电机驱动器、步进电机驱动器等应用中，具有较低的导通电阻和良好的导通特性。1. **电源管理**：用于高电流的开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用中，能够提供高效的功率转换和稳定的性能。- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）**: 18mΩ @ VGS=4.5V, 12mΩ @ VGS=10V。- **型号**: 2SK2688-01S-VB。- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V。- **漏极-源极电压（VDS）**: 30V。

2024-09-05 14:14:26 369

原创 2SK2687-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **工业控制**：在各种工业控制系统中，2SK2687-01-VB 能够提供稳定的开关性能和高电流驱动，适用于需要高功率和高可靠性的场合。2. **电机驱动**：在需要高电流驱动和低导通电阻的电机驱动系统中，2SK2687-01-VB 能够提供稳定的电流输出和高效的功率传输。1. **电源模块**：在需要高效能量转换和低压降的电源模块中，该器件可用于提供稳定的电流和降低导通损耗。- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V。- **型号**：2SK2687-01-VB。- **技术**：沟道结构。

2024-09-05 14:13:23 263

原创分享一个PMOS的电路设计

当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等于Vin，Q2的G、S两端的电压等于0，Q2关断，此时的VOUT输出关断。R2的选值要根据MCU的IO电压、最大输出电流和开关管Q1的类型来选择，MOS管的限流电阻通常可以在几十Ω级别，三极管的限流电阻要根据MCU的IO电压/最大输出电流来计算，一般在ｋΩ级别。可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的开启电压。

2024-09-04 13:45:54 764

原创 2SK2617LS-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2617LS-VB** 是一款适用于中高压功率应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压、适中的导通电阻和良好的电流处理能力。**2SK2617LS-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于中高压功率应用。- **栅极-源极电压 (VGS)**：30（±V）- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V。- **漏极电流 (ID)**：7A。- **封装类型**：TO220F。- **配置**：单N沟道。- **技术**：平面型。

2024-09-04 11:36:19 261

原创 2SK2617ALS-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**高压太阳能逆变器**: 用于高压太阳能逆变器中的功率开关器件，提供高效的太阳能转换。- **高压UPS系统**: 用于UPS系统中的功率开关器件，确保电源的稳定性和可靠性。- **高压开关电源**: 在需要高压开关电源的场合，提供高效的电能转换。- **高压稳压电源**: 用作开关管，提供高效的电源控制和稳定输出。- **高压电动机控制**: 用于高压电动机控制系统中的功率开关器件。- **电动汽车充电桩**: 作为功率开关器件，提供高效的电能转换。- **型号**: 2SK2617ALS-VB。

2024-09-04 11:35:18 235

原创 2SK2608-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **高压直流输电系统（HVDC）：** 该MOSFET 可用于HVDC系统中的功率开关模块，提供对高压直流输电系统的控制和管理。3. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，2SK2608-VB 可用于功率开关，实现对太阳能电池板输出电压的控制和调节。5. **医疗设备：** 在需要高压稳定输出的医疗设备中，2SK2608-VB 可用于功率控制模块，确保设备稳定、高效地运行。1. **工业电源系统：** 在高压工业电源系统中，2SK2608-VB 可用作功率开关，实现对高压电源的稳定控制和调节。

2024-09-04 11:33:42 304

原创 2SK2607-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2607-VB**具有较高的耐压和适中的导通电阻，适用于多种中高功率应用场景，是现代电力电子和工业控制系统中的理想选择。- **电源模块**: 该MOSFET可用作工业电源模块中的功率开关管，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。- **UPS系统**: 在UPS系统中，该MOSFET可用于电源逆变器中的功率开关，提供稳定的电压输出。- **工业照明**: 该MOSFET可用于工业照明系统中的功率开关，提供高亮度和稳定的照明效果。- **封装类型**: TO3P。- **配置**: 单N沟道。

2024-09-04 11:32:26 270

原创 2SK2603-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **照明系统**：在需要高电压驱动的照明系统中，如卤素灯驱动、氙气灯驱动等，2SK2603-VB可作为可靠的开关元件，确保稳定的照明效果。3. **电动工具**：在需要高电压和低电流驱动的电动工具中，如高压电动钻、高压电动锯等，该MOSFET可提供可靠的开关功能和高效的能量转换。1. **电源模块**：2SK2603-VB适用于高电压和低电流的电源模块，如高压直流电源、电力传输系统等，提供稳定的电压和电流输出。- **型号**: 2SK2603-VB。- **封装**: TO220。

2024-09-04 11:22:50 371

原创 2SK2602-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

这些示例说明了 2SK2602-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种高电压和高电流应用的理想选择。- **最大漏源电压 (VDS)**: 600V。- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V。- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V。- **最大漏极电流 (ID)**: 11A。- **技术**: SJ_Multi-EPI。### 2SK2602-VB 详细参数说明。- **型号**: 2SK2602-VB。- **封装**: TO3P。- **配置**: 单N沟道。

2024-09-04 11:21:12 313

原创 2SK2601-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

在太阳能逆变器中，2SK2601-VB 可以用于高功率开关电路，帮助提高逆变器的转换效率和稳定性。- **导通电阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V。- **技术**: 多重外延结构（SJ_Multi-EPI）- **漏源电压 (VDS)**: 600V。- **栅源电压 (VGS)**: ±30V。- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V。- **型号**: 2SK2601-VB。- **漏极电流 (ID)**: 11A。- **封装**: TO3P。

2024-09-04 11:19:05 353

原创 2SK2599_06-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **电源逆变器**：在需要中等功率和高压逆变的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于太阳能逆变器、风能逆变器等领域。2. **工业控制系统**：在需要高压开关和稳定性能的工业控制系统中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于高压设备控制等领域。3. **电源管理**：用于需要高压开关和稳定性能的电源管理系统中，适用于工业电源、UPS电源等领域。- **漏源电压（VDS）**: 650V。- **栅源电压（VGS）**: ±30V。- **门限电压（Vth）**: 3.5V。

2024-09-04 11:18:00 274

原创 2SK2598-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电动车充电桩**：在需要中压和适度电流的电动车充电桩中，2SK2598-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。1. **电源转换器**：由于其中压能力，该器件可用于各种类型的电源转换器和开关电源中，提供高效的电能转换和稳定的输出。4. **工业控制**：在各种工业控制系统中，2SK2598-VB 能够提供稳定的开关性能，适用于中压开关和功率控制。3. **电力传输**：在需要中压开关和稳定性的电力传输系统中，该器件可用于开关电路和其他中压应用，提供可靠的性能。- **技术**：沟道结构。

2024-09-04 11:16:57 176

原创 2SK2516-01L,S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电源管理**：在需要高效电源管理的系统中，2SK2516-01L,S-VB 能够提供稳定的电流控制和低损耗，适用于开关电源（SMPS）和其他电源管理模块。1. **DC-DC 转换器**：由于其低导通电阻和高电流特性，该器件非常适用于各种DC-DC转换器中，提供高效的电能转换和稳定的输出。3. **电机控制**：在低压高功率电机控制的应用中，该器件能够提供可靠的电流控制和高效的能量转换，适用于小型电机驱动器和工业控制系统。- **型号**：2SK2516-01L,S-VB。### 详细参数说明。

2024-09-03 11:56:51 469

原创 2SK2512-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

*2SK2512-VB** 是一款适用于高功率应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压、低导通电阻和大电流承受能力。**2SK2512-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于高功率应用。- **栅极-源极电压 (VGS)**：20（±V）- **漏极-源极电压 (VDS)**：60V。- **阈值电压 (Vth)**：1.7V。- **漏极电流 (ID)**：60A。- **封装类型**：TO220。- **配置**：单N沟道。- **技术**：沟槽型。

2024-09-03 11:40:03 221

原创 2SK2507-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**电动汽车驱动**: 用作电动汽车中的功率开关器件，提供高效的电能转换和电机驱动。- **DC-DC转换器**: 适用于中高功率DC-DC转换器中，提供高效的电能转换。- **LED灯驱动**: 作为LED驱动器的开关元件，提供中高功率的LED驱动方案。- **工业自动化**: 在工业机器人和自动化设备中，用于中高功率电机的控制和驱动。- **AC-DC转换器**: 在工业电源和消费电子产品中用于中高功率电能转换。- **电机驱动**: 在中高功率电动工具和家用电器中，用作电机驱动器件。

2024-09-03 11:38:23 286

原创 2SK2504TL-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**中功率充电器**: 该MOSFET可用于中功率电动汽车充电器中的电源控制模块，提供高效的电能转换和快速充电功能。- **室内照明**: 在室内照明系统中，该MOSFET可用于控制LED灯的亮度和稳定性，提供高效的照明控制。- **电动汽车驱动器**: 适用于中功率电动汽车的驱动器中，控制电机的速度和方向，提供高效的动力输出。- **广告牌照明**: 适用于广告牌照明系统中的电源控制模块，提供可靠的电能转换和高亮度的照明效果。- **封装类型**: TO252。- **配置**: 单N沟道。

2024-09-03 11:27:21 401

原创 2SK2503TL-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电动工具**：在电动工具和机械设备中，2SK2503TL-VB MOSFET可以用于驱动电机和控制电流。4. **消费类电子产品**：在消费类电子产品中，2SK2503TL-VB MOSFET可用于电源管理和功率控制模块，如电视机、音响系统、电脑设备等。5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于汽车电源管理和驱动控制模块，如汽车灯光系统、电动窗控制等。- **导通电阻 (RDS(ON))**：85mΩ（在VGS=4.5V时），73mΩ（在VGS=10V时）

2024-09-03 11:25:44 350

原创 2SK2499-Z-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **工业电机控制器**：在需要高功率电机控制的工业应用中，如风力发电机控制器、工业机器人控制器等，2SK2499-Z-VB可提供可靠的开关功能和高效的能量转换。2. **电源模块**：2SK2499-Z-VB适用于高功率密度和高效能量转换的电源模块，如工业电源、通信设备等，提供稳定的电压和电流输出。1. **电动汽车**：在电动汽车的电机驱动系统中，2SK2499-Z-VB可作为功率开关管，用于控制电动汽车的电机转速和扭矩输出。- **型号**: 2SK2499-Z-VB。

2024-09-03 11:24:27 280

原创 2SK2499-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

其高电流能力和低导通电阻使其成为电源管理中的理想选择。这些示例说明了 2SK2499-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种中等功率应用的理想选择。- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V。- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V。- **最大漏极电流 (ID)**: 60A。- **型号**: 2SK2499-VB。- **技术**: Trench。- **封装**: TO220。- **配置**: 单N沟道。

2024-09-03 11:23:05 279

原创 2SK2494-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2494-01-VB 可以用于电动车辆中的驱动和电源管理系统中，例如用作电动车辆控制器中的功率开关元件。在高功率电源模块中，2SK2494-01-VB 可以用作开关元件，帮助控制电源的输出。- **型号**: 2SK2494-01-VB。- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V。- **漏源电压 (VDS)**: 60V。- **漏极电流 (ID)**: 50A。- **封装**: TO220。- **配置**: 单N沟道。

2024-09-03 11:20:52 336

原创 2SK2493-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电机驱动**：在需要处理高功率的电机控制和驱动应用中，该MOSFET能够提供高效的开关和控制特性，适用于电动工具、电动汽车和其他高功率电机控制模块。1. **电源管理系统**：在需要高功率开关和稳定性能的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于工业电源、服务器电源和高功率电源供应器。3. **电池管理**：用于高功率电池管理系统中的开关和保护电路，2SK2493-VB能够提供可靠的高功率开关性能，适用于电动汽车、储能系统等领域。- **漏源电压（VDS）**: 20V。

2024-09-03 11:19:27 227

原创 2SK2385-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电机控制**：在需要中功率电机控制的应用中，2SK2385-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换，适用于电机驱动器和工业控制系统。1. **电源管理**：由于其中等电压和高电流特性，该器件可用于各种类型的开关电源（SMPS）和逆变器中，提供高效的电能转换和稳定的输出。4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，2SK2385-VB 可用于车载电源管理、电机驱动和其他需要中等电压和高电流的应用。- **漏极-源极电压 (VDS)**：60V。- **型号**：2SK2385-VB。

2024-09-02 11:47:27 432

2SK2809-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2809-01MR-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；ID：70A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2808-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2808-01MR-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V；ID：68A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2807-VB一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2807-VB；Package：TO262；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：2V；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V；ID：98A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2807-01S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2807-01S-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V；ID：50A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2807-01L-VB一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2807-01L-VB；Package：TO262；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：2V；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V；ID：98A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2806-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2806-01-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V；ID：80A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2800-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2800-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V；ID：60A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2799-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2799-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-06

2SK2798-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2798-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：500V；VGS：30（±V）；Vth：3.1V；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V；ID：13A；Technology：Plannar；

2024-09-06

2SK2796STL-E-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2796STL-E-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Trench；

2024-09-06

2SK2713-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2713-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V；ID：7A；Technology：Plannar；

2024-09-05

2SK2701-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2701-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：500V；VGS：30（±V）；Vth：3.1V；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V；ID：13A；Technology：Plannar；

2024-09-05

2SK2700-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2700-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：950V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V；ID：6A；Technology：Plannar；

2024-09-05

2SK2700-06-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2700_06-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：950V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V；ID：6A；Technology：Plannar；

2024-09-05

2SK2699-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2699-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：600V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-05

2SK2695-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2695-01-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：700V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V；ID：5A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-05

2SK2689-01MR-05-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2689-01MR_05-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V；ID：68A；Technology：Trench；

2024-09-05

2SK2688-01S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2688-01S-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V；ID：50A；Technology：Trench；

2024-09-05

2SK2687-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2687-01-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：70A；Technology：Trench；

2024-09-05

2SK2617LS-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2617LS-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V；ID：7A；Technology：Plannar；

2024-09-04

2SK2617ALS-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2617ALS-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V；ID：7A；Technology：Plannar；

2024-09-04

2SK2608-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2608-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V；ID：5A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-04

2SK2607-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2607-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-04

2SK2606-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2606-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-04

2SK2603-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2603-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：850V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V；ID：4A；Technology：Plannar；

2024-09-04

2SK2602-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2602-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：600V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-04

2SK2601-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2601-VB；Package：TO3P；Configuration：Single-N-Channel；VDS：600V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=380mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；

2024-09-04

2SK2599-06-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2599_06-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=2560mΩ@VGS=10V；ID：4A；Technology：Plannar；

2024-09-04

2SK2598-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2598-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：250V；VGS：20（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V；ID：17A；Technology：Trench；

2024-09-04

2SK2516-01L,S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2516-01L,S-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V；ID：50A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2512-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2512-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V；ID：60A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2507-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2507-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V；ID：45A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2503TL-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2503TL-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2499-Z-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2499-Z-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V；ID：150A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2499-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2499-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V；ID：60A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2494-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2494-01-VB；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V；ID：50A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2493-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2493-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：20V；VGS：20（±V）；Vth：0.5~1.5V；RDS(ON)=6mΩ@VGS=2.5V；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V；ID：100A；Technology：Trench；

2024-09-03

2SK2385-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2385-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V；ID：45A；Technology：Trench；

2024-09-02

2SK2381-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2381-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：200V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V；ID：10A；Technology：Trench；

2024-09-02

2SK2376-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SK2376-VB TO263；Package：TO263;Configuration：Single-N-Channel;VDS：60V;VGS：20（±V）;Vth：1.7V;RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V；ID：75A;Technology：Trench;

2024-09-02

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