高通芯片校准中的RGI、ICQ是什么意思，校准的特征化是什么意思？(转)

最新推荐文章于 2024-10-10 07:27:10 发布

风雪冰_o0K

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ICQ指PA静态工作电流，最新MIPI技术,支持PA静态工作电流的调整，进而优化PA效率。相对应的也会调整PA偏执电压，这个过程即APT技术。

所谓特征化，就是用金板制作APT特征化表，这个表描述了:

在一组 PA输出功率范围，比如25dbM~-50dBm，最优化的PA bias(偏置电压)和Icq的组合关系

而功率的输出，使用RGI控制（DAC, PDM，爱咋理解就咋理解，他就是用来控制WTR发射功率大小的），比如从90~22

APT特征化表制作好后，工厂生产过程中会使用该参数到新板子上内插估算出新板的APT特征，然后再使用这个估算的APT参数，进行功率扫描得到最优的Pout VS Vbias VS Icq的表。

高通会提高XTT做APT特征化，最终生产参数存放到一个XML

校准XTT会有一个节点导入该XML。

1. 为啥要做手机射频校准

a, 板子差异性

b, 为了满足射频性能、规范

c, 电池寿命考虑

d, 针对高通，APTXPT部分校准有效率优化考虑

所以其实你导入一个金板的QCN到其他手机，理论上是可以工作的，不过指标可能会出问题。由于高通给的方案客户可定制化较高，这是好事也是坏事，但是MTK给的方案基本不需要大改。这就样的差别直接导致两家校准算法的效率差别，大家都知道MTK校准是很快的，但是高通校准内容多，时间相对来说要多点。特别是后续的XPT，CHAR 要做多，校准也多了几个sweep。虽然我没有接触过MTK平台，但我想射频前端如果基本固定，那校准算法会大大简化。比如只去采样几个点。

2. 手机射频校准在做啥

射频校准最终是为了通信服务的，校准的目的也就为了补偿路径差损。因此对于一个射频系统，发射 TX，接收Rx，收发器本身DC、RSB，基带温度，晶振，回环电路（Hdet）等因素都会照成影响。所以校准时就会针对这些因子进行调整。

3. 高通校准算法的演进

a .3g/4g算法

V1 时代大概我还在挂科，所以我也不知道具体细节。

V2 时代，像QSC1100和12年QRD8x25/7x25等平台采用的算法成为V2，校准参数在XTT里直接就修改（我假想你已经熟悉高通工具了）

ESCV3 开始，高通导入sweep的概念 ESC(enhance sweep calibration)，校准时间有很大提升，这个算法在QRD8x10后，也就WTR1605之后开始采用，校准参数任然在xtt里修改，同时APT技术也开始采用

ESCv4, 也就是现阶段的算法，在ESCV3进行扩展（opcode）效率和V3差别不到，在新平台上能做到2ms甚至1ms的扫描间隔。同时V4开始支持XPT、Fbrx/Rx rsb、CA等新的校准内容。 V4的校准参数全部放到XML里进行管理，XTT不在能修改参数，这个时候XTT仅仅是一个壳。

同时，Tx自校准机制也在新平台提出，也就是回环电路可以量功率. 说量功率不太准确，其实量的还是AGC然后转换成功率值。

4. Tx 校准

3/4g Tx 校准

Tx的校准也就是针对PA发射的调校。市场的PA都有增益等级，每个增益等级有相应的发射功率范围。最终能满足最大功率到最小功率的发射范围。这个从规格书容易知道。

高通在TX发射校准无外乎就是把发射链路的最大功率和最小功率区间特性写入手机。让手机软件工作起来知道发多大功率需要怎么处理。

首先你要明白PA的控制增益过程，高通早期称为pa_range，因为那时PA都是GPIO控制，后面出现了MIPI PA，开始引入PA state的概念。那么无论是PA range 和PA state 都代表PA的增益等级。常见的PA都是2态等级，支持APT。如果是ET的话一般会有3~4个等级，当然也可能只是2态。PA的增益等级控制由NV控制，所以你需要明白PA range map的nv的含义。这也是个关键的地方，

针对GPIO PA， range map NV 有8个bit 为 xx xx xx xx 从右往左依次为state 0-1-2-3，那么x代表0或1， 0 高电平，1电平。一般PA最多由连个IO控制，所以这里就是逻辑电平的最后，最后填到NV里。

针对MIPI PA， NV里填写的事PA driver 代码里的range 数组下标。

上面顺便提一下，详细的不说了。目的就是要明白TX校准会针对每个PA 增益下做发射校准。

V2时控制发射的叫PDM，所以校准时会设定一个起始PDM ，一个步进（step）然后设置信道，PA等级，开始做扫描这样就得到参考信道的一组数据， PDM VS power 关系，然后把这个数据写到手机里。

V3/V4和V2一致，也需要定义起始，这里控制的叫RGI。

2,1,0,0

SSS(80,11,-2);SSS(80,11,-2);SSS(80,55,-2);SSS(54,1,-2)

1000;1000;1000;1000

如上，这要做PA 等级 = 2,1,0 TX扫描，2时 RGI从80扫描到11，步进为2，每个RGI扫描持续1ms, 那么大约就是 (80 -11)/2*1 ms了。

速度是很快的。

那么每个PA state下都要扫出一张表，即RGI vs power vs Vbias(PA偏置电压) /Icq ，几张表合起来需要满足条件

1. 最大~最小，需要点余量，例如27~-60dBm

2. 每张表需要覆盖PA的切换点

3. 最小增益等级由于跨度大，考虑仪器量程，一般校准时分两次扫描。同时确保最小功率点能写进NV，因为NV尺寸有限。

举个例子，如果功率扫描出来18~ -56 dB,理论上是ok的，但是由于RGI按1为步进，假设从80~1那么就有相应80个点，但其实写NV时只会写从大的到64的位置截止，这样就有风险最小功率区间不覆盖。然后去综测时发现最小功率有问题。很不幸的是，高通工具没法检测这个问题。所以需要调整扫描上限或者扫描间隔用2

当有APT后，需要在全偏置电压，一般3.7v，即3700下扫描出fullbias的表，然后再把这个表插到char表里找到最优的PA bias进行动压即APT的扫描。

Tx 扫描时会顺便把回环HDET这个特性表扫描出来。HDET仅在大功率模式工作，所以仅需在PA最高增益做校准。

HDET是用来做闭环功率控制用的，仅针对3/4G技术。GSM还是按power level发射。

HDET其实就是描述某个功率到天线端，modem测对它的评估，即一个AGC值。例如发射24dBm,回环HDET = 3000.

HDET校准后会由NV HDET_VS_AGC来保存，这个NV刻度了16个power区间，每个power对应一个HDET值。也即在online时，手机发射某功率A时，手机开始量取HDET，然后把这个实时HDET插到HDET_VS_AGC估算出功率为为B，然后开始比较A和B，判断是需要增加发射还是需要减低发射。

未知其他方案商是否有HDET机制。

GSM --Tx校准

校准Tx校准很多年都保留了V2，到现在虽然推出了V4算法，但需要做CHAR。 V4比起V2有很大效率提升。因为支持多band校准，且采用char,算下来大概3~5s做完4个band

GSM Tx 校准也是为了描述PA发射而做，分为DA何pre-dist预失真校准。

DA校准时设置pa range 开启扫描，RGI从31 ~1，同时会扫描出8psk，GMSK数据。

Pre-dist 校准仅针对edge 大功率模式，所以也只会在最大pa功率模式做。

通最新的QSC算法用于最新的MSM8998，SDM660， Modem 代号 Atlas

参考文档80-P1071-7_MPSS_AT_Factory_RF_Calibration_Software

1. 校准概述

--》 TX、RX，Fbrx，FDRSB，IP2

--> Tx的频率补偿校准全部拿掉，完全使用FBRX来做修正，FBRX支持多信道校准，且需要完成高低温的特征化（char），说白了高低温的FBRX校准，然后生成char的NV用于高低温补偿。这样就能保证Tx的频率补偿能达到平坦。

--> 所有的RX校准都作为普通的单载波校准，也即没有DLCA校准的概念