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第三章 静态电磁场及其边界问题的解
3.0 重点
- 基本方程、边界条件、和麦克斯韦方程联系在一起
- 求电容:1、求电位差 2、电位差与电荷之间的比
- 求能量密度 如何构建电场和磁场
- 电位➡️电场
- 矢量磁位➡️磁场
- 自感
- 内自感
- 外自感
- 恒定磁场能量密度(与电场对应)
- 镜像法不要求掌握
- 静态电磁场:
场量不随时间变化,包括:静电场、恒定电场和恒定磁场
3.1 静电场分析
3.1.2 电位函数
-
定义:由 ▽ × E ⃗ = 0 \;\triangledown \times \vec{E}= 0\; ▽×E=0得 E ⃗ = − ▽ φ \;\vec{E}=-\triangledown \varphi\; E=−▽φ
即:静电场可以用一个标量函数的梯度来表示,标量函数 φ \;\varphi\; φ称为静电场的标量电位或简称电位
根据:梯度的散度为零
-
电位的表示:
- 体电荷的电位
φ ( r ⃗ ) = 1 4 π ε ∫ V ρ ( r ′ ⃗ ) R d V ′ + C \varphi(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon}\int_V\frac{\rho(\vec{r'})}{R}dV'+C φ(r)=4πε1∫VRρ(r′)dV′+C - 面电荷的电位
φ ( r ⃗ ) = 1 4 π ε ∫ S ρ S ( r ′ ⃗ ) R d S ′ + C \varphi(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon}\int_S\frac{\rho_S(\vec{r'})}{R}dS'+C φ(r)=4πε1∫SRρS(r′)dS′+C - 线电荷的电位
φ ( r ⃗ ) = 1 4 π ε ∫ C ρ l ( r ′ ⃗ ) R d l ′ + C \varphi(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\varepsilon}\int_C\frac{\rho_l(\vec{r'})}{R}dl'+C φ(r)=4πε1∫CRρl(r′)dl′+C - 点电荷的电位
φ ( r ⃗ ) = q 4 π ε R + C \varphi(\vec{r})=\frac{q}{4\pi\varepsilon R}+C φ(r)=4πεRq+C补充(常用公式): ▽ ( 1 R ) = − R ⃗ R 3 \triangledown(\frac{1}{R})=-\frac{\vec{R}}{R^3} ▽(R1)=−R3R
- 体电荷的电位
-
电位差
∫ P Q E ⋅ d l ⃗ = − ∫ P Q d φ = φ ( P ) − φ ( Q ) = U \int_P^QE\cdot d\vec{l}=-\int_P^Qd\varphi = \varphi(P)-\varphi(Q) = U ∫PQE⋅dl=−∫PQdφ=φ(P)−φ(Q)=U两点间的电位差等于电场力将单位正电荷从 P \;P\; P点移至 Q \;Q\; Q点所做的功
相关例题:PPT第三章p9
-
电位的微分方程
- 标量泊松方程:
▽ ⋅ D ⃗ = ρ ⇒ ▽ ⋅ E ⃗ = ρ ε E ⃗ = − ▽ φ } ⟹ ▽ 2 φ = − ρ ε \left . \begin{array}{lr} \triangledown \cdot \vec{D}=\rho\Rightarrow\triangledown \cdot\vec{E}=\frac{\rho}{\varepsilon}\\ \vec{E}=-\triangledown \varphi \end{array} \right\}\;\;\Longrightarrow\;\;\triangledown^2\varphi = -\frac{\rho}{\varepsilon} ▽⋅D=ρ⇒▽⋅E=ερE=−▽φ}⟹▽2φ=−ερ - 拉普拉斯方程:
ρ = 0 ⟹ ▽ 2 φ = 0 \rho=0\;\;\Longrightarrow\;\;\triangledown^2\varphi = 0 ρ=0⟹▽2φ=0
- 标量泊松方程:
-
静电位的边界条件
- 紧贴界面的相邻两点,其电位分别为
φ
1
φ
2
\varphi_1\;\;\varphi_2
φ1φ2
φ 1 = φ 2 \varphi_1=\varphi_2 φ1=φ2
ε 2 ∂ φ 2 ∂ n − ε 1 ∂ φ 1 ∂ n = ρ S \varepsilon_2\frac{\partial\varphi_2}{\partial n}-\varepsilon_1\frac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\rho_S ε2∂n∂φ2−ε1∂n∂φ1=ρS
- 若介质分界面上无自由电荷
ε 2 ∂ φ 2 ∂ n = ε 1 ∂ φ 1 ∂ n \varepsilon_2\frac{\partial\varphi_2}{\partial n}=\varepsilon_1\frac{\partial\varphi_1}{\partial n} ε2∂n∂φ2=ε1∂n∂φ1 - 导体表面上电位的边界条件:
φ
=
\;\;\varphi=\;
φ=常数
ε ∂ φ ∂ n = − ρ S \varepsilon\frac{\partial\varphi}{\partial n}=-\rho_S ε∂n∂φ=−ρS
- 紧贴界面的相邻两点,其电位分别为
φ
1
φ
2
\varphi_1\;\;\varphi_2
φ1φ2
3.1.3 导体系统的电容与部分电容
电容:电容是导体系统的一种基本属性,是描述导体系统 储存电荷能力的物理量
-
孤立导体的电容:
C = q φ C=\frac{q}{\varphi} C=φq -
两个带等量异号电荷 ( ± q ) \;(\pm q)\; (±q)的导体组成的电容器,其电容为:
C = q U = q ∣ φ 1 − φ 2 ∣ C=\frac{q}{U}=\frac{q}{\left|\varphi_1-\varphi_2\right|} C=Uq=∣φ1−φ2∣q -
计算电容步骤:
相关例题:PPT第三章p17
3.1.4 静电场的能量
-
静电场的能量:
- 点电荷
W e = 1 2 q φ W_e=\frac{1}{2}q\varphi We=21qφ - 体分布电荷
W e = 1 2 ∫ V q φ d V W_e=\frac{1}{2}\int_Vq\varphi dV We=21∫VqφdV - 面分布电荷
W e = 1 2 ∫ S q φ d S W_e=\frac{1}{2}\int_Sq\varphi dS We=21∫SqφdS
- 点电荷
-
电场能量密度:
w e = 1 2 D ⃗ E ⃗ = 1 2 ε E 2 w_e=\frac{1}{2}\vec{D}\vec{E}=\frac{1}{2}\varepsilon E^2 we=21DE=21εE2
3.2 导电媒质中的恒定电场分析
由 J = σ E \;J=\sigma E\; J=σE可知,导体中若存在恒定电流,则必有维持该电流的电场,虽然导体中产生电场的电荷作定向运动,但导体中的电荷分布是一种不随时间变化的恒定分布,这种恒定分布电荷产生的电场称为恒定电场
-
恒定电场的基本场矢量是电流密度 J ⃗ ( r ⃗ ) \;\vec{J}(\vec{r})\; J(r)和电场强度 E ⃗ ( r ⃗ ) \;\vec{E}(\vec{r})\; E(r)
-
恒定电场的基本方程为:
- 微分形式
{ ▽ ⋅ J ⃗ = 0 ▽ × E ⃗ = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\cdot\vec{J}=0\\ \triangledown\times\vec{E}=0 \end{array} \right . {▽⋅J=0▽×E=0 - 积分形式
{ ∮ S J ⃗ ⋅ d S ⃗ = 0 ∮ C E ⃗ ⋅ d l ⃗ = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \oint_S\vec{J}\cdot d\vec{S}=0\\ \oint_C\vec{E}\cdot d\vec{l}=0 \end{array} \right . {∮SJ⋅dS=0∮CE⋅dl=0
- 微分形式
-
恒定电场的电位函数
▽ 2 φ = 0 \triangledown^2\varphi = 0 ▽2φ=0 -
恒定电场的边界条件
-
场矢量的边界条件
{ e n ⃗ ⋅ ( J 1 ⃗ − J 2 ⃗ ) = 0 即 J 1 n = J 2 n e n ⃗ × ( E 1 ⃗ − E 2 ⃗ ) = 0 即 E 1 t = E 2 t \left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\cdot(\vec{J_1}-\vec{J_2})=0\;\;即\;\;J_{1n}=J_{2n}\\ \vec{e_n}\times(\vec{E_1}-\vec{E_2})=0\;\;即\;\;E_{1t}=E_{2t} \end{array} \right . {en⋅(J1−J2)=0即J1n=J2nen×(E1−E2)=0即E1t=E2t -
场矢量的折射关系
tan θ 1 tan θ 2 = σ 1 σ 2 \frac{\tan\theta_1}{\tan\theta_2}=\frac{\sigma_1}{\sigma_2} tanθ2tanθ1=σ2σ1
-
导电媒质分界面上的电荷面密度
ρ S = ( ε 1 σ 1 − ε 2 σ 2 ) J n \rho_S=(\frac{\varepsilon_1}{\sigma_1}-\frac{\varepsilon_2}{\sigma_2})J_n ρS=(σ1ε1−σ2ε2)Jn -
电位的边界条件
φ 1 = φ 2 σ 1 ∂ φ 1 ∂ n = σ 2 ∂ φ 2 ∂ n \varphi_1=\varphi_2\;\;\;\;\sigma_1\frac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\sigma_2\frac{\partial\varphi_2}{\partial n} φ1=φ2σ1∂n∂φ1=σ2∂n∂φ2
-
-
恒定电场与静电场的比拟
漏电导 G \;G\; G
3.3 恒定磁场分析
3.3.1 恒定磁场的基本方程和边界条件
- 基本方程
- 微分形式
{ ▽ × H ⃗ = J ⃗ ▽ ⋅ B ⃗ = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\times\vec{H}=\vec{J}\\ \triangledown\cdot\vec{B}=0 \end{array} \right . {▽×H=J▽⋅B=0 - 积分形式
{ ∮ C H ⃗ ⋅ d l ⃗ = ∫ S j ⃗ ⋅ d S ⃗ ∮ S B ⃗ ⋅ d S ⃗ = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \oint_C\vec{H}\cdot d\vec{l}=\int_S\vec{j}\cdot d\vec{S}\\ \oint_S\vec{B}\cdot d\vec{S}=0 \end{array} \right . {∮CH⋅dl=∫Sj⋅dS∮SB⋅dS=0 - 本构关系
B ⃗ = μ H ⃗ \vec{B}=\mu\vec{H} B=μH
- 微分形式
- 边界条件
{ e n ⃗ ⋅ ( B 1 ⃗ − B 2 ⃗ ) = 0 e n ⃗ × ( H 1 ⃗ − H 2 ⃗ ) = J S ⃗ \left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\cdot(\vec{B_1}-\vec{B_2})=0\\ \vec{e_n}\times(\vec{H_1}-\vec{H_2})=\vec{J_S} \end{array} \right . {en⋅(B1−B2)=0en×(H1−H2)=JS
若分界面上不存在面电流,即 J S = 0 \;J_S=0\; JS=0,则
{ e n ⃗ ⋅ ( B 1 ⃗ − B 2 ⃗ ) = 0 e n ⃗ × ( H 1 ⃗ − H 2 ⃗ ) = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \vec{e_n}\cdot(\vec{B_1}-\vec{B_2})=0\\ \vec{e_n}\times(\vec{H_1}-\vec{H_2})=0 \end{array} \right . {en⋅(B1−B2)=0en×(H1−H2)=0
3.3.2 恒定磁场的矢量磁位和标量磁位
-
磁矢位的定义:
由
▽ ⋅ B ⃗ ⟹ B ⃗ = ▽ × A ⃗ \triangledown\cdot\vec{B}\;\;\Longrightarrow\;\;\vec{B}=\triangledown\times\vec{A} ▽⋅B⟹B=▽×AA ⃗ \vec{A}\;\; A是矢量磁位或称磁矢位
根据旋度的散度为零
-
磁矢位的微分方程
- 矢量泊松方程
▽ 2 A ⃗ = − μ J ⃗ \triangledown^2\vec{A}=-\mu\vec{J} ▽2A=−μJ - 矢量拉普拉斯方程
J
⃗
=
0
\;\;\vec{J}=0
J=0
▽ 2 A ⃗ = 0 \triangledown^2\vec{A}=0 ▽2A=0
- 矢量泊松方程
-
磁矢位的表达式
-
体电流
A ⃗ ( r ⃗ ) = μ 4 π ∫ V J ( r ′ ⃗ ) R d V ′ \vec{A}(\vec{r})=\frac{\mu}{4\pi}\int_V\frac{J(\vec{r'})}{R}dV' A(r)=4πμ∫VRJ(r′)dV′具体证明在PPT第三章p54
-
面电流
A ⃗ ( r ⃗ ) = μ 4 π ∫ S J S ( r ′ ⃗ ) R d S ′ \vec{A}(\vec{r})=\frac{\mu}{4\pi}\int_S\frac{J_S(\vec{r'})}{R}dS' A(r)=4πμ∫SRJS(r′)dS′ -
细线电流
A ⃗ ( r ⃗ ) = μ I 4 π ∮ C d l ′ ⃗ R \vec{A}(\vec{r})=\frac{\mu I}{4\pi}\oint_C\frac{d\vec{l'}}{R} A(r)=4πμI∮CRdl′
-
-
利用磁矢位计算磁通量
Φ = ∮ C A ⃗ ⋅ d l ⃗ \varPhi=\oint_C\vec{A}\cdot d\vec{l} Φ=∮CA⋅dl -
磁矢位的边界条件
A 1 ⃗ = A 2 ⃗ e n ⃗ × ( 1 μ 1 ▽ × A 1 ⃗ − 1 μ 2 ▽ × A 2 ⃗ ) = J S ⃗ \vec{A_1}=\vec{A_2}\\ \vec{e_n}\times(\frac{1}{\mu_1}\triangledown\times\vec{A_1}-\frac{1}{\mu_2}\triangledown\times\vec{A_2})=\vec{J_S} A1=A2en×(μ11▽×A1−μ21▽×A2)=JS -
恒定磁场的标量磁位
▽ × H ⃗ = 0 ⟹ H ⃗ = − ▽ φ m \triangledown\times\vec{H}=0\;\;\Longrightarrow \;\;\vec{H}= -\triangledown\varphi_m ▽×H=0⟹H=−▽φm
-
标量磁位的表达式
φ m ( r ⃗ ) = 1 4 π μ 0 ∫ V ρ m ( r ′ ⃗ ) R d V ′ \varphi_m(\vec{r})=\frac{1}{4\pi\mu_0}\int_V\frac{\rho_m(\vec{r'})}{R}dV' φm(r)=4πμ01∫VRρm(r′)dV′ -
标量磁位的边界条件
φ m 1 = φ m 2 μ 1 ∂ φ m 1 ∂ n = μ 2 ∂ φ m 2 ∂ n \varphi_{m1}=\varphi_{m2}\;\;\;\;\mu_1\frac{\partial\varphi_{m1}}{\partial n}=\mu_2\frac{\partial\varphi_{m2}}{\partial n} φm1=φm2μ1∂n∂φm1=μ2∂n∂φm2
3.3.3 电感
-
磁通与磁链
- 单匝细线圈磁通量
Ψ = Φ \varPsi=\varPhi Ψ=Φ - 多匝线圈磁通量
Ψ = ∑ i Φ i \varPsi=\sum_i\varPhi_i Ψ=i∑Φi - 粗导线则需要考虑穿过导体部分的内磁通量,不穿过导体的外磁通量
内 磁 通 量 Ψ o 外 磁 通 量 Ψ i 内磁通量\;\varPsi_o\;\\ 外磁通量\;\varPsi_i\; 内磁通量Ψo外磁通量Ψi
如图:
- 单匝细线圈磁通量
-
自感
- 定义式:
L = Ψ I L=\frac{\varPsi}{I} L=IΨI I\; I为回路 C C\; C中的电流, Ψ \;\varPsi\; Ψ为磁场与回路 C \;C\; C的交链
- 粗导体
- 内自感
L = Ψ i I L=\frac{\varPsi_i}{I} L=IΨi常用:两根导线单位的长度的内自感
L i = μ 0 4 π L_i=\frac{\mu_0}{4\pi} Li=4πμ0 - 外自感
L = Ψ o I L=\frac{\varPsi_o}{I} L=IΨo
- 内自感
自感只与回路的几何形状、尺寸以及周围磁介质有关,与电流无关
- 定义式:
-
互感
两闭合回路通电的时候,其中一闭合回路上的电流不仅与其自身交链的磁链成正比,还与另外一回路的交链的磁链成正比
- 回路
C
1
\;C_1\;
C1对回路
C
2
\;C_2\;
C2的互感
M 21 = Ψ 21 I 1 M_{21}=\frac{\varPsi_{21}}{I_1} M21=I1Ψ21 - 回路
C
2
\;C_2\;
C2对回路
C
1
\;C_1\;
C1的互感
M 12 = Ψ 12 I 2 M_{12}=\frac{\varPsi_{12}}{I_2} M12=I2Ψ12
- 回路
C
1
\;C_1\;
C1对回路
C
2
\;C_2\;
C2的互感
-
纽曼公式(了解就好)
M = μ 0 4 π ∮ C 1 ∮ C 2 d l 1 ⃗ ⋅ d l 2 ⃗ R M=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1} \oint_{C_2}\frac{d \vec{l_1}\cdot d\vec{l_2}}{R} M=4πμ0∮C1∮C2Rdl1⋅dl2
磁场能量密度
- 磁场能量密度
w m = 1 2 B ⃗ H ⃗ = 1 2 μ H 2 ⃗ w_m=\frac{1}{2}\vec{B}\vec{H}=\frac{1}{2}\mu\vec{H^2} wm=21BH=21μH2 - 磁场能量
W m = 1 2 ∫ V B ⃗ H ⃗ d V = 1 2 ∫ V μ H 2 ⃗ d V W_m=\frac{1}{2}\int_V\vec{B}\vec{H}dV=\frac{1}{2}\int_V\mu\vec{H^2}dV Wm=21∫VBHdV=21∫VμH2dV
第四章 时变电磁场
4.0 重点
- 波动方程:知道内容
- 电磁场守恒定理: W = W e + W m W = W_e + W_m W=We+Wm
- 坡印廷矢量
-
时
谐
场
\color{#FF3030}{时谐场}
时谐场
- 复数形式麦克斯韦方程➡️平均能量密度
- 求瞬时坡印廷矢量
- 平均坡印廷矢量
4.1 波动方程
无源区的波动方程
{ ▽ 2 E ⃗ − μ ε ∂ 2 E ⃗ ∂ t 2 = 0 ▽ 2 H ⃗ − μ ε ∂ 2 H ⃗ ∂ t 2 = 0 \left\{ \begin{array}{lr} \triangledown^2\vec{E}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\vec{E}}{\partial t^2}=0\\ \triangledown^2\vec{H}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\vec{H}}{\partial t^2}=0 \end{array} \right . {▽2E−με∂t2∂2E=0▽2H−με∂t2∂2H=0
推证:PPT第四章p9
4.3 电磁能量守恒
-
电磁场的能量密度
w = w e + w m = 1 2 E ⃗ D ⃗ + 1 2 H ⃗ B ⃗ w=w_e+w_m=\frac{1}{2}\vec{E}\vec{D}+\frac{1}{2}\vec{H}\vec{B} w=we+wm=21ED+21HB -
空间区域 V \;V\; V中的电磁能量
W = ∫ V d V = ∫ V ( 1 2 E ⃗ ⋅ D ⃗ + 1 2 H ⃗ ⋅ B ⃗ ) d V W=\int_V dV=\int_V(\frac{1}{2}\vec{E}\cdot\vec{D}+\frac{1}{2}\vec{H}\cdot\vec{B})dV W=∫VdV=∫V(21E⋅D+21H⋅B)dV -
电磁能量守恒定律为
进 入 体 积 V 的 能 量 = 体 积 V 内 增 加 的 能 量 + 体 积 V 内 损 耗 的 能 量 进入体积\;V\;的能量=体积\;V\;内增加的能量+体积\;V\;内损耗的能量 进入体积V的能量=体积V内增加的能量+体积V内损耗的能量
4.3.3 坡印廷
-
坡印廷定理
表征电磁能量守恒关系的定理
- 微分形式
− ▽ ⋅ ( E ⃗ × H ⃗ ) = ∂ ∂ t ( 1 2 E ⃗ ⋅ D ⃗ + 1 2 H ⃗ B ⃗ ) + E ⃗ ⋅ J ⃗ -\triangledown\cdot(\vec{E}\times\vec{H})=\frac{\partial}{\partial t}(\frac{1}{2}\vec{E}\cdot\vec{D}+\frac{1}{2}\vec{H}\vec{B})+\vec{E}\cdot\vec{J} −▽⋅(E×H)=∂t∂(21E⋅D+21HB)+E⋅J - 积分形式
− ∮ S ( E ⃗ × H ⃗ ) ⋅ d S ⃗ = d d t ∫ V ( 1 2 E ⃗ ⋅ D ⃗ + 1 2 H ⃗ ⋅ B ⃗ ) d V + ∫ V E ⃗ ⋅ J ⃗ d V -\oint_S(\vec{E}\times\vec{H})\cdot d\vec{S}= \frac{d}{dt}\int_V(\frac{1}{2}\vec{E}\cdot\vec{D}+\frac{1}{2}\vec{H}\cdot\vec{B})d V+\int_V \vec{E}\cdot\vec{J}d V −∮S(E×H)⋅dS=dtd∫V(21E⋅D+21H⋅B)dV+∫VE⋅JdV
- 微分形式
-
坡印廷矢量
描述时变电磁场中电磁能量传输的一个重要物理量
- 定义
S ⃗ = E ⃗ × H ⃗ \vec{S}=\vec{E}\times\vec{H} S=E×H - 物理意义
S ⃗ \vec{S}\; S的方向:电磁能量传输的方向
S ⃗ \vec{S}\; S的大小:通过垂直于能量传输方向的单位面积的电磁功率相关例题:PPT第四章p27
- 定义
4.5 时谐电磁场
概念:如果场源以一定的角频率随时间呈时谐(正弦或余弦)变化,则所产生电磁场也以同样的角频率随时间呈时谐变化。这种以一定角频率作时谐变化的电磁场,称为时谐电磁场或正弦电磁场
4.5.1 时谐电磁场的复数形式
- 设
u
(
r
⃗
,
t
)
\;u(\vec{r},t)\;
u(r,t)是一个以角频率
ω
\;\omega\;
ω随时间
t
\;t\;
t作正弦变化的场量
- 实数表示法
u ( r ⃗ , t ) = u m ( r ⃗ ) cos [ ω t + ϕ ( r ⃗ ) ] u(\vec{r},t)=u_m(\vec{r})\cos[\omega t+\phi(\vec{r})] u(r,t)=um(r)cos[ωt+ϕ(r)] - 复数表示法
u ( r ⃗ , t ) = R e [ u ˙ ( r ⃗ ) e j ω t ] u(\vec{r},t)=Re[\dot{u}(\vec{r})e^{j\omega t}] u(r,t)=Re[u˙(r)ejωt]其中 复振幅 u ˙ ( r ⃗ ) = u m ( r ⃗ ) e j ϕ ( r ⃗ ) \;\;\dot{u}(\vec{r})=u_m(\vec{r})e^{j\phi(\vec{r})} u˙(r)=um(r)ejϕ(r)
时间因子: e j ω t \;\;e^{j\omega t} ejωt
相位因子: e j ϕ ( r ⃗ ) \;\;e^{j\phi(\vec{r})} ejϕ(r)
- 实数表示法
- 有关复数表示的进一步说明
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹复数式只是数学表示方式, 不代表真实的场
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹真实场是复数式的实部, 即瞬时表达式
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹由于时间因子是默认的, 有时它不用写出来,只用与坐标有关的部份就可表示复矢量
相关例题:PPT第四章p44
4.5.2 复矢量的麦克斯韦方程
- 表达式
{ ▽ × H m ⃗ ˙ = J m ⃗ ˙ + j ω D m ⃗ ˙ ▽ × E m ⃗ ˙ = − j ω B m ⃗ ˙ ▽ ⋅ B m ⃗ ˙ = 0 ▽ ⋅ D m ⃗ ˙ = ρ m ˙ ⟹ { ▽ × H ⃗ = J ⃗ + j ω D ⃗ ▽ × E ⃗ = − j ω B ⃗ ▽ ⋅ B ⃗ = 0 ▽ ⋅ D ⃗ = ρ \left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\times\dot{\vec{H_m}}=\dot{\vec{J_m}}+j\omega\dot{\vec{D_m}}\\ \triangledown\times\dot{\vec{E_m}}=-j\omega\dot{\vec{B_m}}\\ \triangledown\cdot\dot{\vec{B_m}}=0\\ \triangledown\cdot\dot{\vec{D_m}}=\dot{\rho_m} \end{array} \right .\;\;\Longrightarrow\;\;\;\left\{ \begin{array}{lr} \triangledown\times\vec{H}=\vec{J}+j\omega\vec{D}\\ \triangledown\times\vec{E}=-j\omega\vec{B}\\ \triangledown\cdot\vec{B}=0\\ \triangledown\cdot\vec{D}=\rho \end{array} \right . ⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎧▽×Hm˙=Jm˙+jωDm˙▽×Em˙=−jωBm˙▽⋅Bm˙=0▽⋅Dm˙=ρm˙⟹⎩⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎧▽×H=J+jωD▽×E=−jωB▽⋅B=0▽⋅D=ρ略去 ˙ \;\;\dot{}\;\; ˙和 m \;_m\; m
相关例题:PPT第四章p50
4.5.6 平均能量密度和平均能流密度矢量
- 电磁场能量密度和能流密度的表达式中都包含了场量的平方关系,这种关系式称为二次式
- 使用二次式时需要注意的问题
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹二次式只有实数的形式,没有复数形式
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹场量是实数式时,直接代入二次式即可
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹场量是复数式时,应先取实部再代入, 即“先取实后相乘”
⟹ \Longrightarrow\;\; ⟹复数形式的场量中没有时间因子,取实前先补充时间因子
- 二次式的时间平均值
- 实矢量(在时间周期
T
\;T\;
T中的平均值)
- 平均电场能量密度
w e a v = 1 T ∫ 0 T 1 2 E ⃗ ⋅ D ⃗ d t w_{eav}=\frac{1}{T}\int_0^T\frac{1}{2}\vec{E}\cdot\vec{D}dt weav=T1∫0T21E⋅Ddt - 平均磁场能量密度
w m a v = 1 T ∫ 0 T 1 2 H ⃗ ⋅ B ⃗ d t w_{mav}=\frac{1}{T}\int_0^T\frac{1}{2}\vec{H}\cdot\vec{B}dt wmav=T1∫0T21H⋅Bdt - 平均能流密度矢量
S a v ⃗ = 1 T ∫ 0 T 1 2 E ⃗ × H ⃗ d t \vec{S_{av}}=\frac{1}{T}\int_0^T\frac{1}{2}\vec{E}\times\vec{H}dt Sav=T1∫0T21E×Hdt
- 平均电场能量密度
- 复矢量
- 平均电场能量密度
w e a v = 1 4 R e ( E ⃗ ⋅ D ⃗ ∗ ) w_{eav}=\frac{1}{4}Re(\vec{E}\cdot\vec{D}^*) weav=41Re(E⋅D∗) - 平均磁场能量密度
w m a v = 1 4 R e ( H ⃗ ⋅ B ⃗ ∗ ) w_{mav}=\frac{1}{4}Re(\vec{H}\cdot\vec{B}^*) wmav=41Re(H⋅B∗) - 平均能流密度矢量
S a v ⃗ = 1 4 R e ( E ⃗ × H ⃗ ∗ ) \vec{S_{av}}=\frac{1}{4}Re(\vec{E}\times\vec{H}^*) Sav=41Re(E×H∗)
- 平均电场能量密度
- 实矢量(在时间周期
T
\;T\;
T中的平均值)
相关例题:PPT第四章p66